AO4494
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
T
J
=125°
C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=18A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=16A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=18A
I
S
=1A,V
GS
=0V
T
J
=125°
C
1.5
130
5.4
8.4
7.5
70
0.75
1
3
1270
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
170
87
0.8
24
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=18A
12
4.2
4.7
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.83,
R
根
=3
I
F
= 18A ，的di / dt = 500A / μs的
2
民
30
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
±100
2
2.5
6.5
10.1
9.5
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
最大体二极管连续电流
1590
240
145
1.5
30
15
5.2
7.8
6.7
3.5
22.5
4
22
19
28
24
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
1900
310
200
2.3
36
18
6.2
11
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 18A ，的di / dt = 500A / μs的
34
30
ns
nC
的R A的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°的
C.
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温在任何给定应用的值取决于
C.
用户的特定电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150使用结到外壳的热阻°，并且是在设置上更加有用
C,
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 °评级是基于低频率和占空比，以保持初始
C.
T
J
=25°
C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设
T的最高结温
J（下最大）
= 150 °的SOA曲线提供了一个单脉冲ratin克。
C.
REV1 ： 2010年11月
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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AO4494
典型的电气和热特性
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=40°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
40
0.1
P
D
单脉冲
T
on
0.001
0.00001
T
100
1000
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
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AO4494
30V N沟道MOSFET
概述
该AO4494结合了先进的沟槽MOSFET技术，具有低电阻封装提供
非常低R
DS （ ON）
。这个装置是用于PWM应用。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 18A
R
DS （ ON）
< 6.5mΩ
R
DS （ ON）
< 9.5mΩ
(V
GS
= 10V)
(V
GS
= 10V)
(V
GS
= 4.5V)
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
符号
V
DS
漏源电压
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
C
雪崩电流
C
C
最大
30
±20
18
14
130
32
51
3.1
2
-55到150
单位
V
V
A
A
mJ
W
°
C
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=70°
C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
重复雪崩能量L = 0.1mH
C
T
C
=25°
功耗
B
C
T
C
=70°
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结对铅
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
28
59
16
最大
40
75
24
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/6
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AO4494
30V N沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
T
J
=125°
C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=18A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=16A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=18A
I
S
=1A,V
GS
=0V
T
J
=125°
C
1.5
130
5.4
8.4
7.5
70
0.75
1
3
1270
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
170
87
0.8
24
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=18A
12
4.2
4.7
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.83,
R
根
=3
I
F
= 18A ，的di / dt = 500A / μs的
2
民
30
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
±100
2
2.5
6.5
10.1
9.5
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
最大体二极管连续电流
1590
240
145
1.5
30
15
5.2
7.8
6.7
3.5
22.5
4
22
19
28
24
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
1900
310
200
2.3
36
18
6.2
11
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 18A ，的di / dt = 500A / μs的
34
30
ns
nC
的R A的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°的
C.
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温在任何给定应用的值取决于
C.
用户的特定电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150使用结到外壳的热阻°，并且是在设置上更加有用
C,
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 °评级是基于低频率和占空比，以保持初始
C.
T
J
=25°
C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设
C.
T的最高结温
J（下最大）
= 150 °的SOA曲线提供了一个单脉冲ratin克。
REV1 ： 2010年11月
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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典型的电气和热特性
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=40°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
40
0.1
P
D
单脉冲
T
on
0.001
0.00001
T
100
1000
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
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电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
T
J
=125°
C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=18A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=16A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=18A
I
S
=1A,V
GS
=0V
C
T
J
=125°
1.5
130
5.4
8.4
7.5
70
0.75
1
3
1270
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
170
87
0.8
24
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=18A
12
4.2
4.7
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.83,
R
根
=3
I
F
= 18A ，的di / dt = 500A / μs的
2
民
30
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
±100
2
2.5
6.5
10.1
9.5
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
最大体二极管连续电流
1590
240
145
1.5
30
15
5.2
7.8
6.7
3.5
22.5
4
22
19
28
24
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
1900
310
200
2.3
36
18
6.2
11
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 18A ，的di / dt = 500A / μs的
34
30
ns
nC
的R A的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°的
C.
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温在任何给定应用的值取决于
C.
用户的特定电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150使用结到外壳的热阻°，并且是在设置上更加有用
C,
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 °评级是基于低频率和占空比，以保持初始
C.
T
J
=25°
C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设
T的最高结温
J（下最大）
= 150 °的SOA曲线提供了一个单脉冲ratin克。
C.
REV1 ： 2010年11月
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=40°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
40
0.1
P
D
0.01
单脉冲
T
on
T
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
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1000
脉冲宽度（S ）
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