先进
单片
系统
特点
集成高侧内部MOSFET驱动器
使用外部低边MOSFET
可调输出电压黎明到0.600V
外部时钟同步
建于启动/停止UVLO
过流和热保护
关断电源电流为1uA <
频率范围： 100kHz至750kHz的
AMS4106
5A SYNCHRONUS PWM降压转换器
符合RoHS
应用
液晶电视和液晶显示器
电脑外设
便携式（笔记本）电脑
工业电源
点调节为高性能电子产品
消费类电子产品
音频功率放大器
概述
的AMS4106是一个介质输出电流的同步降压转换器。高侧器件被集成到设备中。该
AMS4106提供了外部FET的自适应栅极驱动器。对于低电流操作该可更换的肖特基
二极管允许异步操作。本部分有两种250 kHz的固定内部存在PWM频率，或外部
可调至600千赫，允许更小的电感，在效率的关键和更快的瞬态响应是必要的。
的部分采用电流模式控制为简单的补偿和易用性使用低ESR的电容器。它使用一个可编程
要使用软启动降低浪涌电流，并允许较大的输出电容，其中非常低的纹波是必需的。该部分有
使能引脚在关断模式下的虚拟零功耗。一个电源良好具备集电极开路，以方便电源就绪
功能。该器件采用SOIC 16耐热增强型封装。
订购信息
产量
电压
可调整的
套餐类型
16引脚SOIC
AMS4106S
温度。
范围
-25 ° C至125°C
典型用途
引脚连接
16引脚SOIC
(S)
PWRGD 1
SS
2
16
15
FDR
保护地
GND 3
VPWR
VPWR
V
IN
COMP
F / B
4
5
6
7
8
14 LX
13
LX
12 LX
11 BST
10
9
启用
F置
顶视图
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AMS4106
引脚说明
AMS4106
针
号码
1
名字
PWRGD
描述
电源良好输出。集电极开路输出。引脚上的低表明产量不足
比所希望的输出电压。有上的输出的内部上升的过滤器
PWRGD比较。
软启动引脚的电容连接到GND ，缓慢启动了。
模拟地，内部连接到敏感的模拟电路的地。
输入电源电压， 4.5 V至20 V.必须使用低ESR 10-绕过
F的陶瓷电容。
输入电源电压， 4.5到20V加电的内部电路。一个必须绕过
低ESR 10-
F的陶瓷电容。
误差放大器的输出。从COMP连接频率补偿网络到GND 。
误差比较器输入引脚。
外部频率设定100 kHz至750kHz的。
逻辑使能/禁用设备功能。
升压电压输出级驱动器。连接LX引脚和升压之间的电容器。
第一阶段节点 - 连接到外部FET和外部LC滤波器。
从罗斯福驱动器的输出功率回地面噪音的内部接地回路电流
通过保护地
栅极驱动低侧MOSFET 。连接的N沟道MOSFET栅极。
2
3
4, 5
6
7
8
9
10
11
12, 13, 14
15
16
SS
GND
VPWR
V
IN
COMP
F / B
F置
启用
BST
LX
保护地
FDR
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AMS4106
绝对最大额定值
V
IN
F / B
EN
FSET
SS
BST
FDR
PWRGD
COMP
LX
导致Temperature1,6毫米，持续10秒。
-0.3V至30V
-0.3 8.0V
-0.3V至8.0V
-0.3V至4.0V
-0.3V至4.0V
VI （ PH ） + 8.0V
-0.3V至8.5V
0.3V至30V
0.3V至30V
-1.5V至30V
260°C
LX
FDR （稳态电流）
COMP
FDR （稳态电流）
LX （稳态电流）
COMP
SS PWRGD
AGND至PGND
ESD
结温
储存温度
内部限制
500毫安
3毫安
百毫安
500毫安
3毫安
10毫安
±0.3V
2kV
+150°C
-65 ° C至+ 150°C
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
止，并在规定的操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
条件是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
电气特性
在T电气特性
J
= 25
°C
和V = 12V （除非另有说明）
参数
电源电流
工作电流， LX引脚开路，
I
Q
静态电流
无需外部低边MOSFET ，
关机， EN = 0V
启动阈值电压
VIN
停止阈值电压
迟滞
3.69
3
0.5
4.32
3.97
350
0.600
0.600
250
4.49
12
mA
A
V
V
mV
V
V
测试条件
分钟。
AMS4106
典型值。
马克斯。
单位
参考系统精度
T
J
= 25
o
C
参考电压
T
J
= 125
o
C
振荡器（ RT PIN）
F设置开放
内部设定PWM开关
F设定为GND
频率
F设置为VCC
误差放大器F / B和COMP引脚
误差放大器灌电流
运行
误差放大器器源电流
运行
误差放大器器源电流
启动
0.588
0.612
200
300
千赫
千赫
A
A
A
60
1.0
85
98
20
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电气特性（续）
在T电气特性
J
= -40
°C
到125
°C
与输入电压= 4.5V （除非另有说明）
参数
软启动（ SS ）
内部软启动（10％至90％）的
F = 250千赫
F = 500千赫
测试条件
分钟。
AMS4106
典型值。
2.22
4.6
2.3
95%
4
2
0.05
0.075
2
6.1
6.5
4.5
145
10
15
12
60
7.5
5
0.5
1.13
1.08
60
40
7.5
马克斯。
单位
A
ms
POWER GOOD （ PWRGD引脚）
电源正常阈值
上升沿延迟
输出饱和电压
输出饱和电压
集电极开路漏电
PWR
GD
上升的电压
F = 250千赫
F = 500千赫
I
SINK
= 1毫安， VIN > 4.5 V
I
SINK
= 1
A,
VIN = 0 V
在PWRGD = 6 V电压
VIN = 12
F = 500千赫
ms
V
V
A
A
ms
°C
°C
电流限制
电流限制
电流限制打嗝时间
热关断
热关断触发点
热关断迟滞
(1)
低端外部FET驱动器
VIN = 4.5V ，容性负载= 1000 pF的
打开的上升时间， （10％ / 90％）
(1)
VIN = 8 V ，容性负载= 1000 pF的
(1)
VIN = 12 V
死区时间
驱动导通电阻
VIN = 4.5 V汇/源
VIN = 12 V汇/源
输出功率MOSFET （ LX PIN）
LX节点电压时禁用
直流条件和无负载时， EN = 0V
电压降，低边FET和
VIN = 4.5 V ，IDC =百毫安
二极管
VIN = 12 V ，IDC = 100毫安
VIN = 4.5 V ， BST- LX = 4.5 V，I
o
= 0.5 A
r
DS （ ON）
高侧电源开关
VIN = 12V， BST - LX = 8 V，I
o
= 0.5 A
（ 1 ）按设计规定，未经生产测试。
ns
ns
V
1.42
1.38
V
m
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典型性能特性
250kHz至3.3V输出效率
87
86
85
84
%
83
82
81
80
79
0
2
安培
4
6
12V效率
18V效率
0.88
0.87
0.86
0.85
0.84
0.83
0.82
0.81
0.8
0.79
0
1
2
3
输出电流
4
5
6
12V EFF
18V连翘醇提物
5V输出效率
线路调整
0.602
0.6015
反馈电压
反馈电压
0.61
负载Rulation
0.601
0.6005
0.6
0.5995
0.599
0.5985
0.598
5
7
9
11
13
供应
15
17
19
Series1
0.605
0.6
Series1
0.595
0.59
0
1
2
3
安培
4
5
6
频率稳定度
270
268
266
264
262
260
258
256
254
252
250
5
10
电源电压
15
20
频率
Series1
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