AO3434
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±16V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=4.2A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=2A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=4.2A
I
S
=1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
1
30
43
58
59
8.5
0.77
1
1.8
269
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
65
41
1
5.7
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=4.2A
3
1.37
0.65
2.6
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=3.6,
R
根
=3
I
F
= 4.2A ，的di / dt = 100A / μs的
5.5
15.2
3.7
15.5
7.1
3.8
8
23
5.5
21
1.5
7.2
340
52
74
75
1.32
民
30
1
5
10
1.8
典型值
最大
单位
V
A
uA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 4.2A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
F.The电流额定值是基于t≤10s热阻率。
REV0 ： 2007年3月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com
AO3434
典型的电气和热特性
30
10V
25
20
I
D
(A)
15
10
5
V
GS
=3V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
80
70
R
DS （ ON）
(m
)
60
50
40
30
0
5
10
15
20
I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压
102
90
78
66
I
D
=4.2A
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
I
S
(A)
1.0E-02
125°C
25°C
归一化的导通电阻
V
GS
=4.5V
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结
温度
V
GS
=4.5V
Id=3.5A
V
GS
=10V
Id=4.2A
0
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
8V
6V
4.5V
I
D
(A)
4V
3.5V
15
12
9
6
125°C
3
25°C
V
DS
=5V
V
GS
=10V
125°C
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
1.0E-03
54
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类APPLICATIONS25度及其产品的现象。 AOS保留改进产品设计的权利，
OR
1.0E-04
42
性能和可靠性，恕不另行通知。
30
2
4
6
8
10
V
GS
（伏）
图5 ：导通电阻与栅源电压
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的性能
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
R
DS （ ON）
(m
)
www.aosmd.com
AO3434
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
=15V
I
D
=4.2A
500
400
电容（pF）
C
国际空间站
300
200
C
OSS
100
0
0
C
RSS
5
10
15
20
25
30
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
100.0
10s
10.0
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
100
1m
10ms
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.1
DC
0.1s
10s
30
25
功率（W）的
20
15
10
5
0
0.001
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
1.0
0.1
0.0
0.01
1
V
DS
（伏）
10
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=125°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOSP
D
不承担任何责任ARISIG
0.1
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
T
on
性能和可靠性，恕不另行通知。
T
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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AO3434
30V N沟道MOSFET
概述
该AO3434采用先进的沟槽技术，提供优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。
这个装置是适合于用作负载开关或PWM应用。这是ESD保护。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 4.2A
R
DS （ ON）
< 52mΩ
R
DS （ ON）
< 75mΩ
ESD保护
(V
GS
= 10V)
(V
GS
= 10V)
(V
GS
= 4.5V)
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏极
当前
A，F
漏电流脉冲
B
C
T
A
=25°
功耗
C
T
A
=70°
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结对铅
C
A
A
符号10秒
V
DS
V
GS
4.2
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
1.4
0.9
3.3
最大
稳态
30
±20
3.5
2.8
30
1.0
0.64
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
W
°
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
70
100
63
最大
90
125
80
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/4
www.freescale.net.cn
AO3434
30V N沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
T
J
=55°
C
V
DS
=0V, V
GS
= ±16V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=4.2A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=2A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=4.2A
I
S
=1A,V
GS
=0V
T
J
=125°
C
1
30
43
58
59
8.5
0.77
1
1.8
269
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
65
41
1
5.7
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=4.2A
3
1.37
0.65
2.6
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=3.6,
R
根
=3
I
F
= 4.2A ，的di / dt = 100A / μs的
5.5
15.2
3.7
15.5
7.1
3.8
8
23
5.5
21
1.5
7.2
340
52
74
75
1.32
民
30
1
5
10
1.8
典型值
最大
单位
V
A
uA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 4.2A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°的
C.
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°上的SOA
C.
曲线提供了单个脉冲的评价。
F.The电流额定值是基于t≤10s热阻率。
REV3 ：十一月2010
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
2/4
www.freescale.net.cn
AO3434
30V N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
30
10V
25
20
I
D
(A)
15
10
5
V
GS
=3V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
80
70
R
DS （ ON）
(m
)
60
50
40
V
GS
=10V
30
0
5
10
15
20
I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压
归一化的导通电阻
V
GS
=4.5V
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结
温度
V
GS
=4.5V
Id=3.5A
V
GS
=10V
Id=4.2A
0
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
8V
6V
4.5V
9
4V
3.5V
I
D
(A)
12
V
DS
=5V
15
6
125°C
3
25°C
102
I
D
=4.2A
90
78
66
125°C
I
S
(A)
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
1.0E-02
125°C
25°C
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
1.0E-03
54
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类APPLICATIONS25 ℃，使用它的产品。 AOS保留改进产品设计的权利，
OR
1.0E-04
42和可靠性，恕不另行通知。
功能
30
2
4
6
8
10
V
GS
（伏）
图5 ：导通电阻与栅源电压
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的性能
3/4
R
DS （ ON）
(m
)
www.freescale.net.cn
AO3434
30V N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
=15V
I
D
=4.2A
电容（pF）
500
400
C
国际空间站
300
200
C
OSS
100
C
RSS
0
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
0
100.0
10s
10.0
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
100
1m
10ms
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
DC
0.1s
10s
30
25
功率（W）的
20
15
10
5
0
0.001
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
1.0
0.1
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
0.01
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=125°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
P
D
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
0.1
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
T
on
性能和可靠性，恕不另行通知。
T
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
4/4
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