AMMC-6233
18至32千兆赫的GaAs低噪声放大器
数据表
芯片尺寸： 1900 * 800微米（ 74.8 X 31.5密耳）
芯片尺寸公差： ± 10微米（ ± 0.4密耳）
芯片厚度： 100 ± 10微米（ 4 ± 0.4密耳）
RF垫尺寸： 110 ×90微米（ 4.33 X 3.54密耳）
DC垫尺寸： 100 x 100微米（ 3.94 X 3.94密耳）
描述
Avago的AMMC - 6233是一款高增益，低
噪声放大器工作在18 GHz到32 GHz的。
该LNA提供了系统的宽带溶液
设计，因为它涵盖了几个波段，因此，降低了
部分库存。该装置具有输入/输出匹配到
50欧姆，是无条件稳定的，可以作为
无论是原发性或次低噪声增益级。
由于省去了复杂的调谐和装配
流程通常需要通过杂交（离散FET ）
放大器的AMMC - 6233是一种具有成本效益的替代
在18 - 32 GHz的通信接收机。该
芯片的背面是RF和DC接地。这
有助于简化组装过程并降低了
组件相关的性能的变化和成本。它
正在制作一个pHEMT工艺来提供卓越的
噪声和增益性能。为提高可靠性
和防潮保护，芯片钝化处
活跃的地区。
特点
集成DC模块和电抗器
50 Ω输入和输出匹配
单正电源
无负栅偏压
产品规格（VD = 3.0 V ，国际长途= 65 mA）的
RF频率： 18 - 32 GHz的
小信号增益： 22分贝
低增益平坦度： ± 1分贝
典型噪声系数： 3.0分贝
典型输出IP3 ： 19 dBm的
应用
微波无线电系统
卫星VSAT ， DBS上/下行链路
LMDS &点对点微米长途
宽带无线接入（包括802.16和
802.20 WIMAX）
WLL和MMDS回路
商用级军事
注意事项：
遵守的注意事项进行处理
静电敏感器件。
ESD机模型（ A类）
ESD人体模型（ 1A级）
请参考安华高科技应用笔记
A004R ：
静电放电，损坏和
控制权。
注意：
1.本MMIC采用耗尽型pHEMT制
设备。
绝对最大额定值
[1]
符号
Vd
Id
针
总胆固醇
TSTG
TMAX
参数/条件
漏极对地电压
漏电流
CW RF输入功率最大
最大通道温度
储存温度
最高温度大会
单位
V
mA
DBM
C
C
C
最大
5.5
100
10
+150
-65 +150
260对20多岁
注意：
1.操作超过任何这些条件可能会导致该器件造成永久性损坏。为VD， ID，以及绝对最大额定值
销均在25 ° C的环境温度，除非另有说明确定。
DC规格/物理性能
[2]
符号
国际直拨电话
VDD
QJC
参数和测试条件
漏电流在任何射频功率驱动器和温度。 ] （ VDD = 3V）
漏极供电电压
热阻
[3]
单位
mA
V
C / W
分钟。
典型值。
65
3
27
马克斯。
90
5
注意事项：
2.环境工作温度TA = 25°C除非另有说明
3.通道到背面热阻（ Tchannel = 34 ℃）使用红外显微镜测量。在背面温度热阻。
（铽）=从测量数据计算25 ℃。
AMMC - 6233 RF规格
[4]
符号
收益
NF
RL
in
RL
OUT
ISO
P
-1dB
OIP3
T
A
= 25 ° C，V
dd
= 3.0 V，I
dd
= 65毫安，Z
o
= 50 Ω
参数和测试条件
RF小信号增益
噪声系数为50W （ 5 ）
输入回波损耗
输出回波损耗
隔离
输出功率在1分贝
(7)
收益
压缩
输出三阶截点
频率
（千兆赫）
18, 26, 31
18, 26, 31
单位
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
最低
18
典型
22
3.0
-12
-12
-45
8
19
4.0
最大
注意事项：
4，所有测试参数与保证测量精度+/- 0.5 dB对于6 20 GHz频率范围， ±0.75分贝在20 33 GHz的范围，
±1.0分贝在33 50 GHz范围内。
5. NF测量晶圆上。额外的连接线（ 0.2 NH）的输入可以改善NF在某些频率。
2
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