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AND4RRA
超高亮LED灯
单位:mm
AND4RRA
InGaAIP高亮度红色LED芯片与
直角透镜的表面贴装封装
特点
3.0× 1.0 ×2.0 mm右边角SMD封装
所有塑料模具型,无色透明的镜片
峰值波长(
λ
P = 632nm )高亮度发光
低驱动电流: 1至20 mA
与自动贴装设备
兼容红外&汽相回流焊工艺
高效率
符合RoHS
最大额定值(T
a
= 25°C)
特征
正向电流
脉冲电压电流
(占空比:1/10 @ 1KHz时)
工作温度
储存温度
静电放电
焊接温度
功耗
反向电压
符号
I
F
I
FP
T
OPR
T
英镑
ESD
T
SOL
P
d
V
R
等级
25
100
-40 ~ +85
-40 ~ +90
2000
260±5 ( <5秒)
60
5
单位
mA
mA
°C
°C
V
°C
mW
V
光电特性(T
a
= 25°C)
特征
正向电压
反向电流
发光强度
峰值发射波长
光谱线半宽
主波长
全视角
符号
V
F
I
R
I
V
λ
P
λ
d
λ
/2
θ
测试条件
I
F
= 20毫安
V
R
= 5 V
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
IV = 1/2峰值
最低
90
典型
2.0
139
632
624
20
120
最大
2.4
10
单位
V
A
MCD
nm
nm
nm
1.推荐焊锡条件:
包含产品规格
这里可在不改变
另行通知。因此,它是
建议联系普尔蒂
在继续之前电子
用设备的设计
将这一产品。
珀迪电子公司 720帕洛马尔大街桑尼维尔, CA 94085
电话: 408.523.8200 传真: 408.733.1287 sales@purdyelectronics.com
2-21-05
www.purdyelectronics.com
AND4RRA
InGaAIP高亮度红筹与直角透镜的表面贴装封装的LED
I
F
– V
F
50
1000
T
a
= 25°C
发光强度I
V
( MCD )
I
V
– I
F
40
正向电流I
F
(MA )
30
100
20
10
10
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1
3
10
5
30 50
正向电流I
F
(MA )
100
正向电压V
F
(V)
1000
T
a
= 25°C
I
V
– T
C
1.0
相对发光强度
相对发光强度 - 波长
I
F
= 20毫安
T
a
= 25°C
相对发光强度
100
0.8
0.6
0.4
10
1
0.2
0
-20
0
20
40
60
80
550
600
案例温度T
C
(°C)
700
650
波长
λ
(纳米)
750
辐射方向图
40
10°
TA = 25°C
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90°
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0
0
容许正向电流I
F
(MA )
I
F
– T
a
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90°
10°
30
20
10
20
40
60
80
环境温度T
a
(°C)
100
珀迪电子公司 720帕洛马尔大街桑尼维尔, CA 94085
电话: 408.523.8200 传真: 408.733.1287 sales@purdyelectronics.com
2-21-05
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联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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