供电电路
二〇〇二年十一月一十一日
图形芯片供应提供了1.65V的26A
游戏盒是使用更强大的处理器，以提供更现实的
和复杂的图形和游戏。随着处理器功耗的增加，所以
确实给部件提供动力所需的电流。在该MAX1954
应用如下图所示，从5V输入提供1.65V @ 26A 。
游戏盒使用的是更强大的处理器，以提供更多的现实和复杂
图形和游戏。随着处理器功耗的增加，所以确实需要电源电流
的部分。在如下图所示的应用程序中的MAX1954在5V输入提供1.65V @ 26A 。
该MAX1954是一个300kHz的电流模式降压控制器。 MOSFET驱动器都很强
足以应付100nC栅极电荷。给定的标称输入电压和输出电压，负载
周期是33 ％，而导通电阻的高侧和低侧FET的被相应地偏斜。两
IRF7811W 12米的导通电阻各被用于高侧和两个IRF7822与
6.5米的导通电阻各被用于低侧。两个IRF7811W并联有更好的
开关特性以上的IRF7822 。
七22μF的/ 6V X5R陶瓷电容作为输入旁路处理12.5Arms
输入纹波电流。在5V输入，陶瓷电容器具有更高的成本效益比更小
电解电容。此外， MAX1954感测电流通过观察在整个高电压
侧FET导通电阻和陶瓷旁路电容提供电流 - 一个更好的参考
检测电路。一个2.2nF陶瓷电容器包括漏 - 源极在每个低边FET
潮湿的键合线的电感与漏电容的寄生振荡。这
铃声会影响电流检测电路。
脉冲工程电感器是一个定制的一部分，旨在处理70A的峰值电流不
饱和。在MAX1954使用基于低侧的导通电阻的"valley"电流限制
FET 。电流限制为200mV除以低侧FET导通电阻（ 3.3米）加
电感斜坡电流（10A ），其等于70A 。一个0.5uH / 70A的电感并不是现成的，
定制设计是必需的，以提供短路保护。
三洋输出电容提供ESR之间的良好平衡，纹波电流额定值，以及
成本。该电容足够大的输出纹波由ESR主导。该
应用程序不需要低调。
美中不足的二极管， D2 ，限制了LX节点的负电压时，高侧FET导通
关。与R4相结合，这对控制的升压电容， C8上的电压，高线和
最大输出电流。未经D2和R 4 ，在C8上的电压可以BST到LX绝对
6V的最大电压。
该MAX1954在5V输入提供1.65V @ 26A 。的效率是在图26A 86 ％和90％ ，在
10A 。输出纹波为25mVpp 。
表1中。
VIN
5.0081
4.4905
5.0125
5.509
IIN
0.086
11.13
9.95
9.04
VOUT
1.6663
1.6547
1.6530
1.6513
25mVpp
IOUT
0
26
26
26
0.861
0.862
0.862
效率
图1 。
材料的MAX1954比尔： 4.5V至5.5V输入， 1.65V @ 26A输出
称号
C1
C2-C8
C9
C10-C13
C14
C15
C16
C17, C18
D1
L1
N1, N2
N3, N4
Q1
R1
R2
R3
R4
R5, R6
U1
数量
1
7
1
4
1
1
1
2
1
1
2
2
1
1
1
1
1
2
1
描述
4.7uF的10V X5R陶瓷电容（ 1206 ）太阳
诱电LMK316BJ475ML
22μF的6V X5R陶瓷电容（ 1210 ），太阳诱电
JMK325BJ226MN
0.22uF的陶瓷电容（ 0603 ）
1000uF的4V铝电解电容器三洋
4MV1000EXR
10uF的10V X5R陶瓷电容（ 1210 ）太阳
诱电LMK325BJ106MN
1nF的陶瓷电容（ 0603 ），基美
C0603C102K8RAC
100pF的陶瓷电容（ 0603 ），基美
C0603C101K5GAC
2.2nF陶瓷电容器（ 0603 ），基美
C0603C222K8RAC
百毫安30V肖特基二极管中央半CMPSH - 3
0.5uH电感30A脉冲工程PA0453
12米欧姆30V N沟道MOSFET （ SO - 8 ）国际
整流器IRF7811W
6.5米欧姆30V N沟道MOSFET （ SO - 8 ）国际
整流器IRF7822或Siliconix公司Si4842DY
NPN晶体管（ SOT -23 ）中环半CMPT3904
8.87k欧姆1 ％电阻（ 0603 ）
8.25k欧姆1 ％电阻（ 0603 ）
270K欧姆5 ％电阻（ 0603 ）
1欧姆5 ％的电阻（ 0603 ）
47K欧姆5 ％电阻（ 0603 ）
MAX1954EUB （ 10 - UMAX ）
2002年11月
供电电路
二〇〇二年十一月一十一日
图形芯片供应提供了1.65V的26A
游戏盒是使用更强大的处理器，以提供更现实的
和复杂的图形和游戏。随着处理器功耗的增加，所以
确实给部件提供动力所需的电流。在该MAX1954
应用如下图所示，从5V输入提供1.65V @ 26A 。
游戏盒使用的是更强大的处理器，以提供更多的现实和复杂
图形和游戏。随着处理器功耗的增加，所以确实需要电源电流
的部分。在如下图所示的应用程序中的MAX1954在5V输入提供1.65V @ 26A 。
该MAX1954是一个300kHz的电流模式降压控制器。 MOSFET驱动器都很强
足以应付100nC栅极电荷。给定的标称输入电压和输出电压，负载
周期是33 ％，而导通电阻的高侧和低侧FET的被相应地偏斜。两
IRF7811W 12米的导通电阻各被用于高侧和两个IRF7822与
6.5米的导通电阻各被用于低侧。两个IRF7811W并联有更好的
开关特性以上的IRF7822 。
七22μF的/ 6V X5R陶瓷电容作为输入旁路处理12.5Arms
输入纹波电流。在5V输入，陶瓷电容器具有更高的成本效益比更小
电解电容。此外， MAX1954感测电流通过观察在整个高电压
侧FET导通电阻和陶瓷旁路电容提供电流 - 一个更好的参考
检测电路。一个2.2nF陶瓷电容器包括漏 - 源极在每个低边FET
潮湿的键合线的电感与漏电容的寄生振荡。这
铃声会影响电流检测电路。
脉冲工程电感器是一个定制的一部分，旨在处理70A的峰值电流不
饱和。在MAX1954使用基于低侧的导通电阻的"valley"电流限制
FET 。电流限制为200mV除以低侧FET导通电阻（ 3.3米）加
电感斜坡电流（10A ），其等于70A 。一个0.5uH / 70A的电感并不是现成的，
定制设计是必需的，以提供短路保护。
三洋输出电容提供ESR之间的良好平衡，纹波电流额定值，以及
成本。该电容足够大的输出纹波由ESR主导。该
应用程序不需要低调。
美中不足的二极管， D2 ，限制了LX节点的负电压时，高侧FET导通
关。与R4相结合，这对控制的升压电容， C8上的电压，高线和
最大输出电流。未经D2和R 4 ，在C8上的电压可以BST到LX绝对
6V的最大电压。
该MAX1954在5V输入提供1.65V @ 26A 。的效率是在图26A 86 ％和90％ ，在
10A 。输出纹波为25mVpp 。
表1中。
VIN
5.0081
4.4905
5.0125
5.509
IIN
0.086
11.13
9.95
9.04
VOUT
1.6663
1.6547
1.6530
1.6513
25mVpp
IOUT
0
26
26
26
0.861
0.862
0.862
效率
图1 。
材料的MAX1954比尔： 4.5V至5.5V输入， 1.65V @ 26A输出
称号
C1
C2-C8
C9
C10-C13
C14
C15
C16
C17, C18
D1
L1
N1, N2
N3, N4
Q1
R1
R2
R3
R4
R5, R6
U1
数量
1
7
1
4
1
1
1
2
1
1
2
2
1
1
1
1
1
2
1
描述
4.7uF的10V X5R陶瓷电容（ 1206 ）太阳
诱电LMK316BJ475ML
22μF的6V X5R陶瓷电容（ 1210 ），太阳诱电
JMK325BJ226MN
0.22uF的陶瓷电容（ 0603 ）
1000uF的4V铝电解电容器三洋
4MV1000EXR
10uF的10V X5R陶瓷电容（ 1210 ）太阳
诱电LMK325BJ106MN
1nF的陶瓷电容（ 0603 ），基美
C0603C102K8RAC
100pF的陶瓷电容（ 0603 ），基美
C0603C101K5GAC
2.2nF陶瓷电容器（ 0603 ），基美
C0603C222K8RAC
百毫安30V肖特基二极管中央半CMPSH - 3
0.5uH电感30A脉冲工程PA0453
12米欧姆30V N沟道MOSFET （ SO - 8 ）国际
整流器IRF7811W
6.5米欧姆30V N沟道MOSFET （ SO - 8 ）国际
整流器IRF7822或Siliconix公司Si4842DY
NPN晶体管（ SOT -23 ）中环半CMPT3904
8.87k欧姆1 ％电阻（ 0603 ）
8.25k欧姆1 ％电阻（ 0603 ）
270K欧姆5 ％电阻（ 0603 ）
1欧姆5 ％的电阻（ 0603 ）
47K欧姆5 ％电阻（ 0603 ）
MAX1954EUB （ 10 - UMAX ）
2002年11月
QQ：2881677436 复制
