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第2版： 2004年11月
AO3402 ， AO3402L （绿色产品）
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
该AO3402采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和
操作与栅极电压低至2.5V 。这
装置适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。 AO3402L （绿色产品）提供的
无铅封装。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 4 A
R
DS （ ON）
< 55mΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 70mΩ （V
GS
= 4.5V)
R
DS （ ON）
< 110mΩ （V
GS
= 2.5V)
TO-236
(SOT-23)
顶视图
G
D
S
G
D
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
A
B
最大
30
±12
4
3.4
15
1.4
1
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结对铅
C
符号
A
A
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
70
100
63
最大
90
125
80
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO3402 ， AO3402L
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=4A
T
J
=125°C
0.6
10
1
45
66
55
83
8
0.8
民
30
1
5
100
1.4
55
80
70
110
1
2.5
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态漏源导通电阻
g
FS
V
SD
I
S
V
GS
= 4.5V ，我
D
=3A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=2A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=4A
I
S
=1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
390
54.5
41
3
4.34
0.6
1.38
3.3
1
21.7
2.1
12
6.3
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D（上）
开启DelayTime
t
r
开启上升时间
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
关断DelayTime
关断下降时间
V
GS
=4.5V, V
DS
= 15V ，我
D
=4A
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=3.75,
R
根
=6
I
F
= 4A ，的di / dt = 100A / μs的
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 4A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻
投资评级。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
2
E.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO3402 ， AO3402L
典型的电气和热特性
15
12
4.5V
9
I
D
(A)
6
3
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
150
125
V
GS
=2.5V
R
DS （ ON）
(m
)
100
75
50
25
0
0
2
4
6
8
10
I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压
200
1.0E+01
1.0E+00
150
R
DS （ ON）
(m
)
I
D
=2A
I
S
(A)
1.0E-01
125°C
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
25°C
1.0E-05
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
（伏）
图5 ：导通电阻与栅源电压
1.0E-06
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的性能
25°C
100
125°C
V
GS
=4.5V
归一化的导通电阻
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结
温度
2.5V
I
D
(A)
6
4
125°C
V
GS
=2V
2
0
0
0.5
1
1.5
25°C
2
2.5
3
3.5
10
10V
3V
8
V
DS
=5V
V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
V
GS
=2.5V
V
GS
=10V
50
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO3402 ， AO3402L
典型的电气和热特性
5
4
V
GS
（伏）
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
600
V
DS
=15V
I
D
=4A
电容（pF）
500
C
国际空间站
400
300
200
100
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
C
OSS
C
RSS
100.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
20
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
100s
1ms
0.1S 10毫秒
10s
功率（W）的
100
15
10.0
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
10
1.0
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
5
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=90°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
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ASM3I2870AF-08ST
ATSAMA5D33A-CU
ADA4891-1
AM29DL800BT70ED
AD9229ABCPZ-65
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AD8331ARQZ
AMD27C64-55JC
AT49F040-55JI
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ATW2805D/MSTR
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AO
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