AN1672/D
该ECL翻译指南
PECL
LVPECL
NECL
TTL
LVTTL / LVCMOS
CMOS
http://onsemi.com
保罗Shockman ：编制
安森美半导体
应用说明
客观
本应用笔记的目的是提供基本的
设备选择和连接信息，以使能信号
安森美半导体的ECL之间的转换接口
逻辑在不同的供电方式运行该文件还
关于之间的转换提供的信息我们
电致化学发光装置和TTL （5V） ，CMOS （5V） ，或
LVTTL / LVCMOS （ 3.3 V ）器件。翻译界面
与LVDS ，请参阅AN1568 。
翻译和从电致化学发光技术中所讨论
三段划分：
提供不同的第一节翻译
ECL驱动器和接收器
从不同的ECL操作部分2.翻译
模式驱动程序，以非ECL接收器
非ECL驱动第3章翻译
不同的ECL工作模式接收器
一般背景
正确的翻译时出现驱动器的输出逻辑
水平内接收机的规格限制，并且
认可。具体器件数据手册应咨询
对于确切的规格和参数限制。
资源
IBIS和SPICE模型可以在下面找到
www.onsemi.com的大多数设备。一般ECL
信息，也在网上，可以参考如
AND8020 ， AND8066和AND8072 。
TTL和CMOS驱动器通常源电流（在
接收器），在高态和吸收电流（从
接收器） ，在低状态。相比之下， ECL驱动源
电流在两个HIGH和LOW状态（到接收机） 。
接收器输入端不需要任何“终止”，虽然
任何驱动程序可能或可能不要求终止
考量。该驱动器端接考虑可能
位于物理上邻近或内部给一个接收器。
TTL和CMOS器件通常会跨运营
一个正电源电压（V
CC
或V
DD
）和地面。
ECL器件可以在单个正同样操作
供应和V
EE
（地面）为正ECL （ PECL ）或低
电压正ECL （ LVPECL ）还是传统的， ECL
设备可以在整个球场和一个消极的跨越
电源供应器，V
EE
作为负ECL （ NECL ）或低
电压负ECL （ LVNECL ） 。任何设备可以是
与所有引脚通过一个固定的电压偏移，但操作界面
用标准的水平可能需要翻译装置。纯
ECL器件可能在NECL ， PECL ， LVPECL或操作
模式通过简单地转移所有电压等级。当然，一
翻译专用于特定技术的唯一指望
固定电压与通常不能在不同的操作，或
移动的电压模式。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年11月 - 修订版9
出版订单号：
AN1672/D
AN1672/D
不同的ECL工作电源模式一般
被认为是，如表1列示如下。
表1. ECL工作电源模式
PECL
LVPECL
2.5VPECL
2.5VNECL
LVNECL
NECL
V
CC
= 5.0, V
EE
= 0.0
V
CC
= 3.3, V
EE
= 0.0
V
CC
= 2.5, V
EE
= 0.0
V
CC
= 0.0, V
EE
= 2.5
V
CC
= 0.0, V
EE
= 3.3
V
CC
= 0.0, V
EE
= 5.0
标准的非电致化学发光的工作模式是通常
考虑（有一定的电源容限），将作为提交
下面在表2中。
表2.非ECL的工作电源模式
V
CC
= 5.0, V
EE
= 0.0
V
CC
= 3.3, V
EE
= 0.0
V
CC
= 2.5, V
EE
= 0.0
某些设备可以跨越一个或多个操作模式，并
每种模式将允许电源容限。 ECL信号电平
(V
OL
, V
OH
, V
IL
和V
IH
）是从V引用
CC
针
或正电源轨。因此，当电致化学发光装置被操作
从不同的负电源，没有翻译
所需的互连。当在单端操作
配置中，临界输入参数为V
IL
和V
IH
极限（V
IHCMR
和V
pp
被忽略）。当操作
差异，关键限值的输入参数是V
IHCMR
和V
pp
(V
IL
和V
IH
被忽略）。见AND8066的
互连的详细信息。所有的电源引脚，V
CC
，拉斯维加斯会议中心和
GND ，必须连接才能正常工作。 A 0.1
mF
to
0.01
mF
去耦电容从V推荐
CC
到GND 。
V
CC
波纹应当最小化，并且可能需要额外的
滤波网络。
技术之间的大多数翻译界面
需要一个单独的，专用的翻译器IC器件，但有些
较新的ECL器件提供了翻译功能集成到
某些模式控制引脚。几个GigaComm 的
器件提供了可编程的模式引脚，用于选择
控制引脚的翻译水平。 MC10EP195提供延时
选择引脚与用户可编程的TTL ， CMOS或ECL
阈值水平。
另一种翻译方法，盖连接，是
在应用笔记AND8020讨论，第5章
偶可容纳的电平转换时，信号的
“边缘密度”是足够的。否则，编码可能是
需要增加“边缘密度” 。肯定风险
错误的水平时，由于耦合电容的泄漏，可能不
是可以接受的，系统要求可能要求
发现硬盘的水平与有源器件的翻译。
http://onsemi.com
2
AN1672/D
第1节：以不同的方式提供ECL驱动器和接收器之间的转换
表3.不同的方式附送ECL驱动器和接收器之间的转换
要：
来自：
PECL
V
CC
= +5 V
LVPECL
V
CC
= +3.3 V
PECL
V
CC
= +5 V
标准连接
LVPECL
V
CC
= +3.3 V
LVEL92
LVNECL
V
EE
= 3.3 V
LVEL91
NECL
V
EE
= -4.5 -5.2 V
EL91
EL17
EP17
LVEL16
LVEL17
EL90
直接连接
LVEL91
LVEP91
LVEP91
LVNECL
V
EE
= 3.3 V
NECL
V
EE
= -4.5 V至-5.2 V
LVEL90
标准连接
直接连接
EL90
LVEL90
标准连接
标准连接
从PECL到LVPECL
该MC100LVEL92转换从PECL信号
(V
CC
= 5.0, V
EE
= 0.0）操作模式驱动到一个LVPECL
V
CC
= 3.3, V
EE
= 0.0操作模式接收机。
从PECL到NECL
该MC100EL91转换从PECL信号
(V
CC
= 5.0, V
EE
= 0.0）操作模式驱动到一个NECL
(V
CC
= 0.0, V
EE
= -5.0 ）操作模式的接收器。
从PECL到LVNECL
该MC100LVEL91转换从PECL信号
(V
CC
= 5.0, V
EE
= 0.0）操作模式驱动到一个LVNECL
(V
CC
= 0.0, V
EE
= -3.3 ）操作模式的接收器。
从LVPECL到PECL
MC100EL13 ， MC100EL14 ， MC100EL29 ， MC100EL56
也可以接受为LVPECL接收差分。
大部分的“E” （ ECLinPS ）中， “EL” （ ECLinPS精简版）
10H / 100H ，或10XXX系列器件没有一个
足够低的V
IHCMRmin
接收LVPECL 。
当LVPECL模式接收器驱动单端，
关键参数是V
IL
和V
IH
. V
IHCMRmin
（或
V
CMRmin
）可以被忽略。一个PECL接收器V
一部作品
,
通常>3.0 V，将不够低承认
司机高水平，不会允许适当的互连。
从LVPECL到LVNECL
对于差分PECL接收机的关键参数
用差分LVPECL驱动程序是正确的接口
V
IHCMRmin
（或V
CMRmin
). V
IH
和V
IL
限制可能
无视差分接收。假设没有切
从痕迹的损失，如果LVPECL驱动器V
OHmin
水平是更
阳性（高于）在V
IHCMRmin
差分的规格
PECL的接收机，该设备将正确翻译或水平
转变，从LVPECL到PECL 。例如，假设一个
MC100EP16经营差异的LVPECL模式
(V
CC
= 3.3, V
EE
= 0.0 ）与最差情况V
OHmin
2.155 V，
驱动MC100EP17差分接收器的操作
PECL模式（V
CC
= 5.0, V
EE
= 0.0） 。该MC100EP17
接收器规格V
IHCMRmin
是2.0 V和永远正确
识别驱动器高电平2.155 V（或更高版本） 。该
该MC100LVEL91转换从PECL信号
(V
CC
= 5.0, V
EE
= 0.0）操作模式驱动一个
LVNECL （V
CC
= 0.0, V
EE
= -3.3 ）操作模式的接收器。
从LVPECL到NECL
该MC100EL91转换从LVPECL信号
(V
CC
= 3.3, V
EE
= 0.0）操作模式驱动到一个NECL
(V
CC
= 0.0, V
EE
= -5.0 ）操作模式的接收器。
从LVNECL到PECL
该MC100EL90转换从LVNECL信号
(V
CC
= 0.0, V
EE
= -3.3 ）操作模式驱动程序到PECL
(V
CC
= 5.0, V
EE
= 0.0）操作模式的接收器。
从LVNECL到LVPECL
该MC100LVEL90转换从LVNECL信号
(V
CC
= 0.0, V
EE
= -3.3 ）操作模式驱动程序到PECL
(V
CC
= 3.3, V
EE
= 0.0）操作模式的接收器。
http://onsemi.com
3
AN1672/D
第2节：从不同的ECL工作模式驱动程序，以非ECL接收翻译
下表显示可以从不同的ECL运行的驱动程序不ECL接收器转换的选项。
表4.不同的ECL工作模式驱动程序，以非ECL接收翻译
要：
来自：
PECL
V
CC
= +5 V
TTL
V
CC
= +5 V
H350
H607
ELT21
ELT23
ELT28*
ELT21
ELT23
LVTTL / LVCMOS
V
CC
= 3.3 V
LVEL92 + LVELT23
或EPT21
或EPT23
或LVELT23
或EPT26
EPT21
EPT23
LVELT23
EPT26
EPT25
EPT25
CMOS
V
DD
= 5 V
PECL到TTL或PECL到LVTTL / LVCMOS
翻译和HCT或ACT
LVPECL
V
CC
= +3.3 V
LVPECL到LVTTL翻译和
HCT或ACT输入
LVNECL
V
EE
= 3.3 V
NECL
V
EE
= -4.5 -5.2 V
ELT25
EPT25*
H125
H601
H603
H605
H680*
H681*
ELT25
EPT25*
LVNECL / TTL转换为HCT或
ACT输入
NECL / TTL转换为HCT或
ACT输入
*请参阅文段的细节
从PECL到TTL
MC10H350为PECL到TTL
几个设备提供从翻译信号
PECL模式驱动程序，以5 V TTL提供的接收器。该
MC10H350工作在频率范围从直流到
约50MHz 。虽然操作是可能的，以80兆赫，
输出将不能维持充分Spec V车型
OH
平轧断
以更高的频率。
开放，浮动差分输入上的栅将强制
TTL输出到默认的低电平。通过增加一个上拉电阻
1千瓦到4千瓦，设备的输出将直接与接口
CMOS （5V）输入。该器件的输入引脚“共模
范围“ ，V
IHCMR
最小值到最大值，不足以允许
识别LVPECL级别的。单端工作
该MC10H350将需要700毫伏的输入信号摆动
峰 - 峰或更大。
输出由引脚9 ， OE启用，变低。如果不
飘开， MC10H350引脚9将默认为低电平。最差
从输出到输出设备中的情况下发生偏斜
从输入下降沿到输出的下降沿，在125 ℃以
1.4纳秒。对于输入的上升沿到输出上升沿，
最坏情况歪斜为约1毫微秒（在-55 ℃）。设备到设备
摆小于800 ps的偏移，从部分的一部分。输出驱动器
会出来饱和与80毫安 - 百毫安，降低
V
OH
的水平。
MC10H607 / MC100H607为PECL到TTL
该MC10H607和MC100H607注册PECL
为TTL转换器。标准输出测试条件负载
50 pF和500
W
到GND 。 MR，引脚19 ，将默认低
飘开的时候，允许操作。输入引脚
“共模”的范围是不够的，以允许识别
的LVPECL级别。
ELT21 / 23/ 28 PECL到TTL
ECL投入ELT21 / 23/ 28与50千瓦的内部
下拉电阻。如果两个ECL ELT21 / 23输入被拉
低于1.3 V ，超控电路将强制输出Q为
HIGH ， LOW QB 。通过加入1的输出上拉电阻
4千瓦，设备将具有CMOS （5V）的输入接口。该
输入共模范围为ELT21 / ELT23一般
被认为是足够的（2.2体积），允许识别
PECL高水平（ >4 V）允许翻译。单身
端操作可以实现与Ⅴ
BB
参考
电压置于nondriven差分输入上。如果V
BB
销存在，则它用或左时应绕过
浮开放闲置时。一个简单的V
BB
供应可
由一个电阻分压器提供适当的开关在
点电压保持占空比（见AND8066 ） 。一
高电流可以从一个简单的缓冲栅极作为创建
在AND8020所示，图22 。
这些ELT TTL器件通常显示>2X的
所需的数据表的车程。例如，在V
OLmax
(0.5 V)
所需的下沉驱动电流为24 mA和实际的驱动器
>>50毫安。在V
OHmin
（2.4 V）时，该规范采购驱动
电流为3.0 mA和典型设备将源>>8毫安。
卸载V
OH
最大可能达到尽可能积极的4.0 V.
http://onsemi.com
4
AN1672/D
将TTL输出的典型的驱动电流强度，示于下表2中，表5和表6中，和它们的图形，
图1和图2 。
表5. ELT TTL系列驱动低电流（I
OL
） VS
电压（V
OL
)
I
OL
0.010
0.020
0.030
0.040
0.079
0.118
V
OL
0.162
0.209
0.256
0.303
0.465
0.628
0.02
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
V
OL
(V)
0.5
0.6
0.7
I
OL
（MA ）
I
OH
（MA ）
0.08
0.06
0.04
0.12
0.10
图1. ELT TTL系列驱动低电流（I
OL
)
相对于电压（V
OL
)
表6. ELT系列的TTL驱动大电流（I
OH
） VS
电压（V
OH
)
I
OH
0.0379
0.0316
0.0249
0.0164
0.0091
0.0031
0.001
V
OH
2
2.26
2.508
2.9
3.167
3.339
3.4
0
2
2.5
V
OH
(V)
3
3.5
0.01
0.02
0.04
0.03
图2. ELT系列的TTL驱动大电流（I
OH
)
相对于电压（V
OL
)
在HIGH典型的ELT系列的TTL输出阻抗
国家约为43
W.
在低态输出阻抗为
约42
W.
典型的牛逼
PLH
和T
PHL
可能不同多达0.5纳秒。在
更高的频率时，输出摆动将会减小。增益
通常约五和投入至少需要
200 mVpp的摆动。抖动通常是500 ps的。测量
在1.5 V的交流特性，如T是由
pd
和
歪斜。
从PECL到LVTTL
从PECL到CMOS
从PECL翻译为CMOS完成
通过两个阶段，从PECL到中间阶段
（如TTL或LVTTL ） ，然后从中间
舞台上的CMOS 。当中间阶段是通过
TTL ，那么最后阶段将要使用的CMOS从TTL
任何HCT类型的设备（如MC74HCT245A ） ，或
ACT （即MC74ACT244 ） 。
从LVPECL到TTL
这个翻译需要两个设备为一个直接的，有源
连接。首先，从PECL电平移位到LVPECL是
与MC100LVEL92完成。然后，从翻译
LVPECL到LVTTL ，是用无论是LVELT23 ，
EPT21 ， EPT23 ， LVELT23 ，或EPT26 （见下文段） 。
没有测序需要在加电的
MC100LVEL92 ，虽然这两个正电源电平，V
CC
和LVCC ，必须连接才能正常工作。
从LVPECL转换为TTL将类似于
“ PECL到LVTTL ”与现有段应
检讨。输入共模范围最大（ 2.2 V ）
对于ELT21 / ELT23通常被认为是足够
以允许识别LVPECL高级别（ >2.2 V）中，从而
允许适当的翻译。
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
