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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第72页 > AMP04FS-REEL
a
特点
单电源供电
低电源电流: 700 A(最大值)
宽的增益范围: 1至1000
低失调电压: 150 V最大
零式/零输出
单电阻增益设置
8引脚小型DIP和SO封装
应用
应变片
热电偶
热电阻
电池供电设备
医疗器械
数据采集系统
基于PC的仪器
便携式仪表
IN ( - ) 2
IN (+) 3
精密单电源
仪表放大器器
AMP04*
功能框图
100k
R
收益
1
输入缓冲器
8
V
OUT
6
11k
11k
100k
5 REF
概述
该AMP04规定工作在扩展工业级(-40° C至
+ 85 ° C)温度范围。 AMP04s可在塑料和
陶瓷DIP和SO - 8表面贴装封装。
请联系您当地的销售办事处为MIL -STD- 883数据表
和可用性。
引脚连接
8引脚DIP环氧树脂
(P后缀)
R
收益
1
-IN 2
+ IN 3
V– 4
8 R
收益
该AMP04是一款单电源仪表放大器
设计工作在+5伏来
±
15伏的电源电压范围。它
提供高精度的完美结合,低功率变
消费,宽输入电压范围,以及出色的增益
性能。
增益是由一个单一的外部电阻器来设定,并且可以是从1到
1000输入共模电压范围允许AMP04到
在1伏特的处理与地面完全精确的信号
正电源。而输出可以在1伏特的摆动
正电源。增益带宽超过700千赫。此外
重刑使用方便,在AMP04只有700平
A
的支持
帘布层的电流。
对于高分辨率数据采集系统中,激光微调
低漂移薄膜电阻限制了输入偏置电压,以
150下
V,
并允许AMP04提供增益非线性
0.005 %和30ppm的增益温度系数的/ °以下。
一个专有的输入结构的限制输入失调电流小于
超过5 nA的与漂移仅8 PA / ° C,可直接连接
在AMP04高阻抗传感器等信号
源。
*受保护
由美国专利号5075633 。
8引脚窄体SO
(S后缀)
R
收益
In
+ IN
V–
R
收益
AMP-04
7 V+
6 V
OUT
5 REF
AMP-04
V+
V
OUT
REF
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则,在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 617 / 329-4700
传真: 617 / 326-8703
AMP04–SPECIFICATIONS
电气特性
参数
符号
(V
S
= +5 V, V
CM
= +2.5 V,T
A
= +25 C除非另有说明)
条件
AMP04E
TYP MAX
AMP04F
典型值
最大
单位
失调电压
输入失调电压
输入失调电压漂移
输出失调电压
输出失调电压漂移
输入电流
输入偏置电流
输入偏置电流漂移
输入失调电流
输入失调电流漂移
V
IOS
TCV
IOS
V
OOS
TCVoos
I
B
TCI
B
I
OS
TCI
OS
–40°C
T
A
+85°C
–40°C
T
A
+85°C
30
0.5
150
300
3
1.5
3
30
30
50
65
5
10
8
4
4
3.0
0
55
75
80
80
300
600
6
3
6
50
40
60
10
15
V
V
μV/°C
mV
mV
μV/°C
nA
nA
PA / ℃,
nA
nA
PA / ℃,
G
G
V
dB
dB
dB
dB
–40°C
T
A
+85°C
–40°C
T
A
+85°C
22
65
1
8
4
4
输入
共模输入电阻
差分输入电阻
输入电压范围
V
IN
共模抑制
CMR
共模抑制
CMR
电源抑制
PSRR
0 V
V
CM
3.0 V
G=1
G = 10
G = 100
G = 1000
0 V
V
CM
2.5 V
–40°C
T
A
+85°C
G=1
G = 10
G = 100
G = 1000
4.0 V
V
S
12 V
–40°C
T
A
+85°C
G=1
G = 10
G = 100
G = 1000
G = 1至100
G = 1至100
–40°C
T
A
+85°C
G = 1000
0
60
80
90
90
80
100
105
105
3.0
55
75
85
85
50
70
75
75
dB
dB
dB
dB
95
105
105
105
0.2
0.5
0.8
0.4
1
1000
0.005
0.015
0.025
30
4.0
3.8
2.0
30
15
4.2
85
95
95
95
0.75
1.0
0.75
1
1000
dB
dB
dB
dB
%
%
%
V/V
%
%
%
PPM /°C的
V
V
2.5
30
15
mV
mA
mA
增益(G = 100多K / R
收益
)
增益公式精度
增益范围
非线性
G
G = 1,R
L
= 5 k
G = 10,R
L
= 5 k
G = 100 ,R
L
= 5 k
增益温度COEF网络cient
产量
输出电压摆幅高
△G / ΔT
V
OH
V
OL
50
4.0
3.8
输出电压摆幅低
输出电流限制
R
L
= 2 k
R
L
= 2 k
–40°C
T
A
+85°C
R
L
= 2 k
–40°C
T
A
+85°C
SINK
来源
–2–
REV 。一
AMP04
参数
符号
条件
AMP04E
TYP MAX
AMP04F
最小值典型值
最大
单位
噪音
噪声电压密度, RTI
e
N
噪声电流密度,RTI
输入噪声电压
i
N
e
N
p-p
F = 1千赫,G = 1
F = 1千赫,G = 10
F = 100赫兹,G = 100
F = 100赫兹,G = 1000
F = 100赫兹,G = 100
为0.110赫兹,G = 1
为0.110赫兹,G = 10
为0.110赫兹,G = 100
G = 1,-3分贝
270
45
30
25
4
7
1.5
0.7
300
550
700
850
270
45
30
25
4
7
1.5
0.7
300
700
850
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
V
p-p
V
p-p
V
p-p
千赫
A
A
动力响应
小信号带宽
电源
电源电流
BW
I
SY
–40°C
T
A
+85°C
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
电气特性
(V =
S
5 V, V
CM
= 0 V ,T
A
= +25 C除非另有说明)
AMP04E
TYP MAX
AMP04F
典型值
最大
单位
参数
符号
条件
失调电压
输入失调电压
输入失调电压漂移
输出失调电压
输出失调电压漂移
输入电流
输入偏置电流
输入偏置电流漂移
输入失调电流
输入失调电流漂移
输入
共模输入电阻
差分输入电阻
输入电压范围
共模抑制
V
IOS
TCV
IOS
V
OOS
TCVoos
I
B
TCI
B
I
OS
TCI
OS
–40°C
T
A
+85°C
–40°C
T
A
+85°C
80
1
400
600
3
3
6
30
30
50
65
5
15
28
4
4
+12
–12
55
75
80
80
600
900
6
6
9
50
40
60
10
20
V
V
μV/°C
mV
mV
μV/°C
nA
nA
PA / ℃,
nA
nA
PA / ℃,
G
G
V
dB
dB
dB
dB
–40°C
T
A
+85°C
–40°C
T
A
+85°C
17
65
2
28
4
4
V
IN
CMR
共模抑制
CMR
电源抑制
PSRR
–12 V
V
CM
+12 V
G=1
G = 10
G = 100
G = 1000
–11 V
V
CM
+11 V
–40°C
T
A
+85°C
G=1
G = 10
G = 100
G = 1000
±
2.5 V
V
S
≤ ±
18 V
–40°C
T
A
+85°C
G=1
G = 10
G = 100
G = 1000
–3–
–12
60
80
90
90
80
100
105
105
+12
55
75
85
85
50
70
75
75
dB
dB
dB
dB
75
90
95
95
70
80
85
85
dB
dB
dB
dB
REV 。一
AMP04
参数
符号
条件
AMP04E
TYP MAX
AMP04F
典型值
最大
单位
增益(G = 100多K / R
收益
)
增益公式精度
G = 1至100
G = 1000
G = 1至100
–40°C
T
A
+85°C
G
G = 1,R
L
= 5 k
G = 10,R
L
= 5 k
G = 100 ,R
L
= 5 k
1
0.2
0.4
0.5
0.75
0.8
1000
0.75
%
%
%
V/V
%
%
%
PPM /°C的
V
V
增益范围
非线性
1
0.005
0.015
0.025
50
+13
+12.5
1.0
1000
增益温度COEF网络cient
产量
输出电压摆幅高
△G / ΔT
V
OH
V
OL
0.005
0.015
0.025
30
+13
+12.5
–14.5
30
15
270
45
30
25
4
5
1
0.5
700
750
900
1100
+13.4
输出电压摆幅低
输出电流限制
噪音
噪声电压密度, RTI
R
L
= 2 k
R
L
= 2 k
–40°C
T
A
+85°C
R
L
= 2 k
–40°C
T
A
+85°C
SINK
来源
F = 1千赫,G = 1
F = 1千赫,G = 10
F = 100赫兹,G = 100
F = 100赫兹,G = 1000
F = 100赫兹,G = 100
为0.110赫兹,G = 1
为0.110赫兹,G = 10
为0.110赫兹,G = 100
G = 1,-3分贝
30
15
270
45
30
25
4
5
1
0.5
700
–14.5 V
mA
mA
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
V
p-p
V
p-p
V
p-p
千赫
900
1100
A
A
e
N
噪声电流密度,RTI
输入噪声电压
i
N
e
N
p-p
动力响应
小信号带宽
电源
电源电流
BW
I
SY
–40°C
T
A
+85°C
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
晶圆测试极限
参数
(V
S
= +5 V, V
CM
= +2.5 V,T
A
= +25 C除非另有说明)
符号
条件
极限
单位
失调电压
输入失调电压
输出失调电压
输入电流
输入偏置电流
输入失调电流
输入
共模抑制
V
IOS
V
OOS
I
B
I
OS
CMR
0 V
V
CM
3.0 V
G=1
G = 10
G = 100
G = 1000
V
S
=
±
15 V, –12 V
V
CM
+12 V
G=1
G = 10
G = 100
300
3
40
10
V
最大
毫伏最大
nA的最大
nA的最大
55
75
80
80
55
75
80
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
共模抑制
CMR
–4–
REV 。一
AMP04
参数
符号
条件
极限
单位
电源抑制
PSRR
G = 1000
4.0 V
V
S
12 V
G=1
G = 10
G = 100
G = 1000
G = 1至100
80
85
95
95
95
0.75
4.0
2.5
900
700
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
%最大
V分钟
毫伏最大
A
最大
A
最大
增益(G = 100多K / R
收益
)
增益公式精度
产量
输出电压摆幅高
输出电压摆幅低
电源
电源电流
V
OH
V
OL
I
SY
R
L
= 2 k
R
L
= 2 k
V
S
=
±
15
电气测试和晶片探测到如图所示的范围。由于变化的装配方法和正常的产量损失,包装后的产量不保证标准
产品骰子。咨询工厂的基础上,通过大量样本的组装和测试骰子很多资格洽谈规格。
绝对最大额定值
1
DICE特性
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 , ±18 V
共模输入电压
2
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
18 V
差分输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36 V
输出短路持续时间至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。不定
存储温度范围
包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C到+ 175℃
P,S包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
工作温度范围
AMP04A 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
AMP04E , F。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
结温范围
包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C到+ 175℃
P,S包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
铅温度范围(焊接, 60秒) 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
套餐类型
θ
JA3
θ
JC
单位
8引脚CERDIP ( Z)
8引脚塑料DIP ( P)
8引脚SOIC ( S)
148
103
158
16
43
43
° C / W
° C / W
° C / W
笔记
1
绝对最大额定值适用于DICE和包装件,除非
另有说明。
2
对于电源电压低于
±
18 V ,绝对最大输入电压
等于电源电压。
3
θ
JA
is
特定网络版
对于最坏情况的条件下,即
θ
JA
为特定网络版的设备
插座陶瓷浸渍, P- DIP和LCC封装;
θ
JA
被指定为设备
焊接在电路板上的SOIC封装。
AMP04芯尺寸0.075
×
0.99英寸, 7,425平方密耳。
基板(模具背面)连接到V + 。
晶体管数量, 81 。
订购指南
温度
范围
V
OS
@ +5 V
T
A
= +25 C
描述
选项
模型
AMP04EP
AMP04ES
AMP04FP
AMP04FS
AMP04FS-REEL
AMP04FS-REEL7
AMP04GBC
REV 。一
XIND
XIND
XIND
XIND
XIND
XIND
+25°C
150
V
150
V
300
V
300
V
150
V
150
V
300
V
–5–
塑料DIP
SOIC
塑料DIP
SOIC
SOIC
SOIC
N-8
SO-8
N-8
SO-8
SO-8
SO-8
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推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AMP04FS-REEL
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:280773285 复制 点击这里给我发消息 QQ:2748708193 复制
电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
AMP04FS-REEL
ADI/亚德诺
24+
9850
100%原装正品,可长期订货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3350142453 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885393564 复制

电话:0755-83247290
联系人:吴先生/吴小姐/李小姐
地址:深圳市福田区航都大厦17F1
AMP04FS-REEL
ANA
23+
2976
原厂封装
绝对进口原装,公司现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:871980663 复制

电话:0755-83220081
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区深南中路南侧南光捷佳大厦1727
AMP04FS-REEL
ADI
24+
17500
全新原装现货,量大从优,可开13%税票!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
AMP04FS-REEL
ADI
20+
1000
特价现货
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
AMP04FS-REEL
ADI/亚德诺
21+
8500
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
AMP04FS-REEL
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8029
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885134554 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885134398 复制

电话:0755-22669259 83214703
联系人:李先生,夏小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华强北路上步工业区102栋618室
AMP04FS-REEL
AD
2116+
44500
8-SOIC
原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2360675383 复制 点击这里给我发消息 QQ:1551106297 复制

电话:0755-83679110 0755-23125986
联系人:朱生/李小姐
地址:█★◆█★◣█★█◆█★深圳福田区华强北海外装饰大厦B座7B-20(门市:新亚洲电子市场4楼)★【长期高价回收全新原装正品电子元器件】
AMP04FS-REEL
AD【原装正品】
NEW
11037
SOIC8
█◆★【专注原装正品现货】★价格最低★!量大可定!欢迎惠顾!(长期高价回收全新原装正品电子元器件)
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
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