AMMP-6222
7比2 ？ GHz的砷化镓高线性度LNA采用SMT封装
数据表
描述
Avago的AMMP - 6222是一款易于使用的
宽带，高增益，高线性度低噪声放大器
在一个表面贴装封装。宽频带和
无条件稳定的性能使得这款MMIC
作为一个理想的初级或次低噪声块或一
发送器或LO驱动器。该MMIC有3个增益级和
可选引脚为低和高电流之间进行切换，
相应的低和高的输出功率和
线性度。在大电流，高输出功率状态下，
需要4V ， 120毫安供应。在低电流，低输出
电源状态，电源降低到4V， 95毫安。由于这
MMIC涵盖了几个波段，它可以减少一部分库存
并增加购买量的选择是MMIC
制作采用PHEMT技术。的表面装贴
包消除了“芯片&线”组装的需要
为降低成本。这MMIC是完全SMT兼容
背面接地和I / O 。
特点
表面贴装封装， 5.0× 5.0× 1.25毫米
单正偏压引脚
可选的输出功率/线性
无负栅偏压
产品规格（ VDD = 4.0V ，国际长途= 120毫安）
RF频率： 7 - 21 GHz的
高输出IP3 ：为29dBm
高的小信号增益： 24分贝
典型噪声系数： 2.3分贝
输入，输出匹配： -10dB
应用
微波无线电系统
卫星VSAT ， DBS上/下行链路
LMDS &点对点微米长途
宽带无线接入
（包括802.16和802.20 WiMax技术）
WLL和MMDS回路
商用级军事
注意：
1.本MMIC采用耗尽型pHEMT器件。
引脚连接（顶视图）
1
2
3
100pF
8
4
7
6
5
针
1
2
3
4
5
6
7
8
功能
VDD
RFOUT
目前SEL
RFIN
顶视图
包装基地： GND
注意事项：
请遵守注意事项
静电处理
敏感的设备。
ESD机模型（ 60V ）
ESD人体模型（ 150V ）
请参考Avago的应用笔记A004R ：
静电放电危害及防治
绝对最大额定值
(1)
参数/条件
漏极对地电压
漏电流
CW RF输入功率最大
最大通道温度
储存温度
最高温度大会
符号
VDD
国际直拨电话
针
总胆固醇
TSTG
TMAX
单位
V
mA
DBM
C
C
C
最大
5.5
70
0
+50
-65 +50
260对20多岁
1.操作超过任何这些条件可能会导致该器件造成永久性损坏。为Vdd时，国际直拨电话和引脚的绝对最大额定值
在25 ℃的环境温度，除非另有说明，进行了测定。
DC规格/物理性能
(2)
参数和测试条件
漏极供电电流在任何射频功率驱动器和温度。 （VD = 4.0 V）
漏极供电电压
热阻
(3)
符号
国际直拨电话
Vd
θJC
单位
mA
V
° C / W
最低
80
3
典型
20
4
3.4
最大
60
5
2.环境工作温度TA = 25°C除非另有说明
3.通道到背面热阻（ Tchannel = 34 ℃）使用红外显微镜测量。
在背面温度热阻。 （铽）=从测量数据计算25 ℃。
AMMP - 6222 RF规格
(4)
TA = 25°C ，国际长途= ？ 20mA时， VDD = 4.0 V ，Z0 = 50
W
参数和测试条件
漏电流
小信号增益
(5)
噪声系数为50
W
(5)
输出功率？ 1dB增益压缩
输出功率3分贝增益压缩
输出三阶截点
隔离
输入回波损耗
输出回波损耗
符号
国际直拨电话
收益
NF
P- ？分贝
P-3dB
OIP3
ISO
RLIN
RLOUT
单位
mA
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
9, 2, 7
9, 2, 7
9
频率。
（千兆赫）
高输出功率配置
最低
典型
20
24
2.3
5.5
7.5
29
-45
-0
-0
3.5
最大
低输出功率配置
最小典型
95
23
2.3
4
6
27
-45
-0
-0
最大
4.参考特征曲线进行详细的个人高频性能。
5.所有测试参数与保证测量精度± 0.5分贝增益和± 0.3分贝为NF的高输出功率的配置。
2
AMMP - 6222的高电流，高输出功率配置典型表现
[1], [2]
(T
A
= 25°C ， VDD = 4V ，国际直拨电话= 120毫安，寻= ZOUT = 50
W
除非另有说明）
30
25
S21 （ dB）的
20
15
10
5
5
10
15
20
25
频率（GHz ）
5
噪声系数（dB ）
4
3
2
1
0
6
8
10 12 14 16 18 20 22
频率（GHz ）
图1a。小信号增益
0
图2a。噪声系数
20
的OP1dB （ dBm的）
5
10
15
20
25
-5
S11（ dB）的
-10
-15
-20
-25
频率（GHz ）
15
10
5
0
6
8
10 12 14 16 18 20 22
频率（GHz ）
图3a。输入回波损耗
0
-5
S22 （ dB）的
-10
-15
-20
5
10
15
20
25
频率（GHz ）
图4a。输出P - 1分贝
35
OIP3 （ dBm的）
30
25
20
15
10
6
8
10 12 14 16 18 20 22
频率（GHz ）
图5a 。输出回波损耗
图6a 。输出IP3
注意：
1. S参数测量R&D评估板如图21板和连接器的影响被包括在数据中。
2.噪声系数是衡量R&D评估和演示板，如图21 ，并用3 dB衰减输入端。板和连接器的损耗已经DE-
从数据包埋。
3
对于大电流AMMP - 6222典型性能，高输出功率配置（续）
(T
A
= 25°C ， VDD = 4V ，国际直拨电话= 120毫安，寻= ZOUT = 50
W
除非另有说明）
-20
-30
S12 （ dB）的
-40
-50
-60
5
10
15
20
25
频率（GHz ）
150
130
IDD （MA ）
110
90
70
3
3.5
4
Vdd的（V）的
4.5
5
图7a 。隔离
30
图8a 。 IDD过的Vdd
5
噪声系数（dB ）
4
3
2
1
0
6
8
10
12
14
16
18
3V
4V
5V
25
S21 （ dB）的
20
15
10
5
5
10
15
20
频率（GHz ）
25
4V
5V
3V
20
22
频率（GHz ）
图9a。小信号增益过的Vdd
0
图10a 。噪声系数过的Vdd
0
-5
S22 （ dB）的
S11（ dB）的
-10
-10
-15
-20
-25
4V
5V
3V
-20
4V
3V
5V
-30
5
10
15
20
频率（GHz ）
25
5
10
15
20
频率（GHz ）
25
图11A 。输入回波损耗过的Vdd
图12a 。输出回波损耗过的Vdd
4
对于大电流AMMP - 6222典型性能，高输出功率配置（续）
（ TA = 25℃ ， VDD = 4V ，国际直拨电话= 120毫安，寻= ZOUT = 50
W
除非另有说明）
25
的OP1dB （ dBm的）
15
10
5
0
6
8
10
12
14
16
18
频率（GHz ）
3V
4V
5V
OIP3 （ dBm的）
20
35
30
25
20
15
10
5
0
6
8
10 12 14 16
频率（GHz ）
3V
4V
5V
20
22
18 20 22
图13a 。输出P1dB为过的Vdd
35
30
S21 （ dB）的
25
20
15
10
5
5
25C
85C
-40C
图14A 。输出IP3过的Vdd
8
噪声系数（dB ）
-40C
6
4
2
0
25C
85C
10
15
20
频率（GHz ）
25
6
8
10 12 14 16 18 20 22
频率（GHz ）
图15A 。小信号增益温度过高
0
-5
S11（ dB）的
图16A 。噪声系数温度过高
0
25C
S22 （ dB）的
-10
-15
-20
-25
5
25C
-40C
85C
-5
-10
-15
-20
5
85C
-40C
10
15
20
频率（GHz ）
25
10
15
20
频率（GHz ）
25
图17A 。输入回波损耗温度过高
图18A 。输出回波损耗温度过高
5
QQ：2881677436 复制
