先进
单片
系统
特点
快速瞬态响应
输入输出电压差由FET定义使用
非常紧张负载调节
高压侧检测电流限制
AMS2115
快速瞬态响应低压差稳压器
应用
微处理器用品
视频卡供应
低电压逻辑电源
GTL终止
概述
的AMS2115是一个单集成电路控制器，用于驱动外部N沟道MOSFET的源极跟随器，以产生快
该
瞬态响应，低压差稳压器。通过消除昂贵的得到了快速瞬态负载性能
钽电容或在最苛刻的现代微处理器应用大容量电解输出电容。精密调整
可调和固定输出电压版本容纳任何必要的微处理器电源电压。通过选择
N沟道MOSFET的RDS （ ON）非常低的压差电压就可以实现。一个保护功能包括一个高侧电流
限制放大器，启动电路，以限制FET栅极驱动器。一个停机引脚关断栅极驱动和一些内部
电路，以降低静态电流。 AMS2115在8L SOIC和PDIP 8L封装。
订货信息：
套餐类型
8L PDIP
AMS2115P
AMS2115P-1.5
AMS2115P-1.8
AMS2115P-2.5
AMS2115P-3.3
AMS2115P-5.0
8L SOIC
AMS2115S
AMS2115S-1.5
AMS2115S-1.8
AMS2115S-2.5
AMS2115S-3.3
AMS2115S-5.0
工作结
温度范围
-0至125℃的
-0至125℃的
-0至125℃的
-0至125℃的
-0至125℃的
-0至125℃的
S / D
VIN
GND
FB
1
2
3
4
8L SOIC
8L PDIP
8
7
6
5
IPOS
INEG
门
COMP
顶视图
典型应用：
＃ ％ & （
$ ')
+ ,
＆ QUOT ;
+ ,
!
!
*
!
*
!
先进的单片系统公司
www.advanced-monolithic.com
电话（ 925 ） 443-0722
传真：（ 925 ） 443-0723
AMS2115
绝对最大额定值
（注1 ）
输入电压
工作结温范围
ESD
储存温度
20V
0 ° C至125°C
2000V
- 65°C至+ 150°C
焊接信息
焊接温度（ 10秒）
热阻
SO- 8封装
8引脚PDIP封装
300°C
JA
= 130 ° C / W
JA
= 100 ° C / W
电气特性
参数
电源电流
参考电压
输出电压
输出电压
输出电压
输出电压
输出电压
线路调整
输入偏置电流
分频器输出电流
门输出摆幅低
门输出摆幅高
IPOS + INEG电源电流
电流限制门限电压
电流限制门限电压
线路调整
关断电流
（输入关机 - 高）
关断输入逻辑
（关机 - 低）
关断输入逻辑
（关机 - 高）
关闭滞后
输出电压TC
参考电压TC
(V
OUT
TC ）
(V
REF
TC ）
(
I
FB ）
（ ISY ）
(V
REF
)
(V
OUT
)
(V
OUT
)
(V
OUT
)
(V
OUT
)
(V
OUT
)
AMS2115
AMS2115-1.5
AMS2115-1.8
AMS2115-2.5
AMS2115-3.3
AMS2115-5.0
AMS2115-XX
AMS2115
AMS2115-XX
AMS2115-XX
AMS2115-XX
AMS2115-XX
AMS2115-XX
AMS2115-XX
AMS2115-XX
AMS2115-XX
AMS2115-XX
AMS2115-XX
AMS2115-XX
AMS2115
T
A
= 25 ° C，V
IN
= 12V， IPOS = INEG = 5V ， SHDN = 0V ，除非另有说明。
设备
条件
民
1.238
1.485
1.782
2.475
3.267
4.950
10 V
≤
V
IN
≤
20V
FB = V
FB
OUT = V
OUT
I
门
= 0毫安
I
门
= 0毫安
3V
≤
IPOS
≤
20V
V
IN
- 1.6
0.3
42
37
3V
≤
IPOS
≤
20V
V
关闭
= 2.0 V
低（稳压器ON）
高（稳压器关闭）
从高电平变为低电平
T
TA = 125
°C
T
TA = 125
°C
2.0
典型值
4.5
1.250
1.500
1.0
1.800
2.500
3.300
5.000
0.01
-3.0
0.5
0.1
V
IN
- 1
0.625
50
50
-0.20
5.0
1.2
1.5
150
30
30
最大
7
1.26
1.51
5
1.81
2.52
3.33
5.05
0.3
-4.0
1.0
0.5
单位
mA
V
V
V
V
V
V
V
%/V
A
mA
V
V
1.0
58
63
-0.50
8.0
1.4
mA
mV
mV
%/V
A
V
V
mV
PPM /
°C
PPM /
°C
标识参数
黑体字
适用于在整个工作温度范围内。
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。关于规范保证和测试环境，请参阅
电气特性
.
保证规格仅适用于列出的测试条件。
注2 ：
行规保证了最大输入电压。
注3
:
XX表示所有输出电压。
先进的单片系统公司
www.advanced-monolithic.com
电话（ 925 ） 443-0722
传真：（ 925 ） 443-0723
AMS2115
引脚功能
S / D （引脚1 ）
这是一个关断引脚的闭锁提供栅极驱动器
能力。该引脚也输入到参考一个比较器
V
REF
（ 1.25V ） 。当引脚拉上面
V
REF
时，比较器
锁存器的栅极驱动外部MOSFET关断。比较
通常具有滞后150mV的关断引脚可以
拉低复位闭锁功能。该引脚提供
过电压保护和热关断保护时，
从不同的电阻分压器方案驱动。 S / D引脚被钳位
在2.5V 。
V
IN
（ 2脚）
这是输入电源为IC的权力大部分
内部电路提供足够的栅极驱动器符合性
外部N沟道MOSFET 。典型电源电压为12
与静态电流为4.5毫安。最高工作
V
IN
is
20V的MOSFET的最大
I
OUT
+ 1.6V （最坏情况
V
IN
to
GATE输出摆幅） 。
GND （引脚3 ）
模拟地。该引脚也为负感测端子
内部1.25V参考。连接外部反馈分压器
网络端接至GND和频率补偿
组件终止，直接到GND该引脚为最佳
监管和性能。
FB （引脚4 ）可调版本
这是误差放大器的可调整的反相输入端
电压AMS 2115的同相输入端连接到内部
1.25V的参考。输入偏置电流，该引脚通常是 - 3
A
流出引脚。这个引脚通常连接到一个电阻器
分压网络来设置输出电压。配合外部的顶
直接电阻分压器的输出电压调节最佳
性能。
OUT （引脚4 ）固定输出电压
这是误差放大器的所述固定电压的AMS的输入
2115 -X 。固定电压器件内置一个精密电阻
分压网络来设置输出电压。典型的电阻分压器
电流为1毫安的销。直接将该引脚连接到输出
电压调节最佳的性能。
COMP （引脚5 ）
这是误差放大器的高阻抗增益节点，节点
用于外部频率补偿。频率
补偿通常与一个串联的RC网络，以执行
地面上。
GATE （引脚6 ）
这是误差放大器，用于驱动N沟道输出
的MOSFET与“有效”的栅极电容高达5000pf 。该
典型的开环输出阻抗为2Ω 。当使用低输入
电容的MOSFET （ ， 1500pF ） ， 2Ω的一个小门电阻
10Ω衰减由LC谐振产生高频振荡
由MOSFET栅极的引线电感和输入创建
电容。 GATE引脚可提供高达50mA的几
百纳秒回转N型沟道的栅极时
MOSFET响应输出负载电流瞬变。
INEG （引脚7 ）
这是限流放大器的负感测端子。一
小检测电阻串联连接的漏极
外部MOSFET和连接的IPO和INEG之间
销。与意义结合50mV的阈值电压
电阻值设置电流限制水平。电流检测电阻
可以是低价值收口或者可以由一块印刷电路板的制作
追查。如果限流放大器不使用扳平INEG和
IPOS到电源输入电压。此操作将禁用限流
放大器。
IPOS （引脚8 ）
这是限流放大器的积极意义的终端。
直接将该引脚连接到主电源输入电压从
所述输出电压被调节。该引脚也输入到
比较器，用于监视电源的输入电压，并保持
栅极电压为低电平，直到电源输入电压至少为1V 。这
防止外部N沟道MOSFET导通V前
电源接通，从而消除可能的电压尖峰，在输出
电压时通电。
先进的单片系统公司
www.advanced-monolithic.com
电话（ 925 ） 443-0722
传真：（ 925 ） 443-0723
AMS2115
包装尺寸
英寸（毫米） ，除非另有说明。
8引脚SOIC塑料封装（ S）
0.189-0.197*
(4.801-5.004)
8
7
6
5
0.228-0.244
(5.791-6.197)
0.150-0.157**
(3.810-3.988)
1
2
3
4
0.053-0.069
(1.346-1.752)
0.010-0.020 x 45°
(0.254-0.508)
0.004-0.010
(0.101-0.254)
0.008-0.010
(0.203-0.254)
0 ° -8 ° TYP
0.014-0.019
(0.355-0.483)
0.050
(1.270)
典型值
0.016-0.050
(0.406-1.270)
S（ SO - 8 ） AMS DRW ＃ 042293
*尺寸不包括塑模毛边。毛边
不得超过0.006" （ 0.152毫米）每边
**尺寸不包括引脚间。引脚间
FLASH不得超过0.010" （ 0.254毫米）每边
8引脚塑料DIP封装（ P）
0.400*
(10.160)
最大
8
7
6
5
0.255±0.015*
(6.477±0.381)
1
2
3
4
0.045-0.065
(1.143-1.651)
0.130±0.005
(3.302±0.127)
0.300-0.325
(7.620-8.255)
0.065
(1.651)
典型值
0.005
(0.127)
民
0.100±0.010
(2.540±0.254)
0.125
(3.175)
民
0.018±0.003
(0.457±0.076)
0.009-0.015
(0.229-0.381)
0.015
(0.380)
民
0.325 +0.025
-0.015
(
8.255 +0.635
)
-0.381
P（ 8L PDIP ） AMS DRW ＃ 042294
*尺寸不包括塑模毛边或PROTUSIONS 。
塑模毛边或PROTUSIONS不得超过0.010" （ 0.254毫米）
先进的单片系统公司
www.advanced-monolithic.com
电话（ 925 ） 443-0722
传真：（ 925 ） 443-0723
先进
单片
系统
特点
快速瞬态响应
输入输出电压差由FET定义使用
非常紧张负载调节
高压侧检测电流限制
AMS2115
快速瞬态响应低压差稳压器
应用
微处理器用品
视频卡供应
低电压逻辑电源
GTL终止
概述
的AMS2115是一个单集成电路控制器，用于驱动外部N沟道MOSFET的源极跟随器，以产生快
该
瞬态响应，低压差稳压器。通过消除昂贵的得到了快速瞬态负载性能
钽电容或在最苛刻的现代微处理器应用大容量电解输出电容。精密调整
可调和固定输出电压版本容纳任何必要的微处理器电源电压。通过选择
N沟道MOSFET的RDS （ ON）非常低的压差电压就可以实现。一个保护功能包括一个高侧电流
限制放大器，启动电路，以限制FET栅极驱动器。一个停机引脚关断栅极驱动和一些内部
电路，以降低静态电流。 AMS2115在8L SOIC和PDIP 8L封装。
订货信息：
套餐类型
8L PDIP
AMS2115P
AMS2115P-1.5
AMS2115P-1.8
AMS2115P-2.5
AMS2115P-3.3
AMS2115P-5.0
8L SOIC
AMS2115S
AMS2115S-1.5
AMS2115S-1.8
AMS2115S-2.5
AMS2115S-3.3
AMS2115S-5.0
工作结
温度范围
-0至125℃的
-0至125℃的
-0至125℃的
-0至125℃的
-0至125℃的
-0至125℃的
S / D
VIN
GND
FB
1
2
3
4
8L SOIC
8L PDIP
8
7
6
5
IPOS
INEG
门
COMP
顶视图
典型应用：
＃ ％ & （
$ ')
+ ,
＆ QUOT ;
+ ,
!
!
*
!
*
!
先进的单片系统公司
www.advanced-monolithic.com
电话（ 925 ） 443-0722
传真：（ 925 ） 443-0723
AMS2115
绝对最大额定值
（注1 ）
输入电压
工作结温范围
ESD
储存温度
20V
0 ° C至125°C
2000V
- 65°C至+ 150°C
焊接信息
焊接温度（ 10秒）
热阻
SO- 8封装
8引脚PDIP封装
300°C
JA
= 130 ° C / W
JA
= 100 ° C / W
电气特性
参数
电源电流
参考电压
输出电压
输出电压
输出电压
输出电压
输出电压
线路调整
输入偏置电流
分频器输出电流
门输出摆幅低
门输出摆幅高
IPOS + INEG电源电流
电流限制门限电压
电流限制门限电压
线路调整
关断电流
（输入关机 - 高）
关断输入逻辑
（关机 - 低）
关断输入逻辑
（关机 - 高）
关闭滞后
输出电压TC
参考电压TC
(V
OUT
TC ）
(V
REF
TC ）
(
I
FB ）
（ ISY ）
(V
REF
)
(V
OUT
)
(V
OUT
)
(V
OUT
)
(V
OUT
)
(V
OUT
)
AMS2115
AMS2115-1.5
AMS2115-1.8
AMS2115-2.5
AMS2115-3.3
AMS2115-5.0
AMS2115-XX
AMS2115
AMS2115-XX
AMS2115-XX
AMS2115-XX
AMS2115-XX
AMS2115-XX
AMS2115-XX
AMS2115-XX
AMS2115-XX
AMS2115-XX
AMS2115-XX
AMS2115-XX
AMS2115
T
A
= 25 ° C，V
IN
= 12V， IPOS = INEG = 5V ， SHDN = 0V ，除非另有说明。
设备
条件
民
1.238
1.485
1.782
2.475
3.267
4.950
10 V
≤
V
IN
≤
20V
FB = V
FB
OUT = V
OUT
I
门
= 0毫安
I
门
= 0毫安
3V
≤
IPOS
≤
20V
V
IN
- 1.6
0.3
42
37
3V
≤
IPOS
≤
20V
V
关闭
= 2.0 V
低（稳压器ON）
高（稳压器关闭）
从高电平变为低电平
T
TA = 125
°C
T
TA = 125
°C
2.0
典型值
4.5
1.250
1.500
1.0
1.800
2.500
3.300
5.000
0.01
-3.0
0.5
0.1
V
IN
- 1
0.625
50
50
-0.20
5.0
1.2
1.5
150
30
30
最大
7
1.26
1.51
5
1.81
2.52
3.33
5.05
0.3
-4.0
1.0
0.5
单位
mA
V
V
V
V
V
V
V
%/V
A
mA
V
V
1.0
58
63
-0.50
8.0
1.4
mA
mV
mV
%/V
A
V
V
mV
PPM /
°C
PPM /
°C
标识参数
黑体字
适用于在整个工作温度范围内。
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。关于规范保证和测试环境，请参阅
电气特性
.
保证规格仅适用于列出的测试条件。
注2 ：
行规保证了最大输入电压。
注3
:
XX表示所有输出电压。
先进的单片系统公司
www.advanced-monolithic.com
电话（ 925 ） 443-0722
传真：（ 925 ） 443-0723
AMS2115
引脚功能
S / D （引脚1 ）
这是一个关断引脚的闭锁提供栅极驱动器
能力。该引脚也输入到参考一个比较器
V
REF
（ 1.25V ） 。当引脚拉上面
V
REF
时，比较器
锁存器的栅极驱动外部MOSFET关断。比较
通常具有滞后150mV的关断引脚可以
拉低复位闭锁功能。该引脚提供
过电压保护和热关断保护时，
从不同的电阻分压器方案驱动。 S / D引脚被钳位
在2.5V 。
V
IN
（ 2脚）
这是输入电源为IC的权力大部分
内部电路提供足够的栅极驱动器符合性
外部N沟道MOSFET 。典型电源电压为12
与静态电流为4.5毫安。最高工作
V
IN
is
20V的MOSFET的最大
I
OUT
+ 1.6V （最坏情况
V
IN
to
GATE输出摆幅） 。
GND （引脚3 ）
模拟地。该引脚也为负感测端子
内部1.25V参考。连接外部反馈分压器
网络端接至GND和频率补偿
组件终止，直接到GND该引脚为最佳
监管和性能。
FB （引脚4 ）可调版本
这是误差放大器的可调整的反相输入端
电压AMS 2115的同相输入端连接到内部
1.25V的参考。输入偏置电流，该引脚通常是 - 3
A
流出引脚。这个引脚通常连接到一个电阻器
分压网络来设置输出电压。配合外部的顶
直接电阻分压器的输出电压调节最佳
性能。
OUT （引脚4 ）固定输出电压
这是误差放大器的所述固定电压的AMS的输入
2115 -X 。固定电压器件内置一个精密电阻
分压网络来设置输出电压。典型的电阻分压器
电流为1毫安的销。直接将该引脚连接到输出
电压调节最佳的性能。
COMP （引脚5 ）
这是误差放大器的高阻抗增益节点，节点
用于外部频率补偿。频率
补偿通常与一个串联的RC网络，以执行
地面上。
GATE （引脚6 ）
这是误差放大器，用于驱动N沟道输出
的MOSFET与“有效”的栅极电容高达5000pf 。该
典型的开环输出阻抗为2Ω 。当使用低输入
电容的MOSFET （ ， 1500pF ） ， 2Ω的一个小门电阻
10Ω衰减由LC谐振产生高频振荡
由MOSFET栅极的引线电感和输入创建
电容。 GATE引脚可提供高达50mA的几
百纳秒回转N型沟道的栅极时
MOSFET响应输出负载电流瞬变。
INEG （引脚7 ）
这是限流放大器的负感测端子。一
小检测电阻串联连接的漏极
外部MOSFET和连接的IPO和INEG之间
销。与意义结合50mV的阈值电压
电阻值设置电流限制水平。电流检测电阻
可以是低价值收口或者可以由一块印刷电路板的制作
追查。如果限流放大器不使用扳平INEG和
IPOS到电源输入电压。此操作将禁用限流
放大器。
IPOS （引脚8 ）
这是限流放大器的积极意义的终端。
直接将该引脚连接到主电源输入电压从
所述输出电压被调节。该引脚也输入到
比较器，用于监视电源的输入电压，并保持
栅极电压为低电平，直到电源输入电压至少为1V 。这
防止外部N沟道MOSFET导通V前
电源接通，从而消除可能的电压尖峰，在输出
电压时通电。
先进的单片系统公司
www.advanced-monolithic.com
电话（ 925 ） 443-0722
传真：（ 925 ） 443-0723
AMS2115
包装尺寸
英寸（毫米） ，除非另有说明。
8引脚SOIC塑料封装（ S）
0.189-0.197*
(4.801-5.004)
8
7
6
5
0.228-0.244
(5.791-6.197)
0.150-0.157**
(3.810-3.988)
1
2
3
4
0.053-0.069
(1.346-1.752)
0.010-0.020 x 45°
(0.254-0.508)
0.004-0.010
(0.101-0.254)
0.008-0.010
(0.203-0.254)
0 ° -8 ° TYP
0.014-0.019
(0.355-0.483)
0.050
(1.270)
典型值
0.016-0.050
(0.406-1.270)
S（ SO - 8 ） AMS DRW ＃ 042293
*尺寸不包括塑模毛边。毛边
不得超过0.006" （ 0.152毫米）每边
**尺寸不包括引脚间。引脚间
FLASH不得超过0.010" （ 0.254毫米）每边
8引脚塑料DIP封装（ P）
0.400*
(10.160)
最大
8
7
6
5
0.255±0.015*
(6.477±0.381)
1
2
3
4
0.045-0.065
(1.143-1.651)
0.130±0.005
(3.302±0.127)
0.300-0.325
(7.620-8.255)
0.065
(1.651)
典型值
0.005
(0.127)
民
0.100±0.010
(2.540±0.254)
0.125
(3.175)
民
0.018±0.003
(0.457±0.076)
0.009-0.015
(0.229-0.381)
0.015
(0.380)
民
0.325 +0.025
-0.015
(
8.255 +0.635
)
-0.381
P（ 8L PDIP ） AMS DRW ＃ 042294
*尺寸不包括塑模毛边或PROTUSIONS 。
塑模毛边或PROTUSIONS不得超过0.010" （ 0.254毫米）
先进的单片系统公司
www.advanced-monolithic.com
电话（ 925 ） 443-0722
传真：（ 925 ） 443-0723
QQ：2881677436 复制
