AO4474
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
该AO4474采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极charge.This设备
是适合用作在SMPS和一个高侧开关
一般用途的应用。
标准产品
AO4474是Pb-free （符合ROHS &索尼259
规范）。 AO4474L是一个绿色产品订购
选项。 AO4474和AO4474L是电
相同的。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 13.4A （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
<11.5mΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 13.5mΩ （V
GS
= 4.5V)
D
S
S
S
G
D
D
D
D
G
S
SOIC-8
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
B
T
A
=25°C
功耗
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
C
最大结对铅
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
帝斯曼
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
最大
30
±12
13.4
10.7
60
3.7
2.4
-55到150
单位
V
V
A
W
°C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
28
57
16
最大
34
71
23
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4474
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=13.4A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=10A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=13.4A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
1
60
9.5
16.2
11
40
0.74
1.0
5
1210
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
330
85
1.2
22
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=13.4A
10
3.7
2.7
10
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=1.1,
R
根
=3
I
F
= 13.4A ，的di / dt = 100A / μs的
6.3
21
2.8
36
47
45
1.6
28
1452
11.5
18
13.5
1.55
民
30
1
5
0.1
2.5
典型值
最大
单位
V
uA
A
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 13.4A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸2 FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境TA = 25 ℃。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用80毫秒的脉冲，占空比0.5％以下，获得。
E.这些测试使用安装在1 2 FR-4板2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境TA = 25 ℃。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
REV1 ： 2006年4月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4474
典型的电气和热特性
10
8
电容（pF）
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
=15V
I
D
=13.4A
1500
C
国际空间站
2000
1000
C
OSS
C
RSS
500
100.0
10s
10.0
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
10ms
DC
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
100
1m
140
120
100
功率（W）的
80
60
40
20
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
1.0
0.1
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注七）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=34°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
0.01
单脉冲
T
on
T
100
1000
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注G）
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
模拟电源
飞思卡尔
AM4430N
AO4474 / MC4474
规格（T
A
= 25°C除非另有说明）
帕拉梅德
STATIC
门THRES保持电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
A
o
符号
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
A
特S T条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250微安
V
DS
= 0 V, V
GS
= 12 V
范围
单位
最小典型最大
1
±100
o
V
nA
uA
A
13.5
20
m
S
V
1
25
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 C
漏源- RES是tance
转发Tranconductance
二极管的正向电压
A
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V = 5 V, V = 10 V
V
DS
= 10 V，I
GS
= 10 A
GS
D
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 8 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A，T
J
= 55 C
V = 15 V ，I = 10 A
D
I
SDS
2.3 A，V
GS
= 0 V
=
o
20
15
40
0.7
12.5
2.6
4.6
20
9
70
20
nC
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 10 A
开关
导通延迟时间
RIS E时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
V
DD
= 25 V ，R
L
= 25 , I
D
= 1 A,
V
根
= 10 V
nS
笔记
a.
脉冲测试： PW < = 300US占空比< = 2 ％ 。
b.
通过设计保证，不受生产测试。
FREESCALE保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。 FREESCALE不作任何保证，声明
或有关的保证其产品适用于任何特定用途，也不FREESCALE承担所产生的任何法律责任
应用或使用任何产品或电路，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或
附带损失。可在FREESCALE数据表和/或规格提供“典型”参数，并会根据不同的
应用和实际性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户进行验证
应用程序由客户的技术专家。 FREESCALE不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。
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2
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