安捷伦AMMC -3040
18-36 GHz的双平衡混频器
集成LO放大器/
倍增器
数据表
特点
高IIP3 ： +23 dBm的
宽带宽
RF ： 18-36 GHz的
LO ： 18-36 GHz的
IF ： DC- 3 GHz的
2520 x 760
米（ 99.2 X 29.9密耳）
± 10
米（ ± 0.4密耳）
100 ± 10
米（4 ±0.4密耳）的
75 x 75
米（3 ±0.4密耳）的
芯片尺寸：
芯片尺寸公差：
切屑厚度：
垫尺寸：
基本或次谐波
混合
向上或向下转换器
变频损耗： 9.5分贝
P1dB为： +17 dBm的
低LO驱动功率： + 2 dBm的
可用至42 GHz的
应用
点至点收音机
LMDS
SATCOM
描述
该AMMC- 3040是一个宽带
双平衡混频器（ DBM ）
具有集成高增益LO
放大器。这MMIC可
用作任一个上变频器
或在微波下变频器
或毫米波应用。
如果需要，该LO放大器可以
被偏置以用作
倍频器，使
的二次谐波混频
LO输入。混频器部分
国税发AMMC- 3040捏造
采用悬挂金属制
创建一个独特的， broadside-
再加平衡 - 不平衡变换器结构（专利
待定），以实现卓越的
带宽。该MMIC提供
重复的转换损耗
不调整，使其具有很高的
适用于自动组装
流程。
AMMC - 3040绝对最大额定值
[1]
符号
参数/条件
单位
V
V
mA
°C
°C
°C
-55
-65
+165
+300
-3.0
分钟。
马克斯。
5
0.5
550
+160
V
D1, 2, 3, 4
正漏极电压
V
G1, 2, 3, 4
栅极电压
I
dd
T
ch
T
b
T
英镑
T
最大
注意：
总漏电流
工作信道温度。
背面的操作温度。
存储情况下的温度。
大会的最大温度（ 60秒最大）
°C
1.操作超过这些条件的任何一个，可能会导致该设备造成永久性损坏。
注意：这些设备是ESD敏感。下面的注意事项强烈建议：
保证在ESD批准载体时使用的骰子从一个目的地运送到另一个。
个人的接地是在任何时候都操作这些设备的时候可以穿。
AMMC - 3040直流规格/物理性能
[1]
符号
V
D1, 2, 3, 4
I
d1
I
D2, 3, 4
V
G1, 2, 3, 4
V
p
θ
CH -B
注意事项：
2.通道到背面热阻（ θch - B）= 58
°
C/
在Tchannel （锝） = 150
°
作为使用液晶的方法测定温度。热阻
在背面温度（T
b
)=25
°
进行计算：C从测得的数据。
1.测量晶圆形式为T
夹头
= 25
°
C. （除
θch -BS ）。
参数和测试条件
漏极供电工作电压
第一阶段漏极供电电流
V
dd
= 3.5 V, V
g1
=
0.5
V
共漏极供电电流为2阶段，第3和4
(V
dd
= 3.5 V, V
gg
=
0.5
V)
门电源工作电压（I
dd
= 250 mA）的
夹断电压（V
dd
= 3.5 V，I
dd
＆ LT ;
10毫安
热阻
[2]
（背面温度;■
b
= 25°C)
单位
V
mA
mA
V
V
° C / W
分钟。
2
典型值。
3.5
50
225
-0.5
-1.5
49
马克斯。
5
AMMC - 3040 RF规格
Zo=50
， TB = 25
°
C， IF输出= 2 GHz时， LO输入功率= 2 dBm时， RF输入功率= -20 dBm时，除非另有说明。
V DD = 3.5 V ，
I DD = 250毫安
典型值。
Lc
Lc
ISOL
L-R
P
1
dB
IIP3
注意事项：
1. 100 ％晶圆RF测试是在RF频率= 18 ，22和32 GHz的。
2.如果输入= 2 GHz时，如果输入功率= -20 dBm时， RF频率= LO + IF
3.不包括 20分贝LO放大器的增益。
4.
f
= 2 MHz的RF输入功率= -5 dBm的。
符号
参数和测试条件
转换损耗，下变频
[1]
转换损耗，最高转换
[2]
LO - RF隔离的RF频率= 22 GHz的
[3]
输入功率为1 dB转换损耗
压缩，下变频
输入3
rd
截点
下变频为RF频率= 22 GHz的
[4]
单位
V DD = 4.5 V ，
I DD = 150毫安
典型值。
10
10.5
32
17
22
马克斯。
12
dB
dB
dB
DBM
DBM
9.5
10
31
17
23
2
AMMC - 3040典型性能
Zo=50
,
TB = 25
°
C， IF = 2 GHz的LO输入功率= 2 dBm时， RF输入功率= -20 dBm时，除非另有说明。
14
12
转换损耗（dB ）
10
8
6
4
2
0
20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42
射频频率（ GHz）的
LO = - 4 dBm的
LO = 0 dBm的
罗= 4 DBM
14
13
转换损耗（dB ）
12
11
10
9
8
20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42
射频频率（ GHz）的
LO = - 4 dBm的
LO = 0 dBm的
罗= 4 DBM
14
13
转换损耗（dB ）
12
11
10
9
8
18
LO = 0 dBm的
LO = 2 dBm的
罗= 4 DBM
20
22
24
26
28
30
32
34
射频频率（ GHz）的
图1.转换损耗，变频。
V
d
= 3.5 V，I
d
= 250毫安， LO频率= RF - IF 。
14
13
转换损耗（dB ）
12
11
10
9
8
18
LO = 0 dBm的
LO = 2 dBm的
罗= 4 DBM
图2.转换损耗，下变频。
V
d
= 3.5 V，I
d
= 250毫安， LO频率= RF - IF 。
12
11
转换损耗（dB ）
10
9
8
7
6
23 GHz的
35 GHz的
图3.变频损耗，最高转换。
V
d
= 4.5 V，I
d
= 150毫安， LO频率= RF + IF 。
12
11
转换损耗（dB ）
10
9
8
7
6
23 GHz的
35 GHz的
20
22
24
26
28
30
32
34
-4 -3 -2
-1
0
1
2
3
4
5
6
-4 -3 -2
-1
0
1
2
3
4
5
6
射频频率（ GHz）的
射频频率（ GHz）的
LO输入功率（dBm ）
图4.变频损耗，下变频。
V
d
= 4.5 V，I
d
= 150毫安， LO频率= RF + IF 。
图5.转换损耗比。 LO输入功率，高达图6.转换损耗比。 LO输入功率，
转换。 V
d
= 3.5 V，I
d
= 250毫安， LO频率= RF下变频。 V
d
= 3.5 V，I
d
= 250毫安， LO
- IF 。
频率= RF - IF 。
25
25
20
18
P1dB的（ DBM）
P1dB的（ DBM）
20
P1dB的（ DBM）
20
16
15
15
14
LO =
LO =
LO =
LO =
- 2 dBm的
0 dBm的
2 dBm的
4 dBm的
10
10
LO = 0 dBm的
LO = 2 dBm的
罗= 4 DBM
12
5
5
10
18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
射频频率（ GHz）的
0
18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
射频频率（ GHz）的
0
18
20
22
24
26
28
30
32
34
射频频率（ GHz）的
图7.输入功率为1 dB转换损耗
压缩，下变换。
V
d
= 3.5 V，I
d
= 250毫安， LO频率= RF + IF 。
图8.输入功率为1 dB转换损耗
压缩，向上转换。
V
d
= 3.5 V，I
d
= 250毫安， LO频率= RF + IF 。
图9.输入功率为1 dB转换损耗
压缩，下变换。
V
d
= 4.5 V，I
d
= 150毫安， LO频率= RF + IF 。
3
AMMC - 3040典型性能（续）
25
25
25
20
P1dB的（ DBM）
IIP3 （ dBm的）
20
IIP3 （ dBm的）
20
15
15
15
10
LO = 0 dBm的
LO = 2 dBm的
罗= 4 DBM
10
10
5
5
5
0
18
20
22
24
26
28
30
32
34
0
20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42
射频频率（ GHz）的
0
18
20
22
24
26
28
30
32
34
射频频率（ GHz）的
射频频率（ GHz）的
图10.输入功率为1 dB转换损耗
压缩，向上转换。
V
d
= 4.5 V，I
d
= 150毫安， LO频率= RF + IF 。
40
35
30
隔离度（dB ）
图11.输入3阶截取点,,下图12.输入3阶截取点，下
转换。 V
d
= 3.5 V，I
d
= 250毫安， LO频率= RF转换。 V
d
= 4.5 V，I
d
= 150毫安， LO频率=
- IF 。
RF - IF 。
40
35
30
隔离度（dB ）
25
20
15
10
5
0
18 20
22
24
26
28
30
32
34
36
25
20
15
10
5
0
20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42
射频频率（ GHz）的
射频频率（ GHz）的
图13. LO- RF隔离，下变频。
V
d
= 3.5 V，I
d
= 250 mA的电流。注：不包括
的约20分贝， LO频率= RF LO缓冲放大器的增益
- IF 。
图14. LO- RF隔离，下变频。
V
d
= 4.5 V，I
d
= 150 mA的电流。注：不包括
对 18分贝， LO频率= RF LO缓冲放大器的增益
- IF 。
0 82
420
700
914
1141
1475
2018
2520
760
Vd1
Vg2
Vd2
Vd3
Vd4
IF
760
480
LO
RF
96
0
300
Vg1
0 98
Vg2
568
Vg3
894
Vg4
1320
IF
2018
1720
图15. AMMC - 3040键合焊盘位置，以微米尺寸。
4
到V
DD
直流漏
供应饲料
镀金垫片
（可选）
100 pF的
IF
0.6 pF的
500微米长
线
到V
DD
直流漏
供应饲料
镀金垫片
（可选）
100 pF的
IF
0.6 pF的
500微米长
线
Cb
Cb
LO
RF
LO
RF
100 pF的
100 pF的
到V
GG
DC门
供应饲料
100 pF的
Cb
到V
GG
DC门
供应饲料
Cb
Cb
到V
GG
DC门
供应饲料
（一）基本LO 。单漏单门源组件使用
本振放大器基频混频器的应用程序。
（二）次谐波LO 。单独的第一级栅极偏置电源使用劳
放大器作为一个乘法器，用于应用程序的次谐波混频器。
（注：为了保证稳定运行偏置电源饲料应绕过接地用的电容器，CB > 100 pF的典型值）
图16. AMMC - 3040装配图。
偏置为基波混频
建议的直流偏置
条件为AMMC- 3040
作为使用时， LO放大器
基频混频器
有四个排水管连接
到单个3.5到4.5V供应
并连接到所有四个门
可调节的负电源
电压在图16所示
（ a）中。栅极电压被调整
总共漏极电源电流
的通常为150 250毫安。
在第二，第三和第四
级DC漏极偏置线
内部连接和
因此，只需要一个单一的
键合线。一个独立的债券
线，需要用于第一
舞台直流漏极偏置，V
d1.
在第三和第四阶段的直流
栅极偏置线连接
在内部。一共三个DC
门连接线是必需的：
一个是V
g1
，一个是V
g2
和
一个用于在V
g3
/ V
g4
连接。
内部匹配电路
在RF输入端产生一个50-
欧姆DC和RF接地路径。
施加到任何直流电压
RF输入必须保持
低于1伏特，否则，一
隔直电容应该是
使用。 RF输出为交流
再加。
没有接地连接线是
由于接地需要
连接是通过以下方式制成
通孔的电镀通
擦屁股芯片。
偏置的次谐波混频
在LO放大器的AMMC-
3040也可以被用来作为
倍频器。最佳
转换效率为
倍频器具有获得
为3 8的输入功率电平
dBm的。
倍频为
通过减小偏压实现
在第一级的FET来
有效地产生谐波。
剩余的三个阶段是
然后用于提供
放大器阳离子。
虽然许多偏差的方法可能
可用于产生和扩增
中所需的高次谐波
该AMMC- 3040的LO放大器，
以下信息是
建议作为一个起点
次谐波混频
应用程序。
倍频为
通过偏置来实现
第一阶段FET在由挤夹断
设置V
g1
= V
p
≈
-1.1伏。
剩余的三个阶段是
偏置正常放大，
例如，V
gg
进行调整，使得
I
d2
+ I
d3
+ I
d4
≈
250毫安。该
漏极电压Vdd时，所有四个
阶段应为3.5至4.5伏。
所示的装配图
如图16（b ）可作为一个
指引。
在所有的情况下， Cb的> 100 pF到
保证稳定性。
IF输出端口
IF输出端口位于
靠近模具的中间，
允许该连接是
从的两侧做
芯片的最大布局
灵活性。
LO和RF信号是
反射地终止在IF
通过连接20-万口
（ 500微米）长的连接线从
关于在MMIC的IF输出垫
到一个分流0.6 pF的片状电容器
装片外指示
在图16中。
5
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