AO3435
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-20V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±8V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-3.5A
T
J
=125°C
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-3.0A
V
GS
= -1.8V ，我
D
=-2.0A
V
GS
= -1.5V ，我
D
=-0.5A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= -5V ，我
D
=-3.5A
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
-0.5
-25
56
80
70
85
100
15
-0.7
-1
-1.4
560
V
GS
=0V, V
DS
= -10V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
80
70
15
8.5
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ，我
D
=-3.5A
1.2
2.1
7.2
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ，R
L
=3,
R
根
=6
I
F
= -3.5A ，的di / dt = 100A / μs的
2
民
-20
典型值
最大
单位
V
-1
-5
±100
-0.65
-1
70
100
90
110
130
A
nA
V
A
m
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
745
23
11
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
36
53
56
37
27
49
体二极管反向恢复电荷我
F
= -3.5A ，的di / dt = 100A / μs的
ns
nC
答： R的值
θJA
测量其上安装有1 FR-4板用2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。值
在任何给定的应用程序依赖于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤10s
热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
D.在附图中的静态特性16使用300μS脉冲宽度，占空比0.5％以下，获得。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
12
曲线提供了单个脉冲的评价。
REV0 ： 2008年4月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO3435
典型的电气和热特性
5
4
-V
GS
（伏）
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
=-10V
I
D
=-3.5A
电容（pF）
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
C
RSS
5
10
15
20
C
OSS
C
国际空间站
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
100.00
R
DS （ ON）
有限
1000
10s
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10.00
100
功率（W）的
-I
D
（安培）
100
1ms
10ms
0.1s
1.00
10
0.10
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.01
0.1
1
10
DC
1s
1
100
0.1
0.00001
0.001
0.1
10
1000
-V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=90°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
12
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
on
T
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注五）
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO3435
20V P沟道MOSFET
概述
该AO3435采用先进的沟槽技术，提供优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和
操作与栅极电压低至1.5V 。此装置适用于在降压转换器的使用
应用程序。
特点
V
DS
= -20V
I
D
= -3.5A
R
DS （ ON）
< 70mΩ
R
DS （ ON）
< 90mΩ
R
DS （ ON）
< 110mΩ
R
DS （ ON）
< 130mΩ
(V
GS
= -4.5V)
(V
GS
=- 4.5V)
(V
GS
= -2.5V)
(V
GS
= -1.8V)
(V
GS
= -1.5V)
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
符号
10秒
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
A
B
稳定状态
-20
±8
-2.9
-2.3
-25
1
0.6
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=25°
C
C
T
A
=70°
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
1.4
0.9
-3.5
-2.7
W
°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
t
≤
10s
最大结点到环境
A
稳态
稳态
最大结对铅
C
-55到150
符号
R
θJA
R
θJL
典型值
70
100
63
最大
90
125
80
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/4
www.freescale.net.cn
AO3435
20V P沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-20V, V
GS
=0V
T
J
=55°
C
V
DS
=0V, V
GS
=±8V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-3.5A
T
J
=125°
C
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-3.0A
V
GS
= -1.8V ，我
D
=-2.0A
V
GS
= -1.5V ，我
D
=-0.5A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= -5V ，我
D
=-3.5A
I
S
=-1A,V
GS
=0V
-0.5
-25
56
80
70
85
100
15
-0.7
-1
-1.4
560
V
GS
=0V, V
DS
= -10V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
80
70
15
8.5
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ，我
D
=-3.5A
1.2
2.1
7.2
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ，R
L
=3,
R
根
=6
I
F
= -3.5A ，的di / dt = 100A / μs的
2
民
-20
典型值
最大
单位
V
-1
-5
±100
-0.65
-1
70
100
90
110
130
A
nA
V
A
m
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
745
23
11
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
切换参数
总栅极电荷
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -3.5A ，的di / dt = 100A / μs的
36
53
56
37
27
49
ns
nC
答： R的值
θJA
测量其上安装有1 FR-4板用2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°的
C.
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤10s
热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
D.在附图中的静态特性16使用300μS脉冲宽度，占空比0.5％以下，获得。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
曲线提供了单个脉冲的评价。
REV1 ： 2010年11月
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°上的SOA
C.
12
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
2/4
www.freescale.net.cn
AO3435
20V P沟道MOSFET
典型的电气和热特性
5
V
DS
=-10V
I
D
=-3.5A
电容（pF）
1400
1200
1000
800
C
国际空间站
600
400
C
OSS
200
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
C
RSS
0
0
5
10
15
20
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
4
-V
GS
（伏）
3
2
1
100.00
1000
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10s
10.00
R
DS （ ON）
有限
100
功率（W）的
-I
D
（安培）
100
1ms
10ms
0.1s
1.00
10
0.10
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.01
0.1
1
10
DC
1s
1
100
0.1
0.00001
0.001
0.1
10
1000
-V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值Junction-
到环境（注E）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=90°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
12
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T
on
T
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注五）
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