AO4450
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
该AO4450采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。这
装置适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。
标准产品AO4450是Pb-free
（符合ROHS &索尼259规格） 。 AO4450L
是一种绿色产品订购选项。 AO4450和
AO4450L是电相同。
特点
V
DS
(V) = 40V
I
D
= 6.6A （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
<30mΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 43mΩ （V
GS
= 4.5V)
D
S
S
S
G
D
D
D
D
G
S
SOIC-8
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
B
最大
40
±20
6.6
5.2
20
2.5
1.6
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
38
69
24
最大
50
80
30
单位
° C / W
° C / W
° C / W
AO4450
N沟道电气特性（T = 25 ° C除非另有说明）
J
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=32V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=6.6A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5.5A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=6.6A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
1
20
21.7
37
31.3
23
0.77
1
6.6
404
V
GS
=0V, V
DS
= 20V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
95
37
2.7
9.3
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，我
D
=6.6A
4.6
1.6
2.5
4.3
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，R
L
=3,
R
根
=3
I
F
= 6.6A ，的di / dt = 100A / μs的
3.4
15
2.8
21.2
15.8
43
30
2.3
民
40
1
5
100
3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 6.6A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。值
在任何给定的应用程序依赖于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
版本1 ： 2005年8月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4450
典型的电和热性能：N - CHANNEL
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
6
8
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
2
4
10
0
0
20
30
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
10
40
V
DS
=40V
I
D
= 6.6A
电容（pF）
600
C
国际空间站
800
400
C
OSS
C
RSS
200
100.0
R
DS （ ON）
有限
10.0
I
D
（安培）
10ms
1ms
1s
1.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
10s
DC
0.1s
100s
10s
功率（W）的
40
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
30
20
10
0
0.001
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
0.01
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=50°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4450
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
该AO4450采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。这
装置适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。
标准产品AO4450是Pb-free
（符合ROHS &索尼259规格） 。 AO4450L
是一种绿色产品订购选项。 AO4450和
AO4450L是电相同。
特点
V
DS
(V) = 40V
I
D
= 6.6A （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
<30mΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 43mΩ （V
GS
= 4.5V)
D
S
S
S
G
D
D
D
D
G
S
SOIC-8
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
B
最大
40
±20
6.6
5.2
20
2.5
1.6
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
38
69
24
最大
50
80
30
单位
° C / W
° C / W
° C / W
AO4450
N沟道电气特性（T = 25 ° C除非另有说明）
J
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=32V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=6.6A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5.5A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=6.6A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
1
20
21.7
37
31.3
23
0.77
1
6.6
404
V
GS
=0V, V
DS
= 20V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
95
37
2.7
9.3
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，我
D
=6.6A
4.6
1.6
2.5
4.3
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，R
L
=3,
R
根
=3
I
F
= 6.6A ，的di / dt = 100A / μs的
3.4
15
2.8
21.2
15.8
43
30
2.3
民
40
1
5
100
3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 6.6A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。值
在任何给定的应用程序依赖于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
版本1 ： 2005年8月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4450
典型的电和热性能：N - CHANNEL
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
6
8
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
2
4
10
0
0
20
30
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
10
40
V
DS
=40V
I
D
= 6.6A
电容（pF）
600
C
国际空间站
800
400
C
OSS
C
RSS
200
100.0
R
DS （ ON）
有限
10.0
I
D
（安培）
10ms
1ms
1s
1.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
10s
DC
0.1s
100s
10s
功率（W）的
40
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
30
20
10
0
0.001
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
0.01
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=50°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
QQ：2881677436 复制
