模拟母片
AN9D ， AN9E ， AN9F系列
模拟母片IC系列
s
概观
该AN9D ， AN9E和AN9F系列双极工艺的母片芯片，使您能够集成一个模拟
电路很容易地在一个芯片上。定制集成电路可通过将有线图案设计符合顾客的
模拟电路到母片。
从上IC扩散过程的大部分已完成晶圆开始，您可以缩短的IC试点
制作增色不少。另外，元件和元件间的布线的布置是由一个COM自动完成
计算机，这导致图案设计，从而开发一个定制的集成电路在很短的一段短的时间。
s
特点
高设计灵活性
由于设置电阻或电容为任意值的简单电路常数的设计。
基板和GND布线之间的接触自由设置防止操作错误是由浮动引起的
的衬底电位。
可用多动力源，因为电阻的岛屿潜在可为每个单元设置。
建立在基极和发射极，或集电极之间的高反向击穿电压的横向型PNP晶体管
壁型NPN晶体管的优良饱和特性。 （ AN9DA00 ， AN9DB00 ， AN9DF00 ）
开发周期短
由于全自动布局设计中，样品是在一个月内可从一个完成的电路图的。
适用于少量生产的产品
可以开发定制IC，适用于小批量的生产，由于较低的开发成本。
s
开发流程
掩模布局
松下方
EWS
选择
全自动
布局
查
电路设计
客户端
系统设计
晶圆制造
只有有线面膜
接线，组装
测试规范等。
TAT的大幅缩水
对于小批量的生产
满
风俗
主
切片
布局
8weeks
扩散，
装配
6weeks
芯片
评价
如果1000元
一般使用过程中
1周3周
1
AN9D ， AN9E ， AN9F系列
s
产品组合
元件特性
系列名称
供应
电压
NPN晶体管
f
T（最大）
AN9D系列12 V 2.6 GHz的
AN9E系列12 V 3.5 GHz的
AN9F系列
至30 V 300 MHz的
BV
首席执行官
h
FE
PNP晶体管
f
T（最大）
BV
首席执行官
14.4 V
14.4 V
30 V
h
FE
模拟母片
备注
14.4 V 100至250 1.0 GHz的
14.4 V
30 V
80250 1.5 GHz的
80至250
9兆赫
66至200为低功耗/
高速运行集成电路
50 130为BI -CMOS IC
80 350为高击穿
电压IC
s
基本模块配置（ AN9DA00 ， AN9DB00 ， AN9DF00 ）
SP2电阻
（变量）的
SP电阻
（FI固定的）
PNP晶体管
（横式）
PNP晶体管
（立式）
NPN晶体管
（集热墙式）
SP电阻
（FI固定的）
电容
SP2电阻
（变量）的
2
模拟母片
AN9D系列（V
CC
=
至12 V，F
T（最大）
=
2.6千兆赫）
高速低功耗工艺
内置恒流可变电阻器和电容器元件
AN9D ， AN9E ， AN9F系列
内置大电流晶体管（ AN9DA00 ， AN9DB00 ， AN9DF00 ）
优化了控制系统的应用，由于内置集热墙式NPN晶体管和横向PNP晶体管
器（ AN9DA00 ， AN9DB00 ， AN9DF00 ）
最适合于由于内置了高速NPN晶体管和垂直PNP晶体管的信号处理中的应用
（ AN9DC00 ， AN9DD00 ， AN9DE00 ）
IIL元件内置（ AN9DF00 ）
产品名称
盘数
总元件数
晶体管数量
A11
A21
NPN
A62P
B11
LA1
LA4S
PNP
V11
V21
门countIIL
电阻计
5 k
SP
10 k
969
474
198
297
12
1 800
888
336
576
24
8
126
84
4
84
8
252
168
4
168
320
120
320
2 854
1 408
480
966
80
3 706
1 728
640
1 338
112
4 852
2 440
800
1 612
140
969
474
198
297
12
可变电阻
448
168
560
210
AN9DA00 AN9DB00 AN9DC00 AN9DE00 AN9DD00
*
AN9DF00
备注
28
1 287
306
36
2 424
600
55
3 854
920
320
160
64
5 106
1 288
448
224
75
6 602
1 610
560
280
32
1 607
306
基本尺寸
单双大小
8
126
84
4
84
62倍大小
基本尺寸（ CW绕组）
基本尺寸（横向型）
8倍尺寸（横向型）
基本尺寸（立式）
双尺寸（立式）
SP2 2.5千欧
电容数量5 pF的
注）* ：开发中
3
QQ：2880707522 复制
