AO3424
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
该AO3424采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
，极低的栅极电荷和
操作与栅极电压低至2.5V 。这
装置适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。
标准产品AO3424是Pb-free
（符合ROHS &索尼259规格） 。 AO3424L
是一种绿色产品订购选项。 AO3424和
AO3424L是电相同。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 2 A
(V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 80mΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 95mΩ （V
GS
= 4.5V)
R
DS （ ON）
< 157mΩ （V
GS
= 2.5V)
TO-236
(SOT-23)
顶视图
G
D
S
G
D
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
A
B
最大
30
±12
2
2
8
1.4
0.9
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
F
F
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结对铅
C
符号
A
A
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
70
100
63
最大
90
125
80
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO3424
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=2A
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= 4.5V ，我
D
=2A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=1A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=2A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
1
8
67
97
76
121
11.7
0.8
1
1.8
226
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
39
29
1.4
2.6
V
GS
=4.5V, V
DS
= 15V ，我
D
=2A
1.3
0.5
2.6
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=7.5,
R
根
=6
I
F
= 2A ，的di / dt = 100A / μs的
3.2
14.5
2.1
10.2
3.8
4
5
22
3
13
5
1.7
3.2
270
80
116
95
157
1.45
民
30
典型值
37
0.001
1
5
100
1.8
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 2A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻
投资评级。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
曲线提供了单个脉冲的评价。
F.最大电流等级债券的电线是有限的。
冯0 ： 2006年3月
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO3424
典型的电气和热特性
5
V
DS
=15V
I
D
=2A
电容（pF）
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
2
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
1
3
0
0
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
4
V
GS
（伏）
3
2
1
10.0
R
DS （ ON）
有限
I
D
（安培）
1s
1.0
10s
1ms
10ms
DC
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
0.1s
10s
100s
功率（W）的
270
20
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
1.7
3.6
15
10
5
0
0.001
13
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=90°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
0.001
0.01
100
1000
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO3424
30V N沟道MOSFET
概述
该AO3424采用先进的沟槽技术，提供优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和操作门
电压低至2.5V 。这个装置是适合于用作负载开关或PWM应用。
特点
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=4.5V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=2.5V)
30V
3.8A
< 55mΩ
< 65mΩ
< 85mΩ
D
G
S
C
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
符号
参数
V
DS
漏源电压
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
功耗
B
C
最大
30
±12
3.8
3.1
15
1.4
0.9
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结对铅
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
70
100
63
最大
90
125
80
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/5
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AO3424
30V N沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
=±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=3.8A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
C
T
J
=125°
V
GS
= 4.5V ，我
D
=3.5A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=1A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=3.8A
I
S
=1A,V
GS
=0V
0.5
15
43
70
47
59
14
0.75
1
1.5
185
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
25
10
2.1
235
35
18
4.3
10
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=3.8A
4.7
0.95
1.6
3.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=3.95,
R
根
=3
I
F
= 3.8A ，的di / dt = 100A / μs的
1in
2
民
30
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
±100
1
1.5
55
84
65
85
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
285
45
25
6.5
12
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 3.8A ，的di / dt = 100A / μs的
1.5
17.5
2.5
8.5
2.6
11
3.5
ns
nC
的R A的值
θJA
测与该设备安装在
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持
initialT
J
=25°C.
D.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻抗
2
FR- 4板
2盎司铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
2/5
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AO3424
30V N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
10
V
DS
=15V
I
D
=3.8A
8
300
电容（pF）
V
GS
（伏）
6
250
200
150
100
2
50
0
0
6
8
10
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
2
4
12
0
0
C
RSS
10
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
30
C
OSS
C
国际空间站
400
350
4
100.0
10000
T
A
=25°C
10.0
1000
I
D
（安培）
100s
1ms
10ms
功率（W）的
R
DS （ ON）
有限
1.0
10s
100
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10
10s
DC
1
0.00001
0.001
0.1
10
1000
100
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注F）
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=125°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
0.01
单脉冲
P
D
T
on
T
10
100
1000
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
4/5
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AO3424
30V N沟道MOSFET
栅极电荷测试电路波形&
VGS
Qg
+
VDC
10V
VDC
-
DUT
+
VDS
-
QGS
QGD
VGS
Ig
收费
ES istiv （E S）瓦特痒荷兰国际集团率T e ST ircu它& W上的已经FO RM s
RL
V DS
VDS
VGS
Rg
DUT
+
VDC
90 %
VDD
1 0%
V GS
-
t
（O N）
t
0：N
t
r
t
（O FF ）
t
FF
t
f
VGS
IODE ecovery牛逼EST ircuit & W aveform s
V DS +
DUT
V GS
t
rr
Q
rr
= -
IDT
V DS -
ISD
V GS
L
ISD
I
F
的di / dt
I
RM
V DD
+
VD
V DD
V DS
Ig
-
5/5
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飞思卡尔
电气特性
参数
门源阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
测试条件
STATIC
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250微安
V
DS
= 0 V, V
GS
= ±8 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55°C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2.7 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 2.2 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 2.7 A
I
S
= 0.8 A，V
GS
= 0 V
动态
b
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 2.7 A
V
DS
= 10 V ，R
L
= 3.8 Ω, I
D
= 2.7 A,
V
根
= 4.5 V ，R
根
= 6 Ω
民
0.4
AO3424/MC3424
典型值
最大
单位
V
nA
uA
A
±100
1
25
5
76
103
8
0.77
1.8
0.2
0.6
7
15
25
11
73
25
20
mΩ
S
V
nC
ns
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
pF
笔记
一。脉冲测试： PW < = 300US占空比< = 2 ％ 。
B 。通过设计保证，不受生产测试。
FREESCALE保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。 FREESCALE不作任何保证，
表示
或有关的保证其产品适用于任何特定用途，也不飞思卡尔承担由此产生的任何法律责任
任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，
freconsequential或附带损失。可在飞思卡尔的数据表和/或规格提供“典型”参数可以做不同
在不同的应用和实际性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个验证
客户的客户应用的技术专家。飞思卡尔不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。飞思卡尔
产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他
拟申请支持或维持生命，或任何其他应用程序中，飞思卡尔产品的故障可能造成这样的局面
可能发生的人身伤害或死亡。如果买方购买或使用飞思卡尔产品的任何意外或未经授权的应用程序，
买方应赔偿并持有飞思卡尔及其高级人员，雇员，子公司，联营公司及分销商无害对所有索赔，费用，
损失，费用和合理的律师费直接或间接引起的，造成人身伤害或死亡的任何索赔相关
与此类意外或未经授权的使用，即使此类索赔称，有关部分的设计或制造飞思卡尔是疏忽。
飞思卡尔是一个机会均等/肯定行动雇主。
2
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飞思卡尔
典型电气特性
8
VDS = 10V
VGS栅 - 源极电压（ V）
RDS （ ON） - 导通电阻（ Ω ）
（归一化）
ID = 2.7A
6
2
AO3424/MC3424
1.5
4
1
2
0
0
1
2
3
4
QG - 总栅极电荷（ NC）
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ -JunctionTemperature （ ° C）
7.栅极电荷
100
10我们
8.归一化导通电阻VS
结温
15
瞬态峰值功率（ W）
10
ID电流（A ）
100美
1毫秒
10毫秒
10
1
100毫秒
1秒
10秒
100秒
5
0.1
1
0.1
1
10
100
DC
IDM限制
受
RDS
0.01
VDS漏极至源极电压（ V）
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T1时间（秒）
9.安全工作区
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
单脉冲
10.单脉冲最大功率耗散
R
θJA
（吨） = R（T） + R
θJA
R
θJA
= 166
°C
/W
0.1
P（ PK）
t
1
t
2
0.01
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T1时间（秒）
1
10
100
1000
11.归热瞬态结到环境
4
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飞思卡尔
包装信息
AO3424/MC3424
注意：
1.所有尺寸以毫米为单位。
2.包装体尺排除毛边，突起或毛刺。模具闪光灯，突起或毛刺谈情
不超过0.10毫米每边。
立志在最极端塑料机身，不包括塑模毛边，领带3.封装体尺寸
酒吧毛刺，门毛刺和引脚间，但包括间顶部的任何失配和底部
塑料机身。
4.包装顶部可能小于包装袋底部。
5.尺寸"B"不包括dambar突出。允许的dambar突出应该总计为0.08毫米
超过"B"尺寸最大材料情况。密封条不能定位于下
半径脚下。
5
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