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AND8044/D
单通道1206A
ChipFETt功率MOSFET
推荐的焊盘图形
性能和热性能
http://onsemi.com
应用说明
介绍
新的安森美半导体ChipFETs在无铅
1206A包功能相同的外形为流行1206A
电阻器和电容器,但提供了对所有的性能
真正的功率半导体器件。该1206A ChipFET
具有相同的足迹与TSOP- 6和罐的主体
被认为是一无引线的TSOP -6目
可视化的电路板面积,但其散热性能熊
与很多大型SO- 8相比。
本技术笔记讨论了单通道
ChipFET 1206A引脚输出,封装外形,垫图案,
评估电路板布局和散热性能。
PIN -OUT
图1示出的引脚输出的描述和引脚1
识别为单信道1206A ChipFET
装置。引出线是类似的TSOP -6
配置中,有两个附加的漏引脚,以提高
功耗和热性能。的腿
设备都非常短,又有助于减少热
路径外部散热片/板,并允许更大的模
应安装在装置如果必要的。
风格1 :
PIN 1 。
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
0.0054平方英寸或3.51平方毫米。这将有助于电源
耗散路径远离该装置(通过铜
引线框架),并进入董事会和外部机箱(如果
适用)的单个设备。又多了一个进一步的
铜的面积和/或增加通孔的其他板层
将进一步增强性能。的一个例子
这种方法是在评估板实施
在下一节中描述的(图4) 。
80万
28万
1
2
3
18万
4
8
25万
7
6
5
26万
8
来源
图2.基本的焊盘布局
80万
1
1
2
3
4
26万
28万
8
7
6
5
68万
图1.单1206A ChipFET
BASIC垫图案
其尺寸基本焊盘布局显示在
图2.这是足够低的功耗
MOSFET的应用,但功率半导体
性能,需要更大的铜焊盘面积,特别是
为漏极引线。
推荐的最小焊盘图形,显示在
图3中,提高了漏极的热区
连接(引脚1,2, 3,6 ,7,8 ),而内剩余
基本的足迹范围。漏铜区
图3.最低推荐垫图案
半导体元件工业有限责任公司, 2001年
1
2001年2月 - Rev.0
出版订单号:
AN8044/D
AND8044/D
评估板用于单个1206A
该ChipFET 1206A评估板措施0.6
通过0.5英寸及其铜焊盘图案包括一个增高垫的
周围的六个漏极区域导致在顶侧 -
约0.0482平方英寸31.1平方毫米 - 。和通孔中加入
通过对电路板的底面,再以一
大约最大化的铜焊盘面积
电路板的尺寸。外包装轮廓的
板前
ChipFET
t
ChipFET
8引脚DIP ,这将允许使用测试插座协助
在测试中。
在1206A上这款主板的散热性能有
被测量的结果,在下一个页面上。
该测试包括用最小比较
评估板上规模的PCB占用空间推荐
与业界标准的一英寸见方的FR4 PCB板
铜在板的两侧。
回到局
D
D
D
D
G
1206A
S
图4.评估板
热性能
结至脚热阻
(包性能)
测定了1206A ChipFET热性能
作为结到脚热阻15_C / W的典型,
20 C / W的最大值为单个装置。 “足”是
漏极引线的装置,因为它与所述主体相连接。这
是相同的SO - 8包r
θJF
性能的壮举
成为可能,通过缩短引线的地步
它们成为总占位面积的一小部分。
结到环境的热阻
(取决于PCB尺寸)
第r
θJA
典型的单通道1206A ChipFET
是80_C / W的稳定状态下,与用于68_C / W相比
SO - 8 。最大额定值是为1206-8 95_C / W
与为SO- 8 80_C / W 。
检测
为了进一步有助于比较,图5示出了ChipFET
在两个不同的电路板尺寸1206A的散热性能
与三个不同的焊盘图案。结果显示
散热性能出稳定状态,并产生
图文账户如何增加铜焊盘面积为安
漏极连接可以提高散热性能。该
的R测得的稳态值
θJA
对于单1206A
ChipFET是:
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2
建议的最小焊盘图形(见图3)
对0.5的评价电路板尺寸。 X 0.6英寸
REV 。一
156_C/W
111_C/W
78_C/W
该评估板与焊盘图形描述
在图4中
行业标准1“方PCB最大
铜两侧。
D
D
该结果表明,主要减少可以在作出
通过增加铜漏极区域的热阻。
在本实施例中,如果没有达到一个45_C / W的还原
不必增加电路板的尺寸。如果增加板
大小是一个选项,得到进一步33_C / W的还原
通过从漏极上的较大1“最大化铜
方形PCB 。
AND8044/D
160
热阻(℃ / W)的
单EVB
120
分钟。脚印
80
40
1 “广场PCB
0
10
–5
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
100
1000
时间(秒)
图5.单1206A ChipFET
摘要
热的结果为单信道1206A
ChipFET包装显示类似功耗
表现为SO- 8与占位面积减少80 % 。
包装的仔细设计允许对这种
要达到的性能。短引线允许模
尺寸被最大化,并且热阻可以减小
内的TSOP - 6的车身尺寸的局限。
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3
AND8044/D
包装尺寸
ChipFET
CASE 1206A -02
问题B
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.模具浇口毛刺不得超过0.13 MM
每边。
4.引线框架成型体偏移
水平和垂直线不
超过0.08毫米。
5.尺寸A和B独有的模具的
门毛刺。
6.无毛边允许在顶部和
底部引线的表面。
7. 126A -01过时。新标准
1206A-02.
暗淡
A
B
C
D
G
J
K
L
M
S
MILLIMETERS
最大
2.95
3.10
1.55
1.70
1.00
1.10
0.25
0.35
0.65 BSC
0.10
0.20
0.28
0.42
0.55 BSC
5
°
1.90 BSC
英寸
最大
0.116
0.122
0.061
0.067
0.039
0.043
0.010
0.014
0.025 BSC
0.004
0.008
0.011
0.017
0.022 BSC
5
°
0.076 BSC
A
8
7
6
5
M
K
5
6
3
7
2
8
1
S
1
2
3
4
B
4
L
G
D
J
C
0.05 (0.002)
ChipFET为Vishay Siliconix公司的一个注册商标。
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留修改的权利
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