AN101
简介场效应管
介绍
所述场效应晶体管的基本原理（FET ）具有
自1925年乙脑利林费尔德的专利被称为
在由肖克利FET的理论描述
1952铺平了道路的经典电子 - 发展
IC器件提供设计手段AC-
complish几乎所有的电路功能。有一段时间，该
场效应晶体管被称为“单极”晶体管
器。该术语是指这样的事实，电流被输送
通过一个极性（多数）的载体，而在CON组
两种极性的常规双极晶体管的载体
（多数派和少数派），都参与其中。
本应用笔记提供了一个洞察本质
场效应管，并在其基本特征简略地谈到，之三
术语进行，参数和典型应用。
的FET应用下面的列表显示了ver-
satility场效应管系列：
放大器器
S
小信号
S
低失真
S
高增益
S
低噪音
S
选择性
S
DC
S
高频
FET器件（图1）的家族树可以被划分
分为两个主要分支，结场效应晶体管（ JFET的）和Insu-
迟来门场效应管（ MOSFET的或金属 - 氧化物 - semicon-
导体场效应晶体管） 。结场效应晶体管在 -
herently耗尽型器件，以及在可用的
两个n型和p型沟道结构。 MOSFET是
可在这两个增强和耗尽模式，并
还存在两个n沟道和p沟道器件。两个主
FET集团依靠其OP-不同的现象
关合作，以及将单独讨论。
结场效应晶体管
在其最基本的形式中，该晶体管由一个
片的高电阻率的半导体材料（通常为
硅），其构成为广大携带者的信道
呃流动。此电流的大小是由一个控制
电压施加到栅极，这是一个反向偏置的pn
结沿着通道形成。隐在这DE-
scription是JFET之间的根本区别
双极型器件：当所述JFET结被反向偏置
栅极电流几乎为零，而基极电流
租金双极晶体管总是有一些价值更高
于零。 JFET的是一个高输入电阻器件，
而该双极晶体管的输入电阻是的COM
paratively低。如果信道被掺杂有施主impu-
RITY ， n型材料形成和沟道电流
将包括电子。如果信道被掺杂有
受主杂质， p型材料将被形成，并且
路电流将包括孔。 N沟道器件
具有比p沟道类型更大的导电性，因为
电子具有比孔高流动性;因此正信
NEL JFET的大约两倍的效率的导体
相比于它们的p-通道对应。
开关
S
斩波式
S
模拟门
S
通讯
保护二极管
S
低漏电
限流
压控电阻
调音台
振荡器
场效应管
连接点
MOS
耗竭
增强
不可能
p
n
耗竭
增强
n
p
n
p
图1 。
FET家谱
更新本应用笔记可以通过传真致电Siliconix公司FaxBack ， 1-408-970-5600索取。请要求FaxBack文档＃ 70594 。
Siliconix公司
10-Mar-97
1
AN101
MOSFET的
该金属氧化物半导体场效应晶体管（ MOSFET），取决于
这样的事实：它实际上不是必需的，以形成一个半
一个场效应管来实现栅极的沟道上导体结
控制通道电流。在MOSFET ，金属
或多晶硅栅极被从信道分离用薄lay-
的二氧化硅（图6a）呃。虽然的底部
绝缘层与所述p型硅接触子
施特拉特，这发生在此界面的物理过程
支配的自由电子将积聚在界面
颠倒p型材料和自发形成
n型沟道。因此，传导路径之间的存在
扩散的n型沟道源区和漏区。
有，但是，一些基本的性能昼夜温差
MOSFET和JFET的之间ferences 。 JFET的，由NA-
TURE ，操作只能在耗尽模式。即，一个反向
栅极偏置耗尽，或夹断沟道电流的流动
租。一个MOSFET ，凭借其电绝缘
门，可以制造以执行如任一depletion-
模式或增强型场效应晶体管。相当不同的JFET ，
一个耗尽型MOSFET也将执行作为烯
hancement型FET 。
而绝大多数的JFET在用作描述
图3和图4中， MOSFET的可以假设几种形式和
操作中既耗尽/增强模式或烯
只有hancement模式。
G
S
金属
D
绝缘
层
N
P
V
GS
基板
G
S
I
D
D
I
D
+
–
V
DS
N
6a)
理想化的横截面的
N沟道耗尽型MOSFET的
6b)
电路安排
N沟道耗尽型MOSFET
V
DS
= V
GS
– V
GS （ TH）
欧姆地域特征
200
I
D
- 漏电流（mA ）
160
–0.2 V
120
–0.4 V
80
–0.6 V
40
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
DS
- 漏源电压（ V）
–0.8 V
–1 V
V
GS
= 0.2 V
1.0
0V
I
D
- 漏极电流（ A）
0.8
0.6
0.4
欧姆地域特征
6V
V
GS
= 10 V
T
J
= 25_C
4V
5V
3V
0.2
2V
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
V
DS
- 漏源电压（ V）
6c)
家庭输出特性的
对于N沟道耗尽型MOSFET
图6 。
6d)
家庭输出特性为
N沟道增强型MOSFET
4
Siliconix公司
10-Mar-97
AN101
有三种类型的小信号MOSFET 。首先，我们
有平面的，横向MOSFET ，类似于在该示
图6a 。由于n掺杂沟道跨越的
从源极到漏极，它执行作为n沟道耗竭
化型MOSFET的方式没有什么不同的
耗尽型JFET时，正确的polar-的电压
两者均被施加到栅极，如图6b所示。然而，如果我们
正向偏置的栅极（即，将一个栅极电压，其
极性等于漏极电压极性）的额外elec-
轰击铅板将栅极下方吸引到的区域中，进一
疗法增强 - 和反相（从P到n）的区域。
作为沟道区变厚，沟道电阻
将进一步降低，从而允许更大的沟道电流
流量超出认定为我
DSS
正如我们在家庭中看到
在图6c中的输出特性。
的MOSFET ，也可以构成为增强 -
模式仅性能，如示于图7不同的是
耗尽型器件，该增强型MOSFET
提供源极和漏极之间不存在信道。直到一
在栅极正偏压增强的信道通过吸引
栅极氧化物下方的电子将电流开始流动
（图6d ） 。
门
来源
漏
精确定义的短沟道而导致的“漂移
区域“从剩余的p型掺杂的硅所得
体和轻n型掺杂的离子注入。
门
来源
金属
氧化
漏
尽管图7和图8示出了n沟道enhance-
换货模式DMOS场效应管，通过反向掺杂SE-
quences ， p沟道DMOS场效应管可以很容易地进行制造。
此外，通过轻轻滑过短沟道掺杂
和漂移区，耗尽型DMOS FET的可
建造。
如短沟道的结果， MOSFET被允许
在“速度饱和度”，并作为一个结果，操作
漂移区的MOSFET提供更高的工作电压
老少皆宜。在一起，短沟道和漂移区提供
低导通电阻和低的极间电容，
特别是栅极到漏极，V
GD
.
速度饱和再加上低的极钙
pacitance为我们提供了高速和高频per-
性能。
门
N–
来源
金属
P+
氧化
N
N
P型硅
体
图7 。
平面增强型MOS横截面
N–
P+
较新的MOSFET提供更优异的性能是
横向双扩散或DMOS FET 。由于俪的
的光刻掩膜mitations ，早前， OLD-
呃式MOSFET受到严重限制了性能。
其中的一些前局限性涉及开关
速度，信道系数（过高的R
DS
） ，以及电流
租处理一般。横向DMOS FET删除
这些限制，提供的一个可行的替代方案
所述JFET和砷化镓场效应管，用于视频和高速
开关应用。
横向DMOS FET根本不同在其通道
建筑与旧的平面比较时MOSFET导
FET 。注意，双扩散源注入到im-
种植的p型掺杂沟道区中，在图8中示出
DMOS的改进的性能是两者的结果
Siliconix公司
10-Mar-97
图9 。
垂直N沟道增强模式
DMOS FET
短沟道的新颖性的DMOS FET导致
又一个更先进，更高电压的变化， higher-
电流MOSFET ：垂直双扩散MOSFET
（图9） 。其中，该垂直MOSFET提供了改进的
功率处理能力，其根本的缺点是
这是因为它的结构，并且对由于在较小程度上
它的大小，它失败挑战高速性能
的横向DMOS FET 。因此，垂直和lat-
ERAL DMOS场效应管相互补充，多种选择
的应用程序。
5
N+
N+
P
N–
P型硅
基板
网络连接gure 8 。
平面增强模式DMOS
N+
漏
AN101
简介场效应管
介绍
所述场效应晶体管的基本原理（FET ）具有
自1925年乙脑利林费尔德的专利被称为
在由肖克利FET的理论描述
1952铺平了道路的经典电子 - 发展
IC器件提供设计手段AC-
complish几乎所有的电路功能。有一段时间，该
场效应晶体管被称为“单极”晶体管
器。该术语是指这样的事实，电流被输送
通过一个极性（多数）的载体，而在CON组
两种极性的常规双极晶体管的载体
（多数派和少数派），都参与其中。
本应用笔记提供了一个洞察本质
场效应管，并在其基本特征简略地谈到，之三
术语进行，参数和典型应用。
的FET应用下面的列表显示了ver-
satility场效应管系列：
放大器器
S
小信号
S
低失真
S
高增益
S
低噪音
S
选择性
S
DC
S
高频
FET器件（图1）的家族树可以被划分
分为两个主要分支，结场效应晶体管（ JFET的）和Insu-
迟来门场效应管（ MOSFET的或金属 - 氧化物 - semicon-
导体场效应晶体管） 。结场效应晶体管在 -
herently耗尽型器件，以及在可用的
两个n型和p型沟道结构。 MOSFET是
可在这两个增强和耗尽模式，并
还存在两个n沟道和p沟道器件。两个主
FET集团依靠其OP-不同的现象
关合作，以及将单独讨论。
结场效应晶体管
在其最基本的形式中，该晶体管由一个
片的高电阻率的半导体材料（通常为
硅），其构成为广大携带者的信道
呃流动。此电流的大小是由一个控制
电压施加到栅极，这是一个反向偏置的pn
结沿着通道形成。隐在这DE-
scription是JFET之间的根本区别
双极型器件：当所述JFET结被反向偏置
栅极电流几乎为零，而基极电流
租金双极晶体管总是有一些价值更高
于零。 JFET的是一个高输入电阻器件，
而该双极晶体管的输入电阻是的COM
paratively低。如果信道被掺杂有施主impu-
RITY ， n型材料形成和沟道电流
将包括电子。如果信道被掺杂有
受主杂质， p型材料将被形成，并且
路电流将包括孔。 N沟道器件
具有比p沟道类型更大的导电性，因为
电子具有比孔高流动性;因此正信
NEL JFET的大约两倍的效率的导体
相比于它们的p-通道对应。
开关
S
斩波式
S
模拟门
S
通讯
保护二极管
S
低漏电
限流
压控电阻
调音台
振荡器
场效应管
连接点
MOS
耗竭
增强
不可能
p
n
耗竭
增强
n
p
n
p
图1 。
FET家谱
更新本应用笔记可以通过传真致电Siliconix公司FaxBack ， 1-408-970-5600索取。请要求FaxBack文档＃ 70594 。
Siliconix公司
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1
AN101
MOSFET的
该金属氧化物半导体场效应晶体管（ MOSFET），取决于
这样的事实：它实际上不是必需的，以形成一个半
一个场效应管来实现栅极的沟道上导体结
控制通道电流。在MOSFET ，金属
或多晶硅栅极被从信道分离用薄lay-
的二氧化硅（图6a）呃。虽然的底部
绝缘层与所述p型硅接触子
施特拉特，这发生在此界面的物理过程
支配的自由电子将积聚在界面
颠倒p型材料和自发形成
n型沟道。因此，传导路径之间的存在
扩散的n型沟道源区和漏区。
有，但是，一些基本的性能昼夜温差
MOSFET和JFET的之间ferences 。 JFET的，由NA-
TURE ，操作只能在耗尽模式。即，一个反向
栅极偏置耗尽，或夹断沟道电流的流动
租。一个MOSFET ，凭借其电绝缘
门，可以制造以执行如任一depletion-
模式或增强型场效应晶体管。相当不同的JFET ，
一个耗尽型MOSFET也将执行作为烯
hancement型FET 。
而绝大多数的JFET在用作描述
图3和图4中， MOSFET的可以假设几种形式和
操作中既耗尽/增强模式或烯
只有hancement模式。
G
S
金属
D
绝缘
层
N
P
V
GS
基板
G
S
I
D
D
I
D
+
–
V
DS
N
6a)
理想化的横截面的
N沟道耗尽型MOSFET的
6b)
电路安排
N沟道耗尽型MOSFET
V
DS
= V
GS
– V
GS （ TH）
欧姆地域特征
200
I
D
- 漏电流（mA ）
160
–0.2 V
120
–0.4 V
80
–0.6 V
40
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
DS
- 漏源电压（ V）
–0.8 V
–1 V
V
GS
= 0.2 V
1.0
0V
I
D
- 漏极电流（ A）
0.8
0.6
0.4
欧姆地域特征
6V
V
GS
= 10 V
T
J
= 25_C
4V
5V
3V
0.2
2V
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
V
DS
- 漏源电压（ V）
6c)
家庭输出特性的
对于N沟道耗尽型MOSFET
图6 。
6d)
家庭输出特性为
N沟道增强型MOSFET
4
Siliconix公司
10-Mar-97
AN101
有三种类型的小信号MOSFET 。首先，我们
有平面的，横向MOSFET ，类似于在该示
图6a 。由于n掺杂沟道跨越的
从源极到漏极，它执行作为n沟道耗竭
化型MOSFET的方式没有什么不同的
耗尽型JFET时，正确的polar-的电压
两者均被施加到栅极，如图6b所示。然而，如果我们
正向偏置的栅极（即，将一个栅极电压，其
极性等于漏极电压极性）的额外elec-
轰击铅板将栅极下方吸引到的区域中，进一
疗法增强 - 和反相（从P到n）的区域。
作为沟道区变厚，沟道电阻
将进一步降低，从而允许更大的沟道电流
流量超出认定为我
DSS
正如我们在家庭中看到
在图6c中的输出特性。
的MOSFET ，也可以构成为增强 -
模式仅性能，如示于图7不同的是
耗尽型器件，该增强型MOSFET
提供源极和漏极之间不存在信道。直到一
在栅极正偏压增强的信道通过吸引
栅极氧化物下方的电子将电流开始流动
（图6d ） 。
门
来源
漏
精确定义的短沟道而导致的“漂移
区域“从剩余的p型掺杂的硅所得
体和轻n型掺杂的离子注入。
门
来源
金属
氧化
漏
尽管图7和图8示出了n沟道enhance-
换货模式DMOS场效应管，通过反向掺杂SE-
quences ， p沟道DMOS场效应管可以很容易地进行制造。
此外，通过轻轻滑过短沟道掺杂
和漂移区，耗尽型DMOS FET的可
建造。
如短沟道的结果， MOSFET被允许
在“速度饱和度”，并作为一个结果，操作
漂移区的MOSFET提供更高的工作电压
老少皆宜。在一起，短沟道和漂移区提供
低导通电阻和低的极间电容，
特别是栅极到漏极，V
GD
.
速度饱和再加上低的极钙
pacitance为我们提供了高速和高频per-
性能。
门
N–
来源
金属
P+
氧化
N
N
P型硅
体
图7 。
平面增强型MOS横截面
N–
P+
较新的MOSFET提供更优异的性能是
横向双扩散或DMOS FET 。由于俪的
的光刻掩膜mitations ，早前， OLD-
呃式MOSFET受到严重限制了性能。
其中的一些前局限性涉及开关
速度，信道系数（过高的R
DS
） ，以及电流
租处理一般。横向DMOS FET删除
这些限制，提供的一个可行的替代方案
所述JFET和砷化镓场效应管，用于视频和高速
开关应用。
横向DMOS FET根本不同在其通道
建筑与旧的平面比较时MOSFET导
FET 。注意，双扩散源注入到im-
种植的p型掺杂沟道区中，在图8中示出
DMOS的改进的性能是两者的结果
Siliconix公司
10-Mar-97
图9 。
垂直N沟道增强模式
DMOS FET
短沟道的新颖性的DMOS FET导致
又一个更先进，更高电压的变化， higher-
电流MOSFET ：垂直双扩散MOSFET
（图9） 。其中，该垂直MOSFET提供了改进的
功率处理能力，其根本的缺点是
这是因为它的结构，并且对由于在较小程度上
它的大小，它失败挑战高速性能
的横向DMOS FET 。因此，垂直和lat-
ERAL DMOS场效应管相互补充，多种选择
的应用程序。
5
N+
N+
P
N–
P型硅
基板
网络连接gure 8 。
平面增强模式DMOS
N+
漏
AN101
简介场效应管
介绍
所述场效应晶体管的基本原理（FET ）具有
自1925年乙脑利林费尔德的专利被称为
在由肖克利FET的理论描述
1952铺平了道路的经典电子 - 发展
IC器件提供设计手段AC-
complish几乎所有的电路功能。有一段时间，该
场效应晶体管被称为“单极”晶体管
器。该术语是指这样的事实，电流被输送
通过一个极性（多数）的载体，而在CON组
两种极性的常规双极晶体管的载体
（多数派和少数派），都参与其中。
本应用笔记提供了一个洞察本质
场效应管，并在其基本特征简略地谈到，之三
术语进行，参数和典型应用。
的FET应用下面的列表显示了ver-
satility场效应管系列：
放大器器
S
小信号
S
低失真
S
高增益
S
低噪音
S
选择性
S
DC
S
高频
FET器件（图1）的家族树可以被划分
分为两个主要分支，结场效应晶体管（ JFET的）和Insu-
迟来门场效应管（ MOSFET的或金属 - 氧化物 - semicon-
导体场效应晶体管） 。结场效应晶体管在 -
herently耗尽型器件，以及在可用的
两个n型和p型沟道结构。 MOSFET是
可在这两个增强和耗尽模式，并
还存在两个n沟道和p沟道器件。两个主
FET集团依靠其OP-不同的现象
关合作，以及将单独讨论。
结场效应晶体管
在其最基本的形式中，该晶体管由一个
片的高电阻率的半导体材料（通常为
硅），其构成为广大携带者的信道
呃流动。此电流的大小是由一个控制
电压施加到栅极，这是一个反向偏置的pn
结沿着通道形成。隐在这DE-
scription是JFET之间的根本区别
双极型器件：当所述JFET结被反向偏置
栅极电流几乎为零，而基极电流
租金双极晶体管总是有一些价值更高
于零。 JFET的是一个高输入电阻器件，
而该双极晶体管的输入电阻是的COM
paratively低。如果信道被掺杂有施主impu-
RITY ， n型材料形成和沟道电流
将包括电子。如果信道被掺杂有
受主杂质， p型材料将被形成，并且
路电流将包括孔。 N沟道器件
具有比p沟道类型更大的导电性，因为
电子具有比孔高流动性;因此正信
NEL JFET的大约两倍的效率的导体
相比于它们的p-通道对应。
开关
S
斩波式
S
模拟门
S
通讯
保护二极管
S
低漏电
限流
压控电阻
调音台
振荡器
场效应管
连接点
MOS
耗竭
增强
不可能
p
n
耗竭
增强
n
p
n
p
图1 。
FET家谱
更新本应用笔记可以通过传真致电Siliconix公司FaxBack ， 1-408-970-5600索取。请要求FaxBack文档＃ 70594 。
Siliconix公司
10-Mar-97
1
AN101
MOSFET的
该金属氧化物半导体场效应晶体管（ MOSFET），取决于
这样的事实：它实际上不是必需的，以形成一个半
一个场效应管来实现栅极的沟道上导体结
控制通道电流。在MOSFET ，金属
或多晶硅栅极被从信道分离用薄lay-
的二氧化硅（图6a）呃。虽然的底部
绝缘层与所述p型硅接触子
施特拉特，这发生在此界面的物理过程
支配的自由电子将积聚在界面
颠倒p型材料和自发形成
n型沟道。因此，传导路径之间的存在
扩散的n型沟道源区和漏区。
有，但是，一些基本的性能昼夜温差
MOSFET和JFET的之间ferences 。 JFET的，由NA-
TURE ，操作只能在耗尽模式。即，一个反向
栅极偏置耗尽，或夹断沟道电流的流动
租。一个MOSFET ，凭借其电绝缘
门，可以制造以执行如任一depletion-
模式或增强型场效应晶体管。相当不同的JFET ，
一个耗尽型MOSFET也将执行作为烯
hancement型FET 。
而绝大多数的JFET在用作描述
图3和图4中， MOSFET的可以假设几种形式和
操作中既耗尽/增强模式或烯
只有hancement模式。
G
S
金属
D
绝缘
层
N
P
V
GS
基板
G
S
I
D
D
I
D
+
–
V
DS
N
6a)
理想化的横截面的
N沟道耗尽型MOSFET的
6b)
电路安排
N沟道耗尽型MOSFET
V
DS
= V
GS
– V
GS （ TH）
欧姆地域特征
200
I
D
- 漏电流（mA ）
160
–0.2 V
120
–0.4 V
80
–0.6 V
40
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
DS
- 漏源电压（ V）
–0.8 V
–1 V
V
GS
= 0.2 V
1.0
0V
I
D
- 漏极电流（ A）
0.8
0.6
0.4
欧姆地域特征
6V
V
GS
= 10 V
T
J
= 25_C
4V
5V
3V
0.2
2V
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
V
DS
- 漏源电压（ V）
6c)
家庭输出特性的
对于N沟道耗尽型MOSFET
图6 。
6d)
家庭输出特性为
N沟道增强型MOSFET
4
Siliconix公司
10-Mar-97
AN101
有三种类型的小信号MOSFET 。首先，我们
有平面的，横向MOSFET ，类似于在该示
图6a 。由于n掺杂沟道跨越的
从源极到漏极，它执行作为n沟道耗竭
化型MOSFET的方式没有什么不同的
耗尽型JFET时，正确的polar-的电压
两者均被施加到栅极，如图6b所示。然而，如果我们
正向偏置的栅极（即，将一个栅极电压，其
极性等于漏极电压极性）的额外elec-
轰击铅板将栅极下方吸引到的区域中，进一
疗法增强 - 和反相（从P到n）的区域。
作为沟道区变厚，沟道电阻
将进一步降低，从而允许更大的沟道电流
流量超出认定为我
DSS
正如我们在家庭中看到
在图6c中的输出特性。
的MOSFET ，也可以构成为增强 -
模式仅性能，如示于图7不同的是
耗尽型器件，该增强型MOSFET
提供源极和漏极之间不存在信道。直到一
在栅极正偏压增强的信道通过吸引
栅极氧化物下方的电子将电流开始流动
（图6d ） 。
门
来源
漏
精确定义的短沟道而导致的“漂移
区域“从剩余的p型掺杂的硅所得
体和轻n型掺杂的离子注入。
门
来源
金属
氧化
漏
尽管图7和图8示出了n沟道enhance-
换货模式DMOS场效应管，通过反向掺杂SE-
quences ， p沟道DMOS场效应管可以很容易地进行制造。
此外，通过轻轻滑过短沟道掺杂
和漂移区，耗尽型DMOS FET的可
建造。
如短沟道的结果， MOSFET被允许
在“速度饱和度”，并作为一个结果，操作
漂移区的MOSFET提供更高的工作电压
老少皆宜。在一起，短沟道和漂移区提供
低导通电阻和低的极间电容，
特别是栅极到漏极，V
GD
.
速度饱和再加上低的极钙
pacitance为我们提供了高速和高频per-
性能。
门
N–
来源
金属
P+
氧化
N
N
P型硅
体
图7 。
平面增强型MOS横截面
N–
P+
较新的MOSFET提供更优异的性能是
横向双扩散或DMOS FET 。由于俪的
的光刻掩膜mitations ，早前， OLD-
呃式MOSFET受到严重限制了性能。
其中的一些前局限性涉及开关
速度，信道系数（过高的R
DS
） ，以及电流
租处理一般。横向DMOS FET删除
这些限制，提供的一个可行的替代方案
所述JFET和砷化镓场效应管，用于视频和高速
开关应用。
横向DMOS FET根本不同在其通道
建筑与旧的平面比较时MOSFET导
FET 。注意，双扩散源注入到im-
种植的p型掺杂沟道区中，在图8中示出
DMOS的改进的性能是两者的结果
Siliconix公司
10-Mar-97
图9 。
垂直N沟道增强模式
DMOS FET
短沟道的新颖性的DMOS FET导致
又一个更先进，更高电压的变化， higher-
电流MOSFET ：垂直双扩散MOSFET
（图9） 。其中，该垂直MOSFET提供了改进的
功率处理能力，其根本的缺点是
这是因为它的结构，并且对由于在较小程度上
它的大小，它失败挑战高速性能
的横向DMOS FET 。因此，垂直和lat-
ERAL DMOS场效应管相互补充，多种选择
的应用程序。
5
N+
N+
P
N–
P型硅
基板
网络连接gure 8 。
平面增强模式DMOS
N+
漏
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