AMMC-5033
17.7 - 32 GHz功率放大器
数据表
芯片尺寸： 2730 X 1300微米（ 108 X 51.6密耳）
芯片尺寸公差： ± 10微米（ ± 0.4密耳）
芯片厚度： 100 ± 10微米（ 4 ± 0.4密耳）
垫尺寸： 80× 80微米（ 2.95 ± 0.4密耳）
描述
Avago的AMMC - 5033是一种MMIC功率放大器设计
在该范围内操作的无线发射器使用
17.7 GHz至32 GHz范围内。在25千兆赫，它提供27 dBm的
输出功率（P- 1分贝）和小信号增益20分贝
从一个小的易于使用的设备。该装置具有输入
而在50 Ω环境输出匹配电路中使用
求。该AMMC- 5033还集成了一个温度
补偿射频功率检测电路，使
功率检测0.1 V / W ，在22千兆赫。对于改善
可靠性和防潮保护，模具被钝化
在有源区。
特点
频率范围宽： 17.7 - 32 GHz的
高功率： P- 1分贝@ 25千兆赫= 27 dBm的
高增益： 20分贝
回波损耗：输入： -13分贝，输出： -20分贝
集成RF功率检测器
应用
在工作在不同的发射器设计用于
17.7 GHz和32 GHz之间的频段。
可以通过AMMC - 5040 （ 20-40 GHz）的驱动或
AMMC - 5618 （ 6-20千兆赫） MMIC放大器，增加
发射机的要求的功率处理能力
线性操作。
AMMC - 5033绝对最大额定值
[1]
符号
V
d1,2
V
g1
, V
gg
DET偏压
I
d1
I
d2
P
in
T
ch
T
英镑
T
最大
参数/条件
正漏极电压
门电源电压
应用探测器偏置
（可选）
科幻RST级漏电流
CW输入功率
工作信道温度。
存储情况下的温度。
大会的最大温度。
（ 60秒以内）
单位
V
V
V
mA
DBM
°C
°C
°C
分钟。马克斯。
7
-3
0.5
7
320
640
23
+150
-65
+150
+300
第二阶段的漏电流mA
注意：
1.操作超过这些条件的任何一个，可能会导致
在此设备造成永久性损坏。
注意：这些设备是ESD敏感。下面的注意事项强烈建议：
保证在ESD批准载体时使用的骰子从一个目的地运送到另一个。
个人的接地是在任何时候都操作这些设备的时候可以穿。
AMMC - 5033直流规格/物理性能
[1]
符号
I
d1
I
d2
VGG
DETBias
θ
c1(ch-bs)
θ
c2(ch-bs)
参数和测试条件
第一阶段漏极供电电流
(V
d1
= 3.5 V, V
g1
=打开，V
gg
为我设置
d2
典型）
第二阶段漏极供电电流
(V
d2
= 5 V, V
g1
=打开，V
gg
为我设置
d2
典型）
门电源工作电压
(I
d1(Q)
+ I
d2(Q)
= 780 （MA ） ）
检测器偏置电压（可选）
科幻RST阶段热阻
[2]
（背面温度， TB = 25 ° C）
第二阶段热阻
[2, 3]
（背面温度， TB = 25 ° C）
单位
mA
V
V
V
° C / W
° C / W
-0.75
分钟。
典型值。
280
500
-0.6
Vd2
31
19
-0.4
马克斯。
320
注意事项：
1.背面温度T
b
= 25_C除非另有说明。
2.通道到背面热阻（ θch - B）= 42 ℃/时Tchannel （TC ）使用红外显微镜测量150℃为W = 。热敏电阻
tance在背面温度（ TB）=从测量数据计算25 ℃。
3.通道到背面热阻（ θch - B）= 24 ℃/时Tchannel （TC ）使用红外显微镜测量150℃为W = 。热敏电阻
tance在背面温度（ TB）=从测量数据计算25 ℃。
AMMC - 5033 RF规格
[4, 5]
TB = 25 ° C，V
d1
= 3.5 V, V
d2
= 5 V，I
d1(Q)
= 280 mA时，我
d2(Q)
= 500 mA时，莫宁= 50 Ω
低频段
特定网络阳离子
（ 17.7 - 21千兆赫）
单位
dB
dB
dB
27
分钟。
20
23.5
典型值。
22
25
27
29
29.5
中频段
上带
特定网络阳离子
特定网络阳离子
（ 21 - 26.5 GHz的）
（ 26.5 - 32千兆赫）
马克斯。
分钟。
17.5
25.5
典型值。
20
27
28
32
29
马克斯。
分钟。
16.5
25
典型值。
18.5
26.5
27
32
马克斯。
参数
符号
收益
P
-1dB
P
-3dB
OIP
3
测试条件
小信号增益
[5]
在1分贝增益输出功率
压缩
[6]
在3分贝增益输出功率
压缩
[6]
输出三阶截取dBm的
点;
[6]
; ΔF = 2 MHz的;
PIN = 2 dBm的
输入回波损耗
[5]
输出回波损耗
[5]
分钟。反向隔离
dB
dB
dB
RL
in
RL
OUT
隔离
11.5
14
13.5
20
47
11
14
13
19
48
11
15
13
22
46
注意事项：
晶圆形式为T测量4.数据
b
= 25°C.
5. 100 ％晶圆RF测试的频率做= 17.7 ， 21 ， 26.5和32 GHz的。
6. 100 ％的晶圆测试频率= 17.7 ， 26.5和32 GHz的。
2
AMMC - 5033典型性能曲线（温度和电压）
0.10
0.1
40
0.08
（ DET_R ） - （ DET_O ） （V）的
（ DET_R ） - （ DET_O ） （V）的
30
增益（dB ）
0.06
0.01
0.04
20
0.02
0.001
0
5
10
15
20
25
30
RF输出功率（dBm ）
10
5V/0.5A
4V/0.5
3.5V/0.5A
0.00
0
17
19
21
23
25
27
29
31
33
频率（GHz ）
图6.线性和对数检测器的电压和输出功率，
频率。 = 22千兆赫， Det_B = 5 V
图7.增益和V
d2
电压，V
d1
= 3.5 V （常数）
30
0
-5
S11和S22 （ dB）的
-10
-15
-20
-25
-30
17
S11_85
S11_25
S11_ - 40℃
S22_85
S22_25
S22_ - 40℃
28
P-1 （ dBm的）
26
24
5V/0.5A
4V/0.5
3.5V/0.5A
22
20
17
19
21
23
25
27
29
31
33
19
21
23
25
27
29
31
33
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图8.输出功率为1 dB增益压缩和V
d2
电压，V
d1
= 3.5 V
（常数）
图9.回波损耗随温度
4
30
30
25
的Pout （ dBm的） ， PAE （％）
20
15
10
5
0
-30
噘
PAE
Id
1200
1000
800
600
400
200
0
ID （MA ）
28
P-1 （ dBm的）
26
24
85 C
25 C
-40 C
22
20
17
19
21
23
25
27
29
31
33
-20
-10
0
10
20
频率（GHz ）
PIN （ DBM）
图10.输出功率为1dB增益压缩和温度
图11.输出功率， PAE和总漏。在25 GHz的电流与输入功率
50
40
30
S21 （ dB）的
20
10
0
-10
-20
-30
17
19
21
23
85 C
25 C
-40 C
25
27
29
31
33
频率（GHz ）
图12.增益随温度
5
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