AO4610
N通道+肖特基电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=8.5A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6.6A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=8.5A
10
体二极管+肖特基正向电压
I
S
=1A
最大体二极管+肖特基连续电流
T
J
=125°C
1
40
15.5
22.3
23
23
0.75
1
5.5
1040
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
180
110
0.7
19.2
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=8.5A
9.36
2.6
4.2
5.2
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=1.8,
R
根
=3
I
F
= 8.5A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 8.5A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
=1.0A
V
R
=30V
V
R
= 30V ，T
J
=125°C
V
R
= 30V ，T
J
=150°C
C
T
结电容
2
民
30
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
25
100
1.8
3
18
27
28
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容（ FET +肖特基）
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管+肖特基反向恢复时间
体二极管+肖特基反向恢复电荷
4.4
17.3
3.3
16.7
6.7
0.45
0.007
3.2
12
37
0.5
0.05
10
20
肖特基参数
V
F
正向电压降
I
rm
最大反向漏电流
V
mA
pF
V
R
=15V
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在任意的值
给定的应用取决于用户的具体电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
2
E.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局提供的曲线
单个脉冲的评价。
启4 ： 2005年7月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法欧米茄半导体有限公司
AO4610
N沟道：典型的电气和热性能
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
1500
V
DS
=15V
I
D
=8.5A
电容（pF）
1250
C
国际空间站
1000
750
500
250
0
0
C
RSS
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
C
OSS
100.0
R
DS （ ON）
有限
1ms
10ms
0.1s
100s
10s
功率（W）的
50
40
30
20
10
0
0.001
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10.0
I
D
（安培）
1.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.1
0.1
1
1s
10s
DC
10
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
100
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
0.01
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法欧米茄半导体有限公司
AO4610
N通道+肖特基电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=8.5A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6.6A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=8.5A
10
体二极管+肖特基正向电压
I
S
=1A
最大体二极管+肖特基连续电流
T
J
=125°C
1
40
15.5
22.3
23
23
0.75
1
5.5
1040
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
180
110
0.7
19.2
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=8.5A
9.36
2.6
4.2
5.2
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=1.8,
R
根
=3
I
F
= 8.5A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 8.5A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
=1.0A
V
R
=30V
V
R
= 30V ，T
J
=125°C
V
R
= 30V ，T
J
=150°C
C
T
结电容
2
民
30
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
25
100
1.8
3
18
27
28
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容（ FET +肖特基）
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管+肖特基反向恢复时间
体二极管+肖特基反向恢复电荷
4.4
17.3
3.3
16.7
6.7
0.45
0.007
3.2
12
37
0.5
0.05
10
20
肖特基参数
V
F
正向电压降
I
rm
最大反向漏电流
V
mA
pF
V
R
=15V
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在任意的值
给定的应用取决于用户的具体电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
2
E.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局提供的曲线
单个脉冲的评价。
启4 ： 2005年7月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法欧米茄半导体有限公司
AO4610
N沟道：典型的电气和热性能
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
1500
V
DS
=15V
I
D
=8.5A
电容（pF）
1250
C
国际空间站
1000
750
500
250
0
0
C
RSS
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
C
OSS
100.0
R
DS （ ON）
有限
1ms
10ms
0.1s
100s
10s
功率（W）的
50
40
30
20
10
0
0.001
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10.0
I
D
（安培）
1.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.1
0.1
1
1s
10s
DC
10
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
100
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
0.01
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法欧米茄半导体有限公司
飞思卡尔
AO4610 / MC4610
P & N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
这些微型表面贴装MOSFET采用
高细胞密度的过程。低R
DS （ ON）
保证
最小的功率损耗并节省能源，使
该器件非常适用于电源管理应用
电路。典型的应用是PWMDC直流
转换器，电源管理在便携式和
电池供电的产品，如计算机，
打印机，充电器，通信电源
系统和电话电源系统。
低R
DS （ ON）
提供了更高的效率和
延长电池寿命
小型SO- 8表面贴装封装
节省电路板空间
高功率和电流处理能力
低压侧大电流DC- DC转换器
应用
o
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
m()
30
-30
40 @ V
GS
= 4.5V
31 @ V
GS
= 10V
80 @ V
GS
= -4.5V
52 @ V
GS
= -10V
I
D
(A)
6.0
6.9
-4.2
-5.2
1
2
3
4
8
7
6
5
绝对最大额定值（T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
符号N沟道P沟道单位
30
-30
漏源电压
V
DS
V
V
GS
栅源电压
±20
±20
连续漏电流
漏电流脉冲
b
a
o
o
a
T
A
=25 C
T
A
=70 C
o
o
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
6.9
5.4
20
1.3
2.1
1.3
-5.2
-6.8
-20
-1.3
2.1
1.3
A
W
o
A
连续源电流（二极管传导）
功耗
a
T
A
=25 C
T
A
=70 C
工作结存储温度范围
-55到150
C
热电阻额定值
参数
最大结到外壳
a
最大结点到环境
a
吨< = 5秒
吨< = 5秒
符号
R
θJC
R
θJA
最大
40
60
单位
o
o
C / W
C / W
笔记
a.
表面装在1 “×1” FR4板。
b.
脉冲宽度有限的最高结温
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1
飞思卡尔
AO4610 / MC4610
规格（T
A
= 25
o
C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
A
符号
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
A
测试条件
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250微安
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250微安
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= -24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
DS
= -5 V, V
GS
= -10 V
VGS = 10 V，I
D
= 6.9 A
VGS = 4.5 V，I
D
= 6 A
VGS = -10 V，I
D
= -5.2 A
VGS = -4.5 V，I
D
= -4.2 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 6.9 A
V
DS
= -15 V，I
D
= -5.2 A
Ch
N
P
P
N
P
N
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
范围
最小值典型值
1
-1.0
最大单位
V
±100
±100
-1
1
nA
uA
A
20
-20
31
40
52
80
25
10
4.0
10
1.1
2.2
1.4
漏源导通电阻
转发Tranconductance
A
r
DS （ ON）
g
fs
m
S
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
N沟道
V
DS
=15V, V
GS
= 10V ，我
D
=6.9A
P沟道
V
DS
=-15V, V
GS
= -10V ，我
D
=-5.2A
nC
N-二Chaneel
V
DD
=15V, V
GS
= 10V ，我
D
=1A ,
R
根
=6,
P沟道
V
DD
=-15V, V
GS
= -10V ，我
D
=-1A
R
根
=6
N
P
N
P
N
P
N
P
P
8
10
5
2.8
23
53.6
3
46
1.7
nS
笔记
a.
脉冲测试： PW < = 300US占空比< = 2 ％ 。
b.
通过设计保证，不受生产测试。
飞思卡尔
保留随时更改，恕不福rther通知这里的任何产品的权利。 FREESCALE不作任何保证，声明
或保证对其产品是否适合任何特定用途，也不会引起应用程序的飞思卡尔assumeany责任或
使用任何产品或电路，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带
损害赔偿。可在飞思卡尔的数据表和/或规格提供“典型”参数可以做不同在不同的应用和
实际性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的应用程序通过验证
客户的技术专家。飞思卡尔不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。飞思卡尔的产品不是设计，
意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或用于支持其他应用程序或
维持生命，或任何其他应用程序在飞思卡尔产品的故障可能造成原位ATION人身伤害或死亡可能会发生。
如果买方购买或使用飞思卡尔的产品对任何s UCH意外或未经授权的应用，买家明堂赔偿并飞思卡尔及其
管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师
即使这样产生出来的，直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，费用
索赔称，有关部分的设计或制造飞思卡尔是疏忽。飞思卡尔是一个机会均等/肯定行动雇主。
2
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飞思卡尔
AO4610 / MC4610
典型电气特性（ N沟道）
30
ID ，漏电流（ A）
6.0V
5.0V
30
VDS = 5V
VGS = 10V
TA = -55
o
C
ID ，漏电流（ A）
25
20
15
10
5
0
0
25
20
15
10
5
0
25
o
C
125
o
C
4.0V
3.0V
0.5
1
1.5
2
2.5
0.5
1.5
2.5
3.5
4.5
VDS ，漏极 - 源极电压（ V）
VGS ，门源电压（ V）
图1.区域特征
图2.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度
2.5
RDS （ ON ） ，归一化
漏源导通电阻
1500
1200
900
600
C
OSS
C
国际空间站
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
2
1.5
4.5V
6.0V
1
电容（pF）
10V
300
0
C
RSS
0
5
10
15
20
25
30
0.5
0
5
10
15
20
25
30
ID ，漏电流（ A）
V
DS
，漏源极电压（ V）
图3.电阻与栅极电压的电压
图4.电容特性
VG S， G A TE - SOU RCE V OLTAG E（ V）
10
ID = 7A
15V
1.6
归一化
DS
（上）
8
6
4
2
0
0
3
6
9
1.4
V
GS
= 10V
I
D
= 7A
1.2
1.0
0 .8
12
15
0 .6
-50
-2 5
0
25
50
75
10 0
12 5
150
QG ，栅极电荷（ NC）
T
J
Juncation温度（
篊
)
图6.导通电阻随温度的变化
图5.栅极电荷特性
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