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AO3406
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
该AO3406采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
和低栅极电荷。这
装置适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。
标准产品AO3406是Pb-free
(符合ROHS &索尼259规格) 。 AO3406L
是一种绿色产品订购选项。 AO3406和
AO3406L是电相同。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 3.6A (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 65mΩ (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 105mΩ (V
GS
= 4.5V)
TO-236
(SOT-23)
顶视图
G
D
S
G
D
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
A
B
最大
30
±20
3.6
2.9
15
1.4
0.9
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
70
100
63
最大
90
125
80
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO3406
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ,我
D
=3.6A
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ,我
D
=2.8A
正向跨导
V
DS
= 5V ,我
D
=3.6A
二极管的正向电压
I
S
=1A
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
1
15
50
74
75
7
0.79
1
2.5
288
V
GS
=0V, V
DS
= 15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
57
39
3
6.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,我
D
=3.6A
3.1
1.2
1.6
4.6
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,R
L
=2.2,
R
=3
I
F
= 3.6A ,的di / dt = 100A / μs的
2
30
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
100
1.9
3
65
100
105
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
375
6
8.5
4
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
切换参数
Q
g
( 10V )总栅极电荷
Q
g
( 4.5V ),总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
1.9
20.1
2.6
10.2
3.5
14
体二极管反向恢复电荷我
F
= 3.6A ,的di / dt = 100A / μs的
ns
nC
答: R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜,在静止空气环境和T
A
=25°C.
在任何给定应用程序中的值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
10S热
性的评价。
B:重复评级,脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 %以下。
2
E.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
第5版: 2005年7月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
亚尔发和奥米加半导体有限公司
AO3406
典型的电气和热特性
15
12
6V
9
I
D
(A)
6
3
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
100
90
R
DS ( ON)
(m
)
80
70
60
50
40
0
2
4
6
8
10
I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和
栅极电压
200
I
D
=3.6A
150
1.0E-01
R
DS ( ON)
(m
)
I
S
(A)
100
125°C
1.0E-02
25°
1.0E-03
50
25°C
1.0E-04
0
2
4
6
8
10
V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
1.0E+01
1.0E+00
V
GS
=4.5V
归一化的导通电阻
1.8
I
D
=3.6A
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度(℃)
图4 :导通电阻与结
温度
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
3.5V
I
D
(A)
4V
6
4
125°C
V
GS
=3V
2
0
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
V
GS
(伏)
图2 :传输特性
25°C
10
10V
4.5V
8
V
DS
=5V
V
GS
=10V
125°
亚尔发和奥米加半导体有限公司
AO3406
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
(伏)
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
400
V
DS
=15V
I
D
=3.6A
电容(pF)
300
C
国际空间站
200
C
OSS
100
C
RSS
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
100.0
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
10.0
I
D
(安培)
R
DS ( ON)
有限
10s
功率(W)的
20
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
15
100s
1ms
0.1S 10毫秒
10
1.0
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
10
100
5
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注E)
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=90°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗
亚尔发和奥米加半导体有限公司
AO3406
30V N沟道MOSFET
概述
该AO3406采用先进的沟槽技术,提供
优秀的研发
DS ( ON)
和低栅极电荷。该装置是
适合用作负载开关或PWM应用。
产品概述
V
DS
I
D
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=4.5V)
30V
3.6A
< 50mΩ以下
< 70mΩ
SOT23
顶视图
底部视图
D
D
D
S
G
S
G
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
V
DS
漏源电压
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
功耗
B
C
最大
30
±20
3.6
2.9
15
1.4
0.9
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结对铅
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
70
100
63
最大
90
125
80
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
第七版: 2011年1月
www.aosmd.com
第1页5
AO3406
电气特性(T
J
= 25℃除非另有说明)
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ,我
D
=3.6A
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ,我
D
=2.8A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ,我
D
=3.6A
I
S
=1A,V
GS
=0V
T
J
=125°
C
1.5
15
36
57
48
11
0.79
1
1.5
170
V
GS
=0V, V
DS
= 15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
1.7
35
23
3.5
4.05
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,我
D
=3.6A
2
0.55
1
4.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,R
L
=2.2,
R
=3
I
F
= 3.6A ,的di / dt = 100A / μs的
1in
2
30
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
±100
2
2.5
50
80
70
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
210
5.3
5
3
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
切换参数
Q
g
( 10V )总栅极电荷
Q
g
( 4.5V ),总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 3.6A ,的di / dt = 100A / μs的
1.5
18.5
15.5
7.5
2.5
10
ns
nC
的R A的值
θJA
测与该设备安装在
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J(下最大)
= 150℃,使用
10秒结到环境的热阻。
C.重复评级,脉冲宽度有限的结温度T
J(下最大)
= 150℃。额定值基于低频和占空比,以保持
initialT
J
=25°C.
D.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 %最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻抗
2
FR- 4板
2盎司铜,假设T的最高结温
J(下最大)
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
第七版: 2011年1月
www.aosmd.com
页2的5
AO3406
典型的电气和热特性
15
10V
4.5V
12
7V
9
I
D
(A)
I
D
(A)
3.5V
6
6
4V
8
10
V
DS
=5V
4
125°C
25°C
3
V
GS
=3.0V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
(伏)
图1 :在区域特性(注五)
70
归一化的导通电阻
2
0
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
V
GS
(伏)
图2 :传输特性(注五)
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
6
8
10
I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和门
电压(注五)
2
4
0
25
50
75
100
125
150
175
V
GS
=10V
I
D
=3.6A
60
R
DS ( ON)
(m)
V
GS
=4.5V
50
40
V
GS
=10V
V
GS
I
D
=2.8A
17
5
2
10
=4.5V
30
0
温度( δ
C)
图4 :导通电阻与结温
18
(注五)
120
I
D
=3.6A
1.0E+02
1.0E+01
100
R
DS ( ON)
(m)
1.0E+00
125°C
60
I
S
(A)
80
1.0E-01
125°C
1.0E-02
25°C
1.0E-03
40
25°C
1.0E-04
1.0E-05
2
6
8
10
V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
(注五)
4
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
(伏)
图6 :体二极管的特性(注五)
40
20
第七版: 2011年1月
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第3 5
AO3406
典型的电气和热特性
10
V
DS
=15V
I
D
=3.6A
8
电容(pF)
300
250
200
150
100
C
OSS
50
0
0
2
3
4
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
1
5
0
C
RSS
10
15
20
25
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
30
C
国际空间站
V
GS
(伏)
6
4
2
0
100.0
10000
T
A
=25°C
10.0
1000
I
D
(安培)
100s
1ms
10ms
功率(W)的
R
DS ( ON)
有限
1.0
10s
100
0.1
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
10
10s
DC
1
0.00001
0.001
0.1
10
1000
100
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注F)
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
(伏)
10
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注F)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=125°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
0.1
0.01
单脉冲
P
D
T
on
T
10
100
1000
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注F)
第七版: 2011年1月
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第4 5
AO3406
栅极电荷测试电路波形&
VGS
Qg
+
VDC
10V
VDC
-
DUT
VGS
Ig
+
VDS
-
QGS
QGD
收费
ES istiv (E S)瓦特痒荷兰国际集团率T e ST ircu它& W上的已经FO RM s
RL
V DS
VDS
VGS
Rg
DUT
+
VDC
90 %
VDD
1 0%
V GS
-
t
(O N)
t
0:N
t
r
t
(O FF )
t
FF
t
f
VGS
IODE ecovery牛逼EST ircuit & W aveform s
V DS +
DUT
V GS
t
rr
Q
rr
= -
IDT
V DS -
ISD
V GS
L
ISD
I
F
的di / dt
I
RM
V DD
+
VD
V DD
V DS
Ig
-
第七版: 2011年1月
www.aosmd.com
页5
模拟电源
飞思卡尔
N通道30 -V (D -S )的MOSFET
这些微型表面贴装MOSFET采用一
高密度沟槽工艺,以提供低
r
DS ( ON)
并且,以确保最小的功率损失和发热
耗散。典型的应用是DC- DC
转换器和电源管理在便携式和
电池供电的产品,如计算机,
打印机, PCMCIA卡,蜂窝和无绳
电话。
低R
DS ( ON)
提供了更高的效率和
延长电池寿命
低热阻抗的铜引线框架
SOT- 23节省电路板空间
开关速度快
高性能沟道技术
AM2322N
AO3406 / MC3406
产品概述
V
DS
(V)
r
DS ( ON)
()
0.085 @ V
GS
= 10V
30
0.125 @ V
GS
= 4.5V
I
D
(A)
2.5
1.7
G
D
S
绝对最大额定值(T
A
= 25°C除非另有说明)
参数
符号最大单位
漏源电压
V
DS
30
V
栅源电压
±
20
V
GS
连续漏电流
漏电流脉冲
b
连续源电流(二极管传导)
a
功耗
a
a
o
T
A
=25 C
T
A
=70 C
o
o
I
D
I
DM
I
S
2.5
2
10
0.46
1.25
0.8
-55到150
o
A
A
W
C
T
A
=25 C
T
A
=70 C
o
o
P
D
T
J
, T
英镑
工作结存储温度范围
热电阻额定值
帕拉梅德
吨< = 5秒
a
最大结点到环境
稳态
笔记
a.
表面装在1 “×1” FR4板。
b.
脉冲宽度有限的最高结温
符号
R
thJA
最大
150
200
单位
o
C / W
1
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模拟电源
飞思卡尔
规格(T
A
= 25
o
C除非另有说明)
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
A
A
AM2322N
AO3406 / MC3406
符号
测试条件
范围
单位
最小典型最大
1.0
1.5
4
7
3
100
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
r
DS ( ON)
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250微安
V
DS
= 0 V, V
GS
= 8 V
V
nA
uA
A
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 55 C
o
1
10
85
125
漏源导通电阻
转发Tranconductance
二极管的正向电压
A
V
DS
= 5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 2.5 A
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 1.7 A
V
DS
= 5 V,I
D
= 3.0 A
I
S
= 0.46 ,V
GS
= 0 V
6
62
102
3.5
0.65
3.5
0.8
1.0
720
165
60
10
13
14
4
7
2
2
1500
400
200
20
30
30
20
m
S
V
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 2.5 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1MHz的
nC
pF
V
DD
=
10 V
,
I
D
=
1 A
,
R
G
=
6 , V
= 4.5
V
ns
笔记
a.
脉冲测试: PW < = 300US占空比< = 2 % 。
b.
通过设计保证,不受生产测试。
FREESCALE保留随时更改,恕不另行通知这里的任何产品的权利。 FREESCALE不作任何保证,声明
或有关的保证其产品适用于任何特定用途,也不FREESCALE承担所产生的任何法律责任
应用或使用任何产品或电路,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或
附带损失。可在FREESCALE数据表和/或规格提供“典型”参数,并会根据不同的
应用和实际性能可能随时间变化。所有的操作参数,包括“典型”必须为每个客户进行验证
应用程序由客户的技术专家。 FREESCALE不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。
FREESCALE产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或
意其他应用程序,以支持或维持生命,或任何其他应用程序中,飞思卡尔产品的故障可能造成
情况下的人身伤害或死亡的发生。如果买方购买或使用产品FREESCALE任何意外或
未经授权的应用程序,买方应赔偿并持有飞思卡尔及其管理人员,员工,附属公司,联营公司及分销商
对所有索赔,费用,损失,费用,以及直接或间接引起的,合理的律师费,任何索赔无害
人身伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, FREESCALE是疏忽
关于该部分的设计或制造。飞思卡尔是一个机会均等/肯定行动雇主。
2
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模拟电源
飞思卡尔
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典型电气特性
图1.区域特征
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压
图3.导通电阻变化
随温度
图4.导通电阻变化与
漏电流和温度
图5.传输特性
图6.门阈值变化与
温度
3
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典型电气特性
图7.栅极电荷特性
图8.电容特性
图9.最高安全工作区
图10.击穿电压变化
随温度
归一化瞬态热阻抗,结到环境
4
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包装信息
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755*83682918
联系人:林小姐
地址:深圳市福田区华强花园A座30E
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电话:0755-88917652分机801-83200050
联系人:柯
地址:深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
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联系人:吴
地址:上海市宝山区大场镇锦秋路699弄锦秋花园
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只做进口原装,假一赔十;欢迎致电:杨先生15001712988
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地址:上海市宝山区大场镇锦秋路699弄锦秋花园
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只做进口原装,假一赔十;欢迎致电:杨先生15001712988
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电话:0755-82525087
联系人:肖
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园四栋西4楼4B20
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原装正品,特价
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联系人:张先生
地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋西6楼
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进口原装正品现货
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电话:0755-83951431
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北路1002号赛格广场47楼4707B/香港九龙观塘鸿图大道55号京泰大厦1608室
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3.6¥/片,★优势库存市场最低价!原装假一赔十★
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电话:0755-82522939
联系人:彭小姐
地址:广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
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22+
原包装原标现货,假一罚十,
0.1
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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电话:0755-83587431
联系人:钟彩香
地址:深圳市福田区深南中路世纪汇.都会轩3216室
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