AO4576
30V N通道AlphaMOS
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS ，
I
D
=250A
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=20A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
T
J
=125°C
1.4
1.8
4.7
6.2
7.7
91
0.7
1
4
1037
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
0.7
441
61
1.5
15.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=20A
6.8
3.0
3.6
5.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.75,
R
根
=3
I
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
3.3
18
4.3
12.7
17.2
2.3
22.5
10.5
民
30
1
5
100
2.2
5.8
7.6
9.8
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
的R A的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持
initialT
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗的交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻
2
FR- 4板
2盎司铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
2/5
www.freescale.net.cn
AO4576
30V N通道AlphaMOS
典型的电气和热特性
10
V
DS
=15V
I
D
=20A
电容（pF）
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
5
10
15
20
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
0
0
C
RSS
5
10
15
20
25
30
C
OSS
C
国际空间站
8
V
GS
（伏）
6
4
2
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
1000.0
100.0
10s
10000
T
A
=25°C
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
R
DS （ ON）
I
D
（安培）
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
10s
功率（W）的
1000
100s
1ms
10ms
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
100
100
DC
10
1
0.00001
0.001
0.1
10
1000
脉冲宽度（S ）
图14 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注F）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
R
θJA
=75°C/W
40
0.1
P
D
0.01
单脉冲
T
on
T
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图15 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
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30V N通道AlphaMOS
概述
最新的沟槽功率AlphaMOS （ αMOS LV ）技术
非常低的RDS（on ），在4.5V
GS
低栅极电荷
高电流能力
符合RoHS和无卤素标准
产品概述
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
= 4.5V)
30V
20A
< 5.8mΩ
< 9.8mΩ
应用
在电脑，服务器和POL DC / DC转换器
在电信和工业隔离DC / DC转换器
100 ％ UIS测试
100% R
g
经过测试
SOIC-8
D
顶视图
D
D
D
D
G
S
底部视图
G
S
S
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
V
DS
穗
功耗
B
C
C
C
最大
30
±20
20
12
144
25
31
36
3.1
1.2
-55到150
单位
V
V
A
A
mJ
V
W
°C
V
GS
T
A
=25°C
T
A
=100°C
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
V
穗
P
D
T
J
, T
英镑
100ns
T
A
=25°C
T
A
=100°C
雪崩能量L = 0.1mH
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结对铅
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
31
59
16
最大
40
75
24
单位
° C / W
° C / W
° C / W
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电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS ，
I
D
=250A
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=20A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
T
J
=125°C
1.4
1.8
4.7
6.2
7.7
91
0.7
1
4
1037
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
0.7
441
61
1.5
15.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=20A
6.8
3.0
3.6
5.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.75,
R
根
=3
I
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
3.3
18
4.3
12.7
17.2
2.3
22.5
10.5
民
30
1
5
100
2.2
5.8
7.6
9.8
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
的R A的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持
initialT
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗的交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻
2
FR- 4板
2盎司铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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典型的电气和热特性
10
V
DS
=15V
I
D
=20A
电容（pF）
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
5
10
15
20
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
0
0
C
RSS
5
10
15
20
25
30
C
OSS
C
国际空间站
8
V
GS
（伏）
6
4
2
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
1000.0
100.0
10s
10000
T
A
=25°C
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
R
DS （ ON）
I
D
（安培）
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
10s
功率（W）的
1000
100s
1ms
10ms
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
100
100
DC
10
1
0.00001
0.001
0.1
10
1000
脉冲宽度（S ）
图14 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注F）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
R
θJA
=75°C/W
40
0.1
P
D
0.01
单脉冲
T
on
T
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
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脉冲宽度（S ）
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30V N通道AlphaMOS
概述
最新的沟槽功率AlphaMOS （ αMOS LV ）技术
非常低的RDS（on ），在4.5V
GS
低栅极电荷
高电流能力
符合RoHS和无卤素标准
产品概述
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
= 4.5V)
30V
20A
< 5.8mΩ
< 9.8mΩ
应用
在电脑，服务器和POL DC / DC转换器
在电信和工业隔离DC / DC转换器
100 ％ UIS测试
100% R
g
经过测试
SOIC-8
D
顶视图
D
D
D
D
G
S
底部视图
G
S
S
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
漏源电压
V
DS
最大
30
±20
20
12
144
25
31
36
3.1
1.2
-55到150
单位
V
V
A
A
mJ
V
W
°C
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
V
DS
穗
功耗
B
C
C
C
V
GS
T
A
=25°C
T
A
=100°C
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
V
穗
P
D
T
J
, T
英镑
100ns
T
A
=25°C
T
A
=100°C
雪崩能量L = 0.1mH
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结对铅
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
31
59
16
最大
40
75
24
单位
° C / W
° C / W
° C / W
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电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS ，
I
D
=250A
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=20A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
T
J
=125°C
1.4
1.8
4.7
6.2
7.7
91
0.7
1
4
1037
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
0.7
441
61
1.5
15.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=20A
6.8
3.0
3.6
5.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.75,
R
根
=3
I
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
3.3
18
民
30
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
1
5
100
2.2
5.8
7.6
9.8
A
nA
V
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
2.3
22.5
10.5
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
t
f
t
rr
Q
rr
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
4.3
12.7
17.2
ns
ns
nC
的R A的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持
initialT
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗的交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻
2
FR- 4板
2盎司铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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典型的电气和热特性
10
V
DS
=15V
I
D
=20A
电容（pF）
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
5
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Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
0
0
C
RSS
8
C
国际空间站
V
GS
（伏）
6
4
C
OSS
2
5
10
15
20
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V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
1000.0
100.0
10s
10000
T
A
=25°C
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
R
DS （ ON）
I
D
（安培）
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
10s
功率（W）的
1000
100s
1ms
100
DC
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
10ms
10
100
1
0.00001
0.001
0.1
10
1000
脉冲宽度（S ）
图14 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注F）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
R
θJA
=75°C/W
40
0.1
P
D
0.01
单脉冲
T
on
T
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图15 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
REV1 ： 2012年11月
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