AO4484
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
T
J
= 55°C
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
I
D
= 250A
V
GS
= 10V, V
DS
= 5V
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 8A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
= 10A
二极管的正向电压
I
S
= 1A ，V
GS
= 0V
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
1.7
120
8.2
12.5
10
75
0.72
1
2.5
1500
V
GS
=0V, V
DS
= 20V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
2
215
135
3.5
27.2
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，我
D
=10A
13.6
4.5
6.4
6.4
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，R
L
= 2,
R
根
=3
I
F
= 10A ，的di / dt = 100A / μs的
17.2
29.6
16.8
30
19
40
5
37
18
1950
10
16
12.5
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
m
2.2
民
40
1
5
±100
3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 10A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16采用t ，得到
≤
300μS脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
0
F的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
G. ê
AR
我
AR
评级是基于低频和占空比，以保持牛逼
j
=25C.
2008年REV0月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com
AO4484
典型的电气和热特性
120
10V
100
80
I
D
(A)
60
40
20
V
GS
= 3V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
16
归一化的导通电阻
14
R
DS （ ON）
(m
)
12
10
8
6
4
0
5
10
V
GS
= 10V
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结
温度
1E+02
I
D
= 10A
20
R
DS （ ON）
(m
)
I
S
(A)
1E+01
1E+00
125°C
1E-01
V
GS
= 10V
I
D
= 10A
V
GS
= 4.5V
I
D
=8A
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
I
D
(A)
4V
4.5V
80
100
V
DS
= 5V
60
40
3.5V
20
125°C
25°C
V
GS
= 4.5V
I
F
= -6.5A ，的di / dt = 100A / μs的
15
20
I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压
25
125°C
1E-02
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
1E-03
10
25°C
25°C
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
1E-04
性能和可靠性，恕不另行通知。
5
2
4
6
8
10
V
GS
（伏）
图5 ：导通电阻与栅源电压
1E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的性能
15
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AO4484
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
2500
V
DS
= 20V
I
D
= 10A
电容（pF）
2000
1500
1000
500
C
RSS
0
0
10
20
30
40
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
C
OSS
C
国际空间站
1000
100
10s
I
D
（安培）
10
1
0.1
0.01
0.1
1
R
DS （ ON）
有限
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10
100s
1m
10ms
100ms
10s
DC
1000
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
功率（W）的
100
10
I
F
= -6.5A ，的di / dt = 100A / μs的
100
V
DS
（伏）
1
0.0001
0.01
1
100
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值Junction-
到环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=75°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
P
D
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
0.01
T
on
性能和可靠性，恕不另行通知。
单脉冲
T
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注五）
阿尔法欧米茄半导体有限公司
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AO4484
40V N沟道MOSFET
概述
该AO4484采用先进的沟槽技术，提供优秀的研发
DS （ ON）
低栅极电荷。这是
的所有目的设备适合于在宽范围的功率转换应用中使用。
特点
V
DS
(V) = 40V
I
D
= 10A
R
DS （ ON）
< 10米
R
DS （ ON）
< 12米
(V
GS
= 10V)
(V
GS
= 10V)
(V
GS
= 4.5V)
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
J
= 25° ，除非另有说明
C
参数
符号
10秒
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
A
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
G
重复雪崩能量L = 0.3mH
T
A
=25°
C
A
功耗
T
A
=70°
C
G
B
稳定状态
40
±20
10
8
120
23
79
单位
V
V
V
GS
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
3.1
2.0
13.5
10.8
A
mJ
1.7
1.1
W
°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
-55到150
符号
t
≤
10s
稳定状态
稳定状态
R
θJA
R
θJL
典型值
31
59
16
最大
40
75
24
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/4
www.freescale.net.cn
AO4484
40V N沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
T
J
= 55°
C
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
I
D
= 250A
V
GS
= 10V, V
DS
= 5V
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 8A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
= 10A
I
S
= 1A ，V
GS
= 0V
T
J
=125°
C
1.7
120
8.2
12.5
10
75
0.72
1
2.5
1500
V
GS
=0V, V
DS
= 20V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
2
215
135
3.5
27.2
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，我
D
=10A
13.6
4.5
6.4
6.4
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，R
L
= 2,
R
根
=3
I
F
= 10A ，的di / dt = 100A / μs的
17.2
29.6
16.8
30
19
40
5
37
18
1950
10
16
12.5
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
m
2.2
民
40
1
5
±100
3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 10A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°的
C.
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16采用t ，得到
≤
300μS脉冲占空比0.5 ％以下。
C.
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°上的SOA
曲线提供了单个脉冲的评价。
0
F的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
G. ê
AR
我
AR
评级是基于低频和占空比，以保持牛逼
j
=25C.
REV1 ： 2010年11月
2/4
www.freescale.net.cn
AO4484
40V N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
120
10V
100
80
60
I
D
(A)
60
40
20
V
GS
= 3V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
16
14
R
DS （ ON）
(m
)
12
V
GS
= 4.5V
10
8
6
4
0
5
10
归一化的导通电阻
1.8
V
GS
= 10V
I
D
= 10A
V
GS
= 4.5V
I
D
=8A
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
I
D
(A)
4V
4.5V
80
100
V
DS
= 5V
40
3.5V
20
25°C
125°C
1.6
1.4
1.2
V
GS
= 10V
1.0
0.8
I
F
= -6.5A ，的di / dt = 100A / μs的
15
20
0
25
50
75
100
125
150
175
I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结
温度
25
I
D
= 10A
1E+02
1E+01
20
R
DS （ ON）
(m
)
I
S
(A)
1E+00
1E-01
125°C
1E-02
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
1E-03
10
25°C
25°C
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
1E-04
性能和可靠性，恕不另行通知。
5
2
4
6
8
10
V
GS
（伏）
图5 ：导通电阻与栅源电压
1E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的性能
15
125°C
3/4
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AO4484
40V N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
10
V
DS
= 20V
I
D
= 10A
8
电容（pF）
V
GS
（伏）
2500
2000
C
国际空间站
6
1500
4
1000
2
500
C
RSS
C
OSS
0
0
5
10
15
20
25
30
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
0
0
10
20
30
40
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
1000
100
10s
10
1
0.1
0.01
0.1
1
R
DS （ ON）
有限
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
100s
1m
10ms
100ms
10s
DC
1000
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
功率（W）的
100
I
D
（安培）
10
I
F
= -6.5A ，的di / dt = 100A / μs的
10
100
V
DS
（伏）
1
0.0001
0.01
1
100
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值Junction-
到环境（注E）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=75°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
P
D
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
0.01
T
on
性能和可靠性，恕不另行通知。
单脉冲
T
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注五）
4/4
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万和兴电子有限公司www.whxpcb.com
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
T
J
= 55°
C
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
I
D
= 250A
V
GS
= 10V, V
DS
= 5V
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 8A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
= 10A
I
S
= 1A ，V
GS
= 0V
C
T
J
=125°
1.7
120
8.2
12.5
10
75
0.72
1
2.5
1500
V
GS
=0V, V
DS
= 20V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
2
215
135
3.5
27.2
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，我
D
=10A
13.6
4.5
6.4
6.4
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，R
L
= 2,
R
根
=3
I
F
= 10A ，的di / dt = 100A / μs的
17.2
29.6
16.8
30
19
40
5
37
18
1950
10
16
12.5
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
m
2.2
民
40
1
5
±100
3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 10A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°的
C.
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16采用t ，得到
≤
300μS脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°上的SOA
C.
曲线提供了单个脉冲的评价。
0
F的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
G. ê
AR
我
AR
评级是基于低频和占空比，以保持牛逼
j
=25C.
REV1 ： 2010年11月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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AO4484
万和兴电子有限公司www.whxpcb.com
典型的电气和热特性
120
10V
100
80
60
I
D
(A)
60
40
20
V
GS
= 3V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
16
14
R
DS （ ON）
(m
)
12
V
GS
= 4.5V
10
8
6
4
0
5
10
归一化的导通电阻
1.8
V
GS
= 10V
I
D
= 10A
V
GS
= 4.5V
I
D
=8A
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
I
D
(A)
4V
4.5V
80
100
V
DS
= 5V
40
3.5V
20
25°C
125°C
1.6
1.4
1.2
V
GS
= 10V
1.0
0.8
I
F
= -6.5A ，的di / dt = 100A / μs的
15
20
0
25
50
75
100
125
150
175
I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结
温度
25
I
D
= 10A
1E+02
1E+01
20
R
DS （ ON）
(m
)
I
S
(A)
1E+00
1E-01
125°C
1E-02
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
1E-03
10
25°C
25°C
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
1E-04
性能和可靠性，恕不另行通知。
15
125°C
5
2
4
6
8
10
V
GS
（伏）
图5 ：导通电阻与栅源电压
1E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的性能
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典型的电气和热特性
10
V
DS
= 20V
I
D
= 10A
8
电容（pF）
V
GS
（伏）
2500
2000
C
国际空间站
6
1500
4
1000
2
500
C
RSS
C
OSS
0
0
5
10
15
20
25
30
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
0
0
10
20
30
40
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
1000
100
10s
1000
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10
1
0.1
0.01
0.1
1
R
DS （ ON）
有限
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
100s
1m
10ms
100ms
10s
DC
功率（W）的
100
I
D
（安培）
10
I
F
= -6.5A ，的di / dt = 100A / μs的
10
100
V
DS
（伏）
1
0.0001
0.01
1
100
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值Junction-
到环境（注E）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=75°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
P
D
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
0.01
T
on
性能和可靠性，恕不另行通知。
单脉冲
T
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注五）
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