安捷伦AMMP -6220
6-20 GHz的低噪声放大器
数据表
特点
5×5毫米表面贴装封装
宽带性能6-20 GHz的
低2.5分贝典型噪声系数
最高的22 dB的典型增益
50
W
输入和输出匹配
单3 V （55 mA）的偏置电源
描述
安捷伦AMMP - 6220是一种高增益，
低噪声放大器，工作
从6千兆赫至20千兆赫。该LNA是
设计是一个易于使用康波
新界东北的任何表面贴装PCB
应用程序。有广义和无条件
倚重性能稳定，使
该LNA的理想小学，子
顺序或驱动低噪声增益
阶段。拟申请IN-
CLUDE微波无线电， 802.16 ，
汽车雷达， VSAT和个卫星
精简版的接收器。由于其中的一部分可以
涵盖多个频段，该AMMP -6220
可以降低零件库存和IN-
折痕批量购买选项。该
LNA集成50
W
I / O的比赛，
隔直流，自偏压扼流圈和以
消除了复杂的调整和AS-i
sembly过程通常重新
通过混合quired （离散-FET ）
放大器。包满
SMT与背面兼容
接地和I / O简化
装配。
应用
微波无线电系统
卫星VSAT ， DBS上/下行链路
LMDS &点对点微米长途
宽带无线接入（包含在
cluding 802.16和802.20 WiMax技术）
WLL和MMDS回路
商用级军事
工作原理图
1
2
3
8
100 pF的
100 pF的
4
针
1
2
3
4
5
6
7
8
功能
V
d
RF
OUT
RF
in
7
6
5
包
BASE
GND
注意：遵守预防措施处理静电敏感设备。
ESD机模型（ 1A级）
ESD人体模型（ 0级）
参见安捷伦应用笔记A004R ：
静电放电危害及防治。
AMMP -6220绝对最大额定值
[1]
符号
V
d
I
d
P
in
T
ch
T
英镑
T
最大
参数/条件
正漏极电压
漏电流
CW输入功率
工作信道温度。
存储情况下的温度。
大会的最大温度。
（ 60秒以内）。
单位
V
mA
DBM
°C
°C
°C
-65
分钟。
马克斯。
7
100
15
+150
+150
+300
注意：
1.操作超过这些条件的任何一个，可能会导致该设备造成永久性损坏。
AMMP -6220直流规格/物理性能
[1]
符号参数和测试条件
I
d
漏极供电电流（在任何
射频功率驱动器和温度）
(V
d
= 3.0 V)
热阻
[2]
（背面温度T
b
= 25°C)
单位
mA
分钟。
典型值。
55
马克斯。
70
q
CH -B
° C / W
27
注意事项：
1.环境操作温度T
A
= 25_C除非另有说明。
2.通道到背面热阻（T
通道
(T
c
） = 34 ℃）使用红外测量
显微镜。在背面的温度热阻（T
b
）= 25 ℃，计算出从测量的
数据。
AMMP -6220 RF规格
[3, 4, 6]
T
A
= 25 ° C，V
d
= 3.0 V，I
D（ Q）
= 55毫安，Z
o
= 50
W
符号
收益
NF
P
-1dB
OIP3
RLIN
RLOUT
ISOL
参数和测试条件
小信号增益
[5]
噪声系数为50
W
[5]
在1分贝增益压缩输出功率
三阶截点;
f
= 100 MHz的; PIN = -20 dBm的
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
单位
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
典型
22
2.5
+10
+20
-12
-16
-45
西格玛
0.5
0.2
0.8
1.1
0.3
0.7
0.5
注意事项：
3.小/大 - 信号在一个完全脱嵌测试夹具形式为T测量数据
A
= 25°C.
4.预组装成组件的性能晶圆上每AMMC -6220已出版的规格验证100 ％ 。
5.这最终包装的一部分的性能是通过一个功能测试相关的实际性能在一个或多个频率进行验证。
6.产品规格从测量结果中推导50
W
测试环境。在放大器性能的方面可以通过进一步提高
窄带宽的应用程序的额外的共轭，线性，低噪声（ Gopt ）匹配。
2
AMMP -6220典型性能
(T
A
= 25 ° C，V
d
= 3 V，I
D
= 55毫安，Z
in
= Z
OUT
= 50
W
除非另有说明）
注意：
这些测量是在50个
W
测试环境。在放大器性能的方面可在由较窄的带宽提高
申请额外的共轭，线性，低噪声（ Gopt ）匹配。
25
0
-10
0
20
-5
-20
S21 （ dB）的
S11（ dB）的
S21 （ dB）的
15
-30
-40
-10
10
5
-15
-50
-60
0
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
-20
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图1.增益。
图2.隔离。
图3.输入回波损耗。
0
-5
-10
S22 （ dB）的
4.0
3.5
OP- 1分贝& OIP3 （ dBm的）
25
3.0
2.5
NF（ dB）的
20
15
-15
-20
-25
-30
2.0
1.5
1.0
0.5
10
P-1dB
OIP3
5
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
0
6
8
10
12
14
16
18
20
0
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图4.输出回波损耗。
图5.噪声系数。
图6.典型功耗， OP- 1分贝和OIP3 。
30
25
20
S21 （ dB）的
S12 （ dB）的
0
-10
-20
-30
-40
+25°C
-40°C
+85°C
S11（ dB）的
0
+25°C
-5
-40°C
+85°C
-10
15
10
5
0
+25°C
-40°C
+85°C
-15
-50
-60
-20
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图7.增益温度过高。
图8.隔离过热。
图9.输入回波损耗随温度。
3
AMMP -6220典型性能
(T
A
= 25 ° C，V
d
= 3 V，I
D
= 55毫安，Z
in
= Z
OUT
= 50
W
除非另有说明）
注意：
这些测量是在50个
W
测试环境。在放大器性能的方面可在一个较窄的带宽通过应用程序加以改进
阳离子的附加共轭，线性或低噪声（ Gopt ）匹配。
0
+25°C
-5
-10
S22 （ dB）的
4.0
+25°C
3.5
3.0
2.5
NF（ dB）的
62
+25°C
60
58
-40°C
+85°C
-40°C
+85°C
-40°C
+85°C
-15
-20
-25
-30
2.0
1.5
1.0
0.5
IDD （MA ）
6
8
10
12
14
16
18
20
56
54
52
50
3.0
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
0
3.5
4.0
Vdd的（V）的
4.5
5.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图10.输出回波损耗过温。
图11. NF过热。
图12.偏置电流的温度。
25
0
3V
-10
-20
0
3V
-5
S11（ dB）的
20
4V
5V
4V
5V
S21 （ dB）的
S12 （ dB）的
15
-30
-40
-10
10
3V
5
0
4V
5V
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
-15
-50
-60
-20
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图13.获取对VDD。
图14.隔离在VDD。
图15.输入RL在VDD。
0
3V
-5
-10
S22 （ dB）的
3.0
4V
5V
25
2.5
2.0
OIP3 （ dBm的）
20
-15
-20
-25
-30
NF（ dB）的
15
1.5
1.0
0.5
0
3V
4V
5V
10
3V
4V
5V
5
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
6
8
10
12
14
16
18
20
0
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图16.输出回波损耗随温度。
图17.噪声系数超过VDD。
图18. OIP3在VDD。
4
AMMP-6220
6-20 GHz的低噪声放大器
数据表
描述
Avago的AMMP - 6220是一款高增益，低噪声扩增
费里，工作于6千兆赫至20千兆赫。该LNA是
设计成一个容易使用的部件的任何表面
贴PCB应用。有广义和uncondition-
盟友稳定的性能使得这款LNA的理想革命制度党
玛丽，分顺序或驱动器的低噪声增益级。
目标应用包括微波通信，
802.16 ，汽车雷达， VSAT和卫星接收机。
由于其中的一部分可以覆盖多个频段的AMMP -6220
可以降低零件库存，增加采购量
选项。该LNA集成50
W
I / O匹配， DC嵌段
荷兰国际集团，自偏置扼流圈和消除复杂的调整和
装配过程通常需要通过杂交（离散
FET ）放大器。该软件包是具有完全兼容SMT
背面接地和I / O ，以简化装配。
特点
5×5毫米表面贴装封装
宽带性能6-20 GHz的
低2.5分贝典型噪声系数
最高22 dB的典型增益
50
W
输入和输出匹配
单3 V （55 mA）的偏置电源
应用
微波无线电系统
卫星VSAT ， DBS上/下行链路
LMDS &点对点微米长途
宽带无线接入（包括802.16和
802.20 WIMAX）
工作原理图
针
1
2
3
4
5
6
7
8
功能
V
d
RF
OUT
WLL和MMDS回路
商用级军事
3
1
2
8
100 pF的
100 pF的
4
RF
in
7
6
5
包
BASE
GND
注意：遵守预防措施处理静电敏感设备。
ESD机模型（ 1A级）
ESD人体模型（ 0级）
请参考Avago的应用笔记A004R ：
静电放电危害及防治。
AMMP -6220绝对最大额定值
[1]
符号
V
d
I
d
P
in
T
ch
T
英镑
T
最大
参数/条件
正漏极电压
漏电流
CW输入功率
工作信道温度。
存储情况下的温度。
大会的最大温度。
（ 60秒以内）。
单位
V
mA
DBM
°C
°C
°C
-65
分钟。
马克斯。
7
100
15
+150
+150
+300
注意：
1.操作中过量的这些条件中的任何一个可能导致该永久性损坏
装置。
AMMP -6220直流规格/物理性能
[1]
符号参数和测试条件
单位
I
d
漏极供电电流（在任何毫安
射频功率驱动器和温度）
(V
d
= 3.0 V)
热阻
[2]
（背面温度T
b
= 25°C ） ° C / W
分钟。
典型值。
55
马克斯。
70
q
CH -B
27
注意事项：
1.环境操作温度T
A
= 25_C除非另有说明。
2.通道到背面热阻（T
通道
(T
c
） = 34 ° C）测量用的红外MI-
croscopy 。在背面的温度热阻（T
b
）= 25 ℃，计算出从测量的
数据。
AMMP -6220 RF规格
[3, 4, 6]
T
A
= 25 ° C，V
d
= 3.0 V，I
D（ Q）
= 55毫安，Z
o
= 50
W
符号
参数和测试条件
收益
小信号增益
[5]
NF
噪声系数为50
W
[5]
P
-1dB
在1分贝增益压缩输出功率
OIP3
三阶截点;
ΔF = 100 MHz的; PIN = -20 dBm的
RLIN
输入回波损耗
RLOUT
输出回波损耗
ISOL
反向隔离
单位
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
典型
22
2.5
+10
+20
-12
-16
-45
西格玛
0.5
0.2
0.8
1.1
0.3
0.7
0.5
注意事项：
3.小/大 - 信号在一个完全脱嵌测试夹具形式为T测量数据
A
= 25°C.
4.预组装成组件的性能晶圆上每AMMC -6220已出版的规格验证100 ％ 。
5.这最终包装的一部分的性能是通过一个功能测试相关的实际性能在一个或多个频率进行验证。
6.产品规格从测量结果中推导50
W
测试环境。在放大器性能的方面可以通过进一步提高
窄带宽的应用程序的额外的共轭，线性，低噪声（ Gopt ）匹配。
2
AMMP -6220典型性能
(T
A
= 25 ° C，V
d
= 3 V，I
D
= 55毫安，Z
in
= Z
OUT
= 50
W
除非另有说明）
注意：
这些测量是在50个
W
测试环境。在放大器性能的方面可在由较窄的带宽提高
申请额外的共轭，线性，低噪声（ Gopt ）匹配。
25
20
15
0
-10
0
-5
-20
S21 （ dB）的
S21 （ dB）的
-30
-40
S11（ dB）的
-10
10
5
0
-15
-50
-60
-20
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图1.增益。
图2.隔离。
图3.输入回波损耗。
0
-5
-10
4.0
3.5
25
20
S22 （ dB）的
2.5
OP- 1分贝& OIP3 （ dBm的）
3.0
-15
-20
-25
-30
NF（ dB）的
15
10
P-1dB
OIP3
6
8
10
12
14
16
18
20
2.0
1.5
1.0
0.5
5
0
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
0
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图4.输出回波损耗。
图5.噪声系数。
图6.典型功耗， OP- 1分贝和OIP3 。
30
25
20
0
-10
-20
+25°C
-40°C
+85°C
0
+25°C
-5
-40°C
+85°C
S21 （ dB）的
S12 （ dB）的
15
10
5
0
+25°C
-40°C
+85°C
-30
-40
S11（ dB）的
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
-10
-15
-50
-60
-20
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图7.增益温度过高。
图8.隔离过热。
图9.输入回波损耗随温度。
3
AMMP -6220典型性能
(T
A
= 25 ° C，V
d
= 3 V，I
D
= 55毫安，Z
in
= Z
OUT
= 50
W
除非另有说明）
注意：
这些测量是在50个
W
测试环境。在放大器性能的方面可在由较窄的带宽提高
申请额外的共轭，线性，低噪声（ Gopt ）匹配。
0
+25°C
-5
-10
-40°C
+85°C
4.0
3.5
3.0
2.5
+25°C
-40°C
+85°C
62
+25°C
60
58
IDD （MA ）
-40°C
+85°C
S22 （ dB）的
-15
-20
-25
-30
NF（ dB）的
2.0
1.5
1.0
0.5
56
54
52
50
3.0
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
0
6
8
10
12
14
16
18
20
3.5
4.0
Vdd的（V）的
4.5
5.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图10.输出回波损耗过温。
图11. NF过热。
图12.偏置电流的温度。
25
20
15
0
-10
-20
3V
4V
5V
0
3V
-5
4V
5V
S21 （ dB）的
S12 （ dB）的
S11（ dB）的
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
-30
-40
-10
10
3V
5
0
4V
5V
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
-15
-50
-60
-20
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
频率（GHz ）
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图13.获取对VDD。
图14.隔离在VDD。
图15.输入RL在VDD。
0
3V
-5
-10
S22 （ dB）的
3.0
25
20
OIP3 （ dBm的）
4V
5V
2.5
2.0
NF（ dB）的
15
10
-15
-20
-25
-30
1.5
1.0
0.5
0
3V
4V
5V
6
8
10
12
14
16
18
20
3V
4V
5V
5
0
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图16.输出回波损耗随温度。
图17.噪声系数超过VDD。
图18. OIP3在VDD。
4
QQ：2880707522 复制
