AO4404
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=8.5A
T
J
=125°C
0.7
40
1
20.5
30
25
40
16
0.71
民
30
1
5
100
1.4
24
36
30
48
1
4.3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
V
GS
= 4.5V ，我
D
=8.5A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=5A
V
DS
= 5V ，我
D
=5A
正向跨导
I
S
=1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
10
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
反向传输电容
C
RSS
栅极电阻
R
g
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D（上）
开启DelayTime
t
r
开启上升时间
t
D（关闭）
关断DelayTime
t
f
关断下降时间
t
rr
体二极管反向恢复时间
Q
rr
体二极管反向恢复电荷
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
857
97
71
1.4
9.7
1.63
3.1
14
4
33
5
15
8.6
V
GS
=4.5V, V
DS
= 15V ，我
D
=8.5A
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=1.8,
R
根
=6
I
F
= 5A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 5A ，的di / dt = 100A / μs的
2
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。值
在任何一个给定的应用程序依赖于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
2
E.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4404
典型的电气和热特性
5
4
V
GS
（伏）
3
2
1
200
0
0
2
4
6
8
10
12
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
V
DS
=15V
I
D
=8.5A
电容（pF）
1400
1200
1000
800
600
400
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
100.0
R
DS （ ON）
有限
10.0
I
D
（安培）
100s
1ms
功率（W）的
10ms
0.1s
1.0
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
50
40
30
20
10
0
0.001
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=40°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
ALPHA & OMEGA
半导体公司
SO - 8封装的数据
单位：毫米
符号
尺寸以英寸
A
A1
A2
b
c
D
E1
e
E
h
L
aaa
θ
θ
民
1.45
0.00
0.33
0.19
4.80
3.80
5.80
0.25
0.40
0°
喃
1.50
1.45
1.27 BSC
最大
1.55
0.10
0.51
0.25
5.00
4.00
6.20
0.50
1.27
0.10
8°
民
0.057
0.000
0.013
0.007
0.189
0.150
0.228
0.010
0.016
0°
喃
0.059
0.057
0.050 BSC
最大
0.061
0.004
0.020
0.010
0.197
0.157
0.244
0.020
0.050
0.004
8°
注意：
1.无铅封装： 150微英寸（ 3.8微米） MIN 。
40μm的锡/铅（焊锡）镀在LEAD
2.公差±
0.10毫米（ 4密耳），除非另有
特定网络版
3.共面性： 0.10毫米
4.尺寸L是衡量GAGE平面
包装标记说明
推荐地格局
注意：
LOGO - AOS LOGO
4404
- 器件编码。
F
- FAB位置
A
- 装配位置
Y
- 年份代码
W
- 星期代码。
LN
- 大会批号
SO- 8 PART NO 。 CODE
单位：mm
产品型号
AO4404
CODE
4404
REV 。一
AO4404
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=8.5A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= 4.5V ，我
D
=8.5A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=5A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=5A
10
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
0.7
40
20.5
30
25
40
16
0.71
1
4.3
857
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
0.7
97
71
1.4
9.7
V
GS
=4.5V, V
DS
= 15V ，我
D
=8.5A
1.63
3.1
3.3
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=1.8,
R
根
=6
I
F
= 5A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 5A ，的di / dt = 100A / μs的
4.7
26
4.1
15
8.6
5
7
39
6.2
20
12
100
2
12
1050
24
36
30
48
1
民
30
1
5
100
1.4
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸2 FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境与
T
A
= 25°C 。在任何给定应用程序中的值取决于用户的具体的电路板设计。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1 2 FR-4板2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T = 25 ℃。国家海洋局
A
曲线提供了单个脉冲的评价。
F.目前的等级是根据在T 10S结到环境的热阻率。
≤
Rev10 ： 2008年5月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com
AO4404
典型的电气和热特性
30
25
20
I
D
(A)
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
60
50
R
DS （ ON）
(m
)
40
30
20
V
GS
=10V
10
0
5
10
15
20
I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压
100
90
80
R
DS （ ON）
(m
)
70
60
50
125°C
I
S
(A)
I
D
=5A
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
归一化的导通电阻
1.8
1.6
V
GS
=4.5V
1.4
1.2
1
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结
温度
V
GS
=10V
V
GS
=2.5V
10V
20
3V
4.5V
2.5V
12
I
D
(A)
8
2V
4
V
GS
=1.5V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
125°C
25°C
16
V
DS
=5V
V
GS
=2.5V
V
GS
=4.5V
125°C
25°C
40
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
1.0E-04
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
30
25°C
1.0E-05
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
20
性能和可靠性，恕不另行通知。
1.0E-06
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
GS
（伏）
图5 ：导通电阻与栅源电压
V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的性能
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AO4404
典型的电气和热特性
5
4
V
GS
（伏）
3
2
1
200
0
0
2
4
6
8
10
12
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
1400
V
DS
=15V
I
D
=8.5A
电容（pF）
1200
1000
C
国际空间站
800
600
400
C
RSS
C
OSS
100.0
R
DS （ ON）
有限
I
D
（安培）
10.0
100s
1ms
功率（W）的
10ms
0.1s
1.0
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
50
40
30
20
10
0
0.001
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=40°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
P
D
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
0.1
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
T
on
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
T
单脉冲
性能和可靠性，恕不另行通知。
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
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QQ：2880707522 复制
