AO4407
P沟道增强型场效应晶体管
概述
该AO4407采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
和超低低栅极
充电用25V的栅极评级。此装置适用于
用作负载开关或PWM应用。
标准产品AO4407是Pb-free （符合ROHS
&索尼259规格） 。 AO4407L是绿色
产品订购选项。 AO4407和AO4407L是
电相同。
特点
V
DS
(V) = -30V
I
D
= -12 （V
GS
= -20V)
R
DS （ ON）
< 13mΩ （V
GS
= -20V)
R
DS （ ON）
< 14mΩ （V
GS
= -10V)
SOIC-8
顶视图
S
S
S
G
D
D
D
D
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
A
B
最大
-30
±25
-12
-10
-60
3
2.1
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
28
54
21
最大
40
75
30
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4407
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±25V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=-10A
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= -20V ，我
D
=-10A
-1.7
60
11
15
10
24
26
-0.72
14
19
13
-2.5
民
-30
-1
-5
±100
-3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
m
-1
-4.2
2076
503
302
2
37.2
7
10.4
12.4
8.2
25.6
12
33
23
2500
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
40
ns
nC
g
FS
V
SD
I
S
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-10A
正向跨导
V
DS
= -5V ，我
D
=-10A
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
R
g
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D（上）
开启DelayTime
t
r
开启上升时间
t
D（关闭）
关断DelayTime
t
f
关断下降时间
t
rr
体二极管反向恢复时间
Q
rr
体二极管反向恢复电荷
V
GS
=0V, V
DS
= -15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
3
45
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，我
D
=-12A
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，R
L
=1.25,
R
根
=3
I
F
= -12A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= -12A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻
投资评级。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
2
E.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
版本1 ： 2005年9月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4407
典型的电气和热特性
10
8
-V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
-Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
3000
V
DS
=-15V
I
D
=-12A
电容（pF）
2500
2000
1500
C
OSS
1000
500
0
0
5
10
15
20
25
30
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
C
RSS
C
国际空间站
100.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
40
100s
1ms
10ms
0.1s
功率（W）的
10s
30
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
-I
D
（安培）
R
DS （ ON）
10.0有限
20
1.0
1s
10s
DC
10
0.1
0.1
1
-V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=40°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4407
P沟道增强型场效应晶体管
概述
该AO4407采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
和超低低栅极
充电用25V的栅极评级。此装置适用于
用作负载开关或PWM应用。
标准产品AO4407是Pb-free （符合ROHS
&索尼259规格） 。 AO4407L是绿色
产品订购选项。 AO4407和AO4407L是
电相同。
特点
V
DS
(V) = -30V
I
D
= -12 （V
GS
= -20V)
R
DS （ ON）
< 13mΩ （V
GS
= -20V)
R
DS （ ON）
< 14mΩ （V
GS
= -10V)
SOIC-8
顶视图
S
S
S
G
D
D
D
D
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
A
B
最大
-30
±25
-12
-10
-60
3
2.1
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
28
54
21
最大
40
75
30
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4407
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±25V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=-10A
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= -20V ，我
D
=-10A
-1.7
60
11
15
10
24
26
-0.72
14
19
13
-2.5
民
-30
-1
-5
±100
-3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
m
-1
-4.2
2076
503
302
2
37.2
7
10.4
12.4
8.2
25.6
12
33
23
2500
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
40
ns
nC
g
FS
V
SD
I
S
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-10A
正向跨导
V
DS
= -5V ，我
D
=-10A
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
R
g
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D（上）
开启DelayTime
t
r
开启上升时间
t
D（关闭）
关断DelayTime
t
f
关断下降时间
t
rr
体二极管反向恢复时间
Q
rr
体二极管反向恢复电荷
V
GS
=0V, V
DS
= -15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
3
45
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，我
D
=-12A
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，R
L
=1.25,
R
根
=3
I
F
= -12A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= -12A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻
投资评级。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
2
E.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
版本1 ： 2005年9月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4407
典型的电气和热特性
10
8
-V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
-Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
3000
V
DS
=-15V
I
D
=-12A
电容（pF）
2500
2000
1500
C
OSS
1000
500
0
0
5
10
15
20
25
30
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
C
RSS
C
国际空间站
100.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
40
100s
1ms
10ms
0.1s
功率（W）的
10s
30
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
-I
D
（安培）
R
DS （ ON）
10.0有限
20
1.0
1s
10s
DC
10
0.1
0.1
1
-V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=40°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4407
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
= ±25V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -20V ，我
D
=-12A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
V
GS
= -10V ，我
D
=-12A
T
J
=125°
C
V
GS
= -5V ，我
D
=-7A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= -5V ，我
D
=-10.5A
I
S
=-1A,V
GS
=0V
-1.7
-60
8.5
10
12
19
27
-0.72
-1
-4
2060
V
GS
=0V, V
DS
= -15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
1.2
24
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，我
D
=-12A
370
295
2.4
30
4.6
10
11
V
GS
=-10V, V
DS
=-15V,
R
L
=1.25, R
根
=3
I
F
= -12A ，的di / dt = 100A / μs的
1in
2
民
-30
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
-1
-5
±100
-2.25
-2.8
13
14
19
30
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
最大体二极管连续电流
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
2600
3.6
36
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -12A ，的di / dt = 100A / μs的
9.4
24
12
30
22
40
ns
nC
的R A的值
θJA
测与该设备安装在
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持
initialT
J
=25°C.
D.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻抗
2
FR- 4板
2盎司铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
启13 ： 2010年7月
www.aosmd.com
页2的5
AO4407
典型的电气和热特性
10
V
DS
=-15V
I
D
=-12A
8
电容（pF）
3000
2500
C
国际空间站
2000
1500
1000
C
OSS
500
0
0
15
20
25
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
5
10
30
0
C
RSS
10
15
20
25
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
30
-V
GS
（伏）
6
4
2
0
1000.0
10000
T
A
=25°C
100.0
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
功率（W）的
10s
100s
1ms
10ms
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
1000
10.0
100
1.0
10
10s
DC
1
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
0.00001
0.001
0.1
10
1000
图10 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=75°C/W
脉冲宽度（S ）
图11 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注F）
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
P
D
T
on
T
100
1000
10
脉冲宽度（S ）
图12 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
启13 ： 2010年7月
www.aosmd.com
第4 5
飞思卡尔
AO4407/MC4407A
规格（T
A
= 25
o
C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
A
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
A
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= -250微安
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250微安
V
DS
= 0 V, V
GS
= ±25 V
范围
单位
最小典型最大
-30
-1
±100
o
V
nA
uA
A
13
19.0
29
-0.8
25
11
17
2300
600
300
15
nC
m
S
V
V
DS
= -24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= -24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 C
-1
-5
-50
V
DS
= -5 V, V
GS
= -10 V
V
GS
= -10 V，I
D
= -11.5 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -9.3 A
V
DS
= -15 V，I
D
= -11.5 A
I
S
= 2.5 A，V
GS
= 0 V
漏源导通电阻
转发Tranconductance
二极管的正向电压
A
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
V
DS
= -15 V, V
GS
= -5 V,
I
D
= -11.5 A
V
DS
=-15V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
pF
V
DD
= -15 V ，R
L
= 6
,
= -1 ， VGEN = -10 V
I
D
13
100
54
nS
笔记
a.
脉冲测试： PW < = 300US占空比< = 2 ％ 。
b.
通过设计保证，不受生产测试。
保留随时更改而不另行诺蒂奇这里的任何产品的权利。飞思卡尔不作任何保证，声明
飞思卡尔
或有关的保证其产品适用于任何特定的目的，也不得doesfreescale假设应用程序所产生的任何法律责任OU T或
使用任何产品或电路，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带
损害赔偿。可在飞思卡尔的数据表和/或规格提供“典型”参数可以做不同在不同的应用和
实际性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的应用程序通过验证
客户的技术专家。 freescaleL不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。飞思卡尔的产品不是设计，
意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或用于支持其他应用程序或
维持生命，或任何其他应用程序在飞思卡尔产品的故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。
如果买方购买或使用飞思卡尔的产品用于任何uninte nded或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有飞思卡尔及其
管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师
即使这样产生出来的，直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，费用
索赔称，有关部分的设计或M anufacture飞思卡尔是疏忽。飞思卡尔是一个机会均等/肯定行动雇主。
2
www.freescale.net.cn
飞思卡尔
AO4407/MC4407A
典型电气特性（ P沟道）
-5 0
4 V直通1 0 V
-4 0
-3 0
-2 0
-1 0
0
0
-1
-2
-3
3 .5 V
3V
2 .5 V
VDS - 德拉到S 0 URC ê武LTA GE （ V）
图1.区域特征
1.6
1.5
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压
0.05
归一化的RDS（on ）
1.4
1.3
V
S
=10V
G
I
D
=11.5A
0.04
RDS （ ON）
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.03
I
D
=11.5a
0.02
0.01
0
0
2
4
6
8
10
T
J
- 结温（ ° C）
图3.导通电阻随温度的变化
V的S - 摹至S
G
吃
环境允许的V
oltage （V
)
图4.导通电阻与栅极至源极电压
100
-50
25C
我 - 漏电流（ A）
-40
-55C
-30
-20
IS - 源电流（ A）
125C
10
TJ = 150℃
TJ = 25°C
1
-10
0
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
-1
-2
-3
-4
-5
VSD - 源极到漏极电流（ V）
V
GS
- 栅极至源极电压（ V）
图5.传输特性
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度
3
www.freescale.net.cn
飞思卡尔
AO4407/MC4407A
典型电气特性（ P沟道）
10
V
GS
门源电压（ V）
4000
Capacit ANCE （PF ）
8
6
4
2
0
0
V
DS
= 10V
3000
西塞
2000
CRSS
1000
科斯
10
20
30
40
50
0
0
-5
-1 0
-1 5
-2 0
Q
GS
，T otal栅极电荷（ NC）
图7.栅极电荷特性
0.8
V
DS
(V)
图8.电容特性
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0.01
方差（ V）
0.6
0.4
0.2
0
-0.2
-0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125 150
V
T
J
- Juncation牛逼emperature （ C ）
图9.最高安全工作区
功率（W）的
0.1
1
10
100
1000
脉冲牛逼IME （ S）
图10.单脉冲最大功率耗散
归热瞬态结到环境
1
0.5
0.2
P
DM
0.1
0.1
0.05
0.02
t1
t2
1.职务Cycal D = T1 / T2
2.每单位基础
θ
J A
=70C/W
3. T
J·M
- T
A
= P
DM
Z
θ
jc
4.安装表面雾面
单脉冲
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
方波脉冲持续时间（ S）
图11.瞬态热响应曲线
4
www.freescale.net.cn
QQ：2881677436 复制
