AO3416 。 AO3416L
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=16V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±4.5V
V
DS
=0V, V
GS
=±8V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6.5A
T
J
=125°C
民
20
1
5
±1
±10
0.4
30
0.6
18
25
21
26
29
0.76
1
22
30
26
34
1
2.5
典型值
最大
单位
V
A
A
A
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
g
FS
V
SD
I
S
V
GS
= 2.5V ，我
D
=5.5A
V
GS
= 1.8V ，我
D
=5A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=6.5A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
=0V, V
DS
= 10V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
1160
187
146
1.5
16
0.8
3.8
6.2
12.7
51.7
16
17.7
6.7
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D（上）
开启DelayTime
t
r
开启上升时间
t
D（关闭）
关断DelayTime
t
f
关断下降时间
t
rr
体二极管反向恢复时间
Q
rr
体二极管反向恢复电荷
V
GS
=4.5V, V
DS
= 10V ，我
D
=6.5A
V
GS
=5V, V
DS
= 10V ，R
L
=1.5,
R
根
=3
I
F
= 6.5A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 6.5A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻
投资评级。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO3416 。 AO3416L
典型的电气和热特性
2000
V
DS
=10V
I
D
=6.5A
电容（pF
)
1600
C
国际空间站
1200
800
C
RSS
400
0
0
5
10
15
20
0
5
10
15
20
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
C
OSS
5
4
V
GS
（伏
s)
3
2
1
0
QG （ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
100.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
R
DS （ ON）
有限
10s
100s
1ms
0.1s
10ms
功率（W）的
40
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
30
I
D
（安培）
10.0
20
1.0
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=90°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
T
on
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO3416 。 AO3416L
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=16V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±4.5V
V
DS
=0V, V
GS
=±8V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6.5A
T
J
=125°C
民
20
1
5
±1
±10
0.4
30
0.6
18
25
21
26
29
0.76
1
22
30
26
34
1
2.5
典型值
最大
单位
V
A
A
A
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
g
FS
V
SD
I
S
V
GS
= 2.5V ，我
D
=5.5A
V
GS
= 1.8V ，我
D
=5A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=6.5A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
=0V, V
DS
= 10V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
1160
187
146
1.5
16
0.8
3.8
6.2
12.7
51.7
16
17.7
6.7
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D（上）
开启DelayTime
t
r
开启上升时间
t
D（关闭）
关断DelayTime
t
f
关断下降时间
t
rr
体二极管反向恢复时间
Q
rr
体二极管反向恢复电荷
V
GS
=4.5V, V
DS
= 10V ，我
D
=6.5A
V
GS
=5V, V
DS
= 10V ，R
L
=1.5,
R
根
=3
I
F
= 6.5A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 6.5A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻
投资评级。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO3416 。 AO3416L
典型的电气和热特性
2000
V
DS
=10V
I
D
=6.5A
电容（pF
)
1600
C
国际空间站
1200
800
C
RSS
400
0
0
5
10
15
20
0
5
10
15
20
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
C
OSS
5
4
V
GS
（伏
s)
3
2
1
0
QG （ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
100.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
R
DS （ ON）
有限
10s
100s
1ms
0.1s
10ms
功率（W）的
40
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
30
I
D
（安培）
10.0
20
1.0
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=90°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
T
on
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO3416
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=20V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
= ±8V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6.5A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
T
J
=125°
C
V
GS
= 2.5V ，我
D
=5.5A
V
GS
= 1.8V ，我
D
=5A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=6.5A
I
S
=1A,V
GS
=0V
0.4
30
16
22
18
21
50
0.62
1
2
1295
V
GS
=0V, V
DS
= 10V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
160
87
1.8
10
V
GS
=4.5V, V
DS
= 10V ，我
D
=6.5A
4.2
2.6
280
V
GS
=4.5V, V
DS
= 10V ，R
L
=1.54,
R
根
=3
I
F
= 6.5A ，的di / dt = 100A / μs的
1in
2
民
20
典型值
最大
单位
V
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
±10
0.7
1.1
22
30
26
34
A
A
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
K
nC
nC
nC
ns
ns
us
us
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
1650
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 6.5A ，的di / dt = 100A / μs的
328
3.76
2.24
31
6.8
41
ns
nC
的R A的值
θJA
测与该设备安装在
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持
initialT
J
=25°C.
D.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻抗
2
FR- 4板
2盎司铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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AO3416
典型的电气和热特性
5
V
DS
=10V
I
D
=6.5A
4
电容（pF）
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
6
8
10
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
2
4
12
0
0
C
RSS
10
15
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
20
C
OSS
C
国际空间站
V
GS
（伏）
3
2
1
100.0
10000
10s
10.0
1000
功率（W）的
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
100s
1ms
10ms
100ms
1.0
100
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10
10s
DC
1
0.00001
0.001
0.1
10
1000
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=125°C/W
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注F）
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
0.01
单脉冲
P
D
T
on
T
10
100
1000
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
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第4 5
AO3416
栅极电荷测试电路波形&
VGS
Qg
+
VDC
10V
VDC
-
DUT
VGS
Ig
+
VDS
-
QGS
QGD
收费
ES istiv （E S）瓦特痒荷兰国际集团率T e ST ircu它& W上的已经FO RM s
RL
V DS
VDS
VGS
Rg
DUT
+
VDC
90 %
VDD
1 0%
V GS
-
t
（O N）
t
0：N
t
r
t
（O FF ）
t
FF
t
f
VGS
IODE ecovery牛逼EST ircuit & W aveform s
V DS +
DUT
V GS
t
rr
Q
rr
= -
IDT
V DS -
ISD
V GS
L
ISD
I
F
的di / dt
I
RM
V DD
+
VD
V DD
V DS
Ig
-
第5版： 2010年7月
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