AO4498E
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=18A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=16A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=18A
I
S
=1A,V
GS
=0V
T
J
=125°
C
1.3
120
4.8
7.4
6.8
50
0.7
1
4
1840
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
230
145
0.6
34
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=18A
16
5.6
6
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.83,
R
根
=3
I
F
= 18A ，的di / dt = 500A / μs的
2
民
30
典型值
36
最大
单位
V
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
±10
1.8
2.3
5.8
8.9
8.5
A
A
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
最大体二极管连续电流
2300
330
240
1.25
42
20
7
10
8
10
33
8
10
22
12.5
27
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
2760
430
340
1.9
50
24
8.4
14
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 18A ，的di / dt = 500A / μs的
15
32
ns
nC
的R A的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°的
C.
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150 °使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C,
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 °评级是基于低频率和占空比，以保持
C.
initialT
J
=25°
C.
D.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻抗
2
FR- 4板
2盎司铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150 °的SOA曲线提供了一个单脉冲ratin克。
C.
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
版本1 ： 2010年11月
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AO4498E
典型的电气和热特性
10
V
DS
=15V
I
D
=18A
电容（pF）
3500
3000
2500
2000
1500
1000
C
OSS
500
0
0
5
20
25
30
35
40
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
10
15
45
0
0
C
RSS
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
C
国际空间站
8
V
GS
（伏）
6
4
2
1000.0
100.0
10000
T
A
=25°
C
I
D
（安培）
功率（W）的
10.0
1.0
0.1
0.0
R
DS （ ON）
有限
10s
100s
1ms
10ms
1000
100
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.1
1
V
DS
（伏）
10
10s
DC
100
10
0.01
1
0.00001
0.1
10
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值Junction-
到环境（注F）
0.001
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=75°
C / W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
0.01
单脉冲
T
版本1 ： 2010年11月
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第4 5
AO4498E
栅极电荷测试电路波形&
VGS
Qg
+
VDC
10V
VDC
-
DUT
VGS
Ig
+
VDS
-
QGS
QGD
收费
ES istiv （E S）瓦特痒荷兰国际集团率T e ST ircu它& W上的已经FO RM s
RL
V DS
VDS
VGS
Rg
DUT
+
VDC
90 %
VDD
1 0%
V GS
-
t
（O N）
t
0：N
t
r
t
（O FF ）
t
FF
t
f
VGS
IODE ecovery牛逼EST ircuit & W aveform s
V DS +
DUT
V GS
t
rr
Q
rr
= -
IDT
V DS -
ISD
V GS
L
ISD
I
F
的di / dt
I
RM
V DD
+
VD
V DD
V DS
Ig
-
版本1 ： 2010年11月
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页5
AO4498E
30V N沟道MOSFET
概述
该AO4498E结合了先进的沟槽MOSFET技术，具有低电阻封装提供
非常低R
DS （ ON）
。该器件非常适用于负荷开关和电池保护的应用程序。
特点
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
= 4.5V)
30V
18A
< 5.8mΩ
< 8.5mΩ
D
G
S
C
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
符号
参数
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
功耗
B
C
最大
30
±20
18
14
120
3.1
2
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
T
A
=25°
C
C
T
A
=70°
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结对铅
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
31
59
16
最大
40
75
24
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/5
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AO4498E
30V N沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=18A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=16A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=18A
I
S
=1A,V
GS
=0V
C
T
J
=125°
1.3
120
4.8
7.4
6.8
50
0.7
1
4
1840
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
230
145
0.6
34
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=18A
16
5.6
6
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.83,
R
根
=3
I
F
= 18A ，的di / dt = 500A / μs的
2
民
30
典型值
36
最大
单位
V
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
±10
1.8
2.3
5.8
8.9
8.5
A
A
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
最大体二极管连续电流
2300
330
240
1.25
42
20
7
10
8
10
33
8
10
22
12.5
27
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
2760
430
340
1.9
50
24
8.4
14
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 18A ，的di / dt = 500A / μs的
15
32
ns
nC
的R A的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°的
C.
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150 °使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C,
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 °评级是基于低频率和占空比，以保持
C.
initialT
J
=25°
C.
D.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻抗
2
FR- 4板
C.
2盎司铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150 °的SOA曲线提供了一个单脉冲ratin克。
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
2/5
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AO4498E
30V N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
10
V
DS
=15V
I
D
=18A
电容（pF）
3500
3000
2500
2000
1500
1000
C
OSS
500
0
0
5
20
25
30
35
40
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
10
15
45
0
0
C
RSS
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
C
国际空间站
8
V
GS
（伏）
6
4
2
1000.0
100.0
10000
T
A
=25°
C
I
D
（安培）
功率（W）的
10.0
1.0
0.1
0.0
R
DS （ ON）
有限
10s
100s
1ms
10ms
1000
100
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.1
1
V
DS
（伏）
10
10s
DC
100
10
0.01
1
0.00001
0.1
10
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值Junction-
到环境（注F）
0.001
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=75°
C / W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
0.01
单脉冲
T
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30V N沟道MOSFET
栅极电荷测试电路波形&
VGS
Qg
+
VDC
10V
VDC
-
DUT
VGS
Ig
+
VDS
-
QGS
QGD
收费
ES istiv （E S）瓦特痒荷兰国际集团率T e ST ircu它& W上的已经FO RM s
RL
V DS
VDS
VGS
Rg
DUT
+
VDC
90 %
VDD
1 0%
V GS
-
t
（O N）
t
0：N
t
r
t
（O FF ）
t
FF
t
f
VGS
IODE ecovery牛逼EST ircuit & W aveform s
V DS +
DUT
V GS
t
rr
Q
rr
= -
IDT
V DS -
ISD
V GS
L
ISD
I
F
的di / dt
I
RM
V DD
+
VD
V DD
V DS
Ig
-
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万和兴电子有限公司www.whxpcb.com
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=18A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=16A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=18A
I
S
=1A,V
GS
=0V
T
J
=125°
C
1.3
120
4.8
7.4
6.8
50
0.7
1
4
1840
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
230
145
0.6
34
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=18A
16
5.6
6
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.83,
R
根
=3
I
F
= 18A ，的di / dt = 500A / μs的
2
民
30
典型值
36
最大
单位
V
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
±10
1.8
2.3
5.8
8.9
8.5
A
A
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
最大体二极管连续电流
2300
330
240
1.25
42
20
7
10
8
10
33
8
10
22
12.5
27
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
2760
430
340
1.9
50
24
8.4
14
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 18A ，的di / dt = 500A / μs的
15
32
ns
nC
的R A的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°的
C.
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150 °使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C,
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 °评级是基于低频率和占空比，以保持
C.
initialT
J
=25°
C.
D.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻抗
2
FR- 4板
2盎司铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150 °的SOA曲线提供了一个单脉冲ratin克。
C.
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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典型的电气和热特性
10
V
DS
=15V
I
D
=18A
电容（pF）
3500
3000
2500
2000
1500
1000
C
OSS
500
0
0
5
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Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
10
15
45
0
0
C
RSS
8
C
国际空间站
V
GS
（伏）
6
4
2
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
1000.0
100.0
10000
T
A
=25°
C
I
D
（安培）
功率（W）的
10.0
1.0
0.1
0.0
R
DS （ ON）
有限
10s
100s
1000
1ms
10ms
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
10s
DC
100
10
0.01
1
0.00001
0.1
10
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值Junction-
到环境（注F）
0.001
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=75°
C / W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
0.01
单脉冲
T
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
版本1 ： 2010年11月
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栅极电荷测试电路波形&
VGS
Qg
+
VDC
10V
VDC
-
DUT
VGS
Ig
+
VDS
-
QGS
QGD
收费
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RL
V DS
VDS
VGS
Rg
DUT
+
VDC
90 %
VDD
1 0%
V GS
-
t
（O N）
t
0：N
t
r
t
（O FF ）
t
FF
t
f
VGS
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V DS +
DUT
V GS
t
rr
Q
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= -
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V DS -
ISD
V GS
L
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I
F
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I
RM
V DD
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VD
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V DS
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-
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