添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第791页 > AO4447
AO4447
P沟道增强型场效应晶体管
概述
该AO4447采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
和超低低栅极
费。此装置适合于用作负载
开关。该设备的ESD保护。
标准
产品AO4447是无铅的(符合ROHS &索尼
259规格) 。 AO4447L是一个绿色产品
订购选项。 AO4447和AO4447L是
电相同。
特点
V
DS
(V) = -30V
I
D
= -15 (V
GS
= -10V)
最大
DS ( ON)
< 7.5mΩ (V
GS
= -10V)
最大
DS ( ON)
< 12mΩ (V
GS
= -4V)
ESD额定值: HBM 4KV
SOIC-8
顶视图
S
S
S
G
D
D
D
D
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
A
B
最大
-30
±20
-15
-13.6
-60
3.1
2
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
26
50
14
最大
40
75
24
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4447
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250μA
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ,我
D
=-15A
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= -4V ,我
D
=-13A
正向跨导
V
DS
= -5V ,我
D
=-15A
I
S
=-1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
-1
-60
6.7
9.4
9.2
60
-0.69
-1
5.5
5500
V
GS
=0V, V
DS
= -15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
745
473
3.1
88.8
V
GS
=-10V, V
DS
=-15V,
15A
I
D
=-
45.2
10.1
19.4
12
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ,R
L
=1.7Ω,
R
=3Ω
I
F
= -15A ,的di / dt = 100A / μs的
I
F
= -15A ,的di / dt = 100A / μs的
2
-30
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
-1
-10
±10
-1.3
-1.6
8
12
12
μA
μA
V
A
S
V
A
pF
pF
pF
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
6600
4
120
60
Ω
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
g
( 4.5V )的栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
11.5
100
40
46.6
67.7
60
ns
nC
答: R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
10秒热阻率。
B:重复评级,脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
μs
脉冲占空比0.5 %以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
1.牧师2006年6月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4447
典型的电气和热特性
60
50
40
-I
D
(A)
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
12
归一化的导通电阻
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
温度(℃)
图4 :导通电阻与结温
V
GS
=-4V
I
D
=-13A
V
GS
=-2.5V
5
0
1
1.5
2
2.5
3
-V
GS
(伏)
图2 :传输特性
-3.5V
-10V
-3V
-4V
15
-I
D
(A)
10
25°C
25
V
DS
=-5V
20
125°C
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
10
V
GS
=-4V
V
GS
=-10V
I
D
=-15A
8
V
GS
=-10V
6
0
5
10
15
20
25
-I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和门
电压
30
25
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
20
-I
S
(A)
15
125°C
10
5
0
2
4
6
8
10
-V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
25°C
I
D
=-15A
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
125°C
25°C
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4447
典型的电气和热特性
10
V
DS
=-15V
I
D
=-15A
电容(pF)
8000
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
20
40
60
80
100
-Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
100.0
R
DS ( ON)
有限
10.0
-I
D
(安培)
100μs
1ms
功率(W)的
10ms
0.1s
1s
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
0.1
0.1
1
10
100
-V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=40°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
10s
DC
10μs
0
0
15
20
25
-V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
10
30
C
RSS
C
国际空间站
8
-V
GS
(伏)
6
4
C
OSS
2
100
80
60
40
20
0
0.001
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
1.0
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注E)
0.01
0.1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T
0.01
0.00001
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
万和兴电子有限公司www.whxpcb.com
AO4447
30V P沟道MOSFET
概述
该AO4447采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
和超低低栅极
费。此装置适合于用作负载
开关。该设备的ESD保护。
产品概述
V
DS
(V) = -30V
I
D
= -15 (V
GS
= -10V)
最大
DS ( ON)
< 7.5mΩ (V
GS
= -10V)
最大
DS ( ON)
< 12mΩ (V
GS
= -4V)
ESD额定值: HBM 4KV
100 % UIS测试
100 %通过Rg测试
SOIC-8
顶视图
D
D
D
D
底部视图
D
G
G
S
S
S
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
V
DS
漏源电压
最大
-30
±20
-15
-13.6
-60
40
240
3.1
2
-55到150
单位
V
V
A
A
mJ
W
°
C
栅源电压
连续漏极
AF
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
G
重复雪崩能量L = 0.3mH
T
A
=25°
C
功耗
A
T
A
=70°
C
G
B
V
GS
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
26
50
14
最大
40
75
24
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com
AO4447
万和兴电子有限公司www.whxpcb.com
电气特性(T
J
= 25℃除非另有说明)
C
参数
符号
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= -4V ,我
D
=-13A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= -5V ,我
D
=-15A
I
S
=-1A,V
GS
=0V
条件
I
D
= -250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
T
J
=55°
C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ,我
D
=-15A
C
T
J
=125°
-0.9
-60
6.7
9.4
9.2
60
-0.69
-1
5.5
5500
V
GS
=0V, V
DS
= -15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
745
473
3.1
88.8
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ,我
D
=-15A
45.2
10.1
19.4
12
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ,R
L
=1.7,
R
=3
I
F
= -15A ,的di / dt = 100A / μs的
2
-30
典型值
最大
单位
V
-1
-10
±10
-1.25
-1.6
7.5
12
12
A
A
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
6600
4
120
60
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
g
(4.5V)
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
栅极电荷
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -15A ,的di / dt = 100A / μs的
11.5
100
40
46.6
67.7
60
ns
nC
答: R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜,在静止空气环境与
T
A
= 25° ,在任何给定应用的值取决于用户的具体的电路板设计。
C.
B:重复评级,脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 %以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境与
T
A
= 25°上的SOA曲线提供了单个脉冲的评价。
C.
F.The电流额定值是基于吨
10秒热阻率。
G. EAR和IAR评级是基于低频率和占空比,使得TJ (开始) = 25℃,每个脉冲。
Rev7 : 2010年11月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com
AO4447
万和兴电子有限公司www.whxpcb.com
典型的电气和热特性
60
-10V
50
40
-I
D
(A)
30
20
25°C
10
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
12
归一化的导通电阻
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0
5
10
15
20
25
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
-I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和
栅极电压
温度(℃)
图4 :导通电阻与结
温度
V
GS
=-4V
I
D
=-13A
V
GS
=-2.5V
5
-3.5V
-3V
-4V
15
-I
D
(A)
20
125°C
25
V
DS
=-5V
10
0
1
1.5
2
2.5
3
-V
GS
(伏)
图2 :传输特性
R
DS ( ON)
(m
)
10
V
GS
=-4V
V
GS
=-10V
I
D
=-15A
8
V
GS
=-10V
6
30
25
R
DS ( ON)
(m
)
20
-I
S
(A)
15
10
5
0
2
4
6
8
10
-V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
25°C
1.0E+01
I
D
=-15A
1.0E+00
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
125°C
125°C
25°C
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com
AO4447
万和兴电子有限公司www.whxpcb.com
典型的电气和热特性
10
V
DS
=-15V
I
D
=-15A
电容(pF)
8000
7000
C
国际空间站
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
60
80
-Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
20
40
100
0
0
15
20
25
-V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
10
30
C
RSS
8
-V
GS
(伏)
6
4
C
OSS
2
100.0
10s
R
DS ( ON)
有限
10.0
-I
D
(安培)
100s
1ms
100
80
功率(W)的
60
40
20
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
10ms
0.1s
1s
1.0
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
0.1
0.1
10s
DC
10
-V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
1
100
0
0.001
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注E)
0.01
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=40°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
0.1
P
D
T
on
T
0.01
0.00001
单脉冲
0.0001
0.1
1
10
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗
0.001
0.01
100
1000
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com
AO4447
30V P沟道MOSFET
概述
该AO4447采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
和超低低栅极
费。此装置适合于用作负载
开关。该设备的ESD保护。
产品概述
V
DS
(V) = -30V
I
D
= -15 (V
GS
= -10V)
最大
DS ( ON)
< 7.5mΩ (V
GS
= -10V)
最大
DS ( ON)
< 12mΩ (V
GS
= -4V)
ESD额定值: HBM 4KV
100 % UIS测试
100 %通过Rg测试
SOIC-8
顶视图
D
D
D
D
底部视图
D
G
G
S
S
S
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
V
DS
漏源电压
栅源电压
连续漏极
当前
AF
漏电流脉冲
雪崩电流
G
B
最大
-30
±20
-15
-13.6
-60
40
240
3.1
2
-55到150
单位
V
V
A
A
mJ
W
°
C
V
GS
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
重复雪崩能量L = 0.3mH
G
T
A
=25°
C
功耗
A
T
A
=70°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
A
最大结点到环境
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
26
50
14
最大
40
75
24
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com
AO4447
电气特性(T
J
= 25℃除非另有说明)
C
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= -4V ,我
D
=-13A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= -5V ,我
D
=-15A
I
S
=-1A,V
GS
=0V
条件
I
D
= -250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
T
J
=55°
C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ,我
D
=-15A
C
T
J
=125°
-0.9
-60
6.7
9.4
9.2
60
-0.69
-1
5.5
5500
V
GS
=0V, V
DS
= -15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
745
473
3.1
88.8
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ,我
D
=-15A
45.2
10.1
19.4
12
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ,R
L
=1.7,
R
=3
I
F
= -15A ,的di / dt = 100A / μs的
2
-30
典型值
最大
单位
V
-1
-10
±10
-1.25
-1.6
7.5
12
12
A
A
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
6600
4
120
60
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
g
(4.5V)
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
栅极电荷
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -15A ,的di / dt = 100A / μs的
11.5
100
40
46.6
67.7
60
ns
nC
答: R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜,在静止空气环境与
C.
T
A
= 25° ,在任何给定应用的值取决于用户的具体的电路板设计。
B:重复评级,脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 %以下。
2
E.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜,在静止空气环境与
C.
T
A
= 25°上的SOA曲线提供了单个脉冲的评价。
F.The电流额定值是基于吨
10秒热阻率。
G. EAR和IAR评级是基于低频率和占空比,使得TJ (开始) = 25℃,每个脉冲。
Rev7 : 2010年11月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com
AO4447
典型的电气和热特性
60
-10V
50
40
-I
D
(A)
30
20
25°C
10
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
12
归一化的导通电阻
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0
5
10
15
20
25
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
-I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和
栅极电压
温度(℃)
图4 :导通电阻与结
温度
V
GS
=-4V
I
D
=-13A
V
GS
=-2.5V
5
-3.5V
-3V
-4V
15
-I
D
(A)
20
125°C
25
V
DS
=-5V
10
0
1
1.5
2
2.5
3
-V
GS
(伏)
图2 :传输特性
R
DS ( ON)
(m
)
10
V
GS
=-4V
V
GS
=-10V
I
D
=-15A
8
V
GS
=-10V
6
30
25
R
DS ( ON)
(m
)
20
-I
S
(A)
15
10
5
0
2
4
6
8
10
-V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
25°C
I
D
=-15A
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
125°C
125°C
25°C
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com
AO4447
典型的电气和热特性
10
V
DS
=-15V
I
D
=-15A
电容(pF)
8000
7000
C
国际空间站
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
60
80
-Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
20
40
100
0
0
15
20
25
-V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
10
30
C
RSS
8
-V
GS
(伏)
6
4
C
OSS
2
100.0
10s
R
DS ( ON)
有限
10.0
-I
D
(安培)
100s
1ms
功率(W)的
10ms
0.1s
1s
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
0.1
0.1
10
-V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
1
100
10s
DC
100
80
60
40
20
0
0.001
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
1.0
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注E)
0.01
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=40°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
0.1
P
D
T
on
单脉冲
0.0001
0.1
1
10
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗
0.001
0.01
100
1000
T
0.01
0.00001
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com
查看更多AO4447PDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AO4447
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004385547 复制 点击这里给我发消息 QQ:1950791264 复制

电话:0755-83222787/23999932
联系人:林小姐 胡先生 张先生
地址:深圳市华强北赛格科技园3栋东座10楼A2
AO4447
AOS
24+
9518
SOIC-8
全新原装现货,欢迎询购!!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004264855 复制

电话:075582788161
联系人:王小姐
地址:深圳市华强北世纪汇都会轩4507
AO4447
AOS/万代
24+
30000
优质供应商,代理功率器件
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1294342618 复制 点击这里给我发消息 QQ:2765319833 复制 点击这里给我发消息 QQ:1363272801 复制

电话:13528893675
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋5楼B01室。 香港特別行政區中环皇后大道中5號衡怡大厦2432室
AO4447
AOSMD
22+
5000
SOP-8
13528893675¥/片,大量原装库存长期供应欢迎实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1871955283 复制 点击这里给我发消息 QQ:2942939487 复制

电话:0755-83226745/82584980
联系人:马小姐
地址:福田区振华路深纺大厦A座1708室
AO4447
AOSMD
21+
29
SOP8
只做原装正品,提供一站式BOM配单服务
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881936556 复制 点击这里给我发消息 QQ:1838629145 复制 点击这里给我发消息 QQ:1366534167 复制

电话:0755-88917652分机801-83200050
联系人:柯
地址:深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
AO4447
AOS
1925+
9852
SOP-8
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ:316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ:1298863740 复制 点击这里给我发消息 QQ:932480677 复制

电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
AO4447
AOS/万代
2403+
6709
SOP8
原装现货假一赔十
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1965785011 复制

电话:0755-23919407
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518
AO4447
AO
17+
4550
SOP-8
进口全新原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885742022 复制
电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
AO4447
AO
2018+
99000
SOP-8
全新原装15818663367
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
AO4447
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
24+
10000
8-SOIC
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
AO4447
AOS/万代
2443+
23000
SOP-8
一级代理专营,原装现货,价格优势
查询更多AO4447供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!