AO4444
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
该AO4444采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
，体二极管的特性
和超低栅极电阻。此装置是理想
适合用作在12V的降压低侧开关
转换器。
标准产品AO4444是Pb-free
（符合ROHS &索尼259规格） 。 AO4444L
是一种绿色产品订购选项。 AO4444和
AO4444L是电相同。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 20A （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 5.5mΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 7.5mΩ （V
GS
= 4.5V)
D
S
S
S
G
D
D
D
D
G
S
SOIC-8
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
B
最大
30
±20
20
17
80
3
2.1
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
31
59
16
最大
40
75
24
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4444
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=15A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
1
60
3.9
5.1
5.1
106
0.72
1
4
3200
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
590
414
0.54
63
V
GS
=4.5V, V
DS
= 15V ，我
D
=20A
33
8.6
17.6
12
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.75,
R
根
=3
I
F
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的
15.5
40
14
34
30
41
0.7
76
40
3840
5.5
6.2
7.5
1.8
民
30
1
5
100
3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在该值
任何给定的应用程序依赖于用户的特定电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在SOA曲线
提供了单一的脉冲等级。
版本1 ： 2005年6月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4444
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
70
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
5000
V
DS
=15V
I
D
=20A
电容（pF）
4000
C
国际空间站
3000
2000
C
OSS
1000
C
RSS
0
0
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
100.0
R
DS （ ON）
有限
10ms
I
D
（安培）
10.0
0.1s
1s
10s
1.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
DC
100s
1ms
功率（W）的
10s
100
80
60
40
20
0
0.001
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注F）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=40°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
10
100
1000
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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N沟道增强型网络场效晶体管
概述
该AO4444采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
，体二极管的特性
和超低栅极电阻。此装置是理想
适合用作在12V的降压低侧开关
转换器。
标准产品AO4444是Pb-free
（符合ROHS &索尼259规格） 。 AO4444L
是一种绿色产品订购选项。 AO4444和
AO4444L是电相同。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 20A （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 5.5mΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 7.5mΩ （V
GS
= 4.5V)
D
S
S
S
G
D
D
D
D
G
S
SOIC-8
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
B
最大
30
±20
20
17
80
3
2.1
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
31
59
16
最大
40
75
24
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4444
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=15A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
1
60
3.9
5.1
5.1
106
0.72
1
4
3200
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
590
414
0.54
63
V
GS
=4.5V, V
DS
= 15V ，我
D
=20A
33
8.6
17.6
12
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.75,
R
根
=3
I
F
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的
15.5
40
14
34
30
41
0.7
76
40
3840
5.5
6.2
7.5
1.8
民
30
1
5
100
3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在该值
任何给定的应用程序依赖于用户的特定电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在SOA曲线
提供了单一的脉冲等级。
版本1 ： 2005年6月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4444
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
70
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
5000
V
DS
=15V
I
D
=20A
电容（pF）
4000
C
国际空间站
3000
2000
C
OSS
1000
C
RSS
0
0
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
100.0
R
DS （ ON）
有限
10ms
I
D
（安培）
10.0
0.1s
1s
10s
1.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
DC
100s
1ms
功率（W）的
10s
100
80
60
40
20
0
0.001
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注F）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=40°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
10
100
1000
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
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