【初步数据表NESG3033M14NPN硅锗RF晶体管的低噪声，高增益放大4引脚无铅减Minimold】,IC型号AML1005H5N6STS,AML1005H5N6STS PDF资料,AML1005H5N6STS经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步

数据表

NESG3033M14

NPN硅锗RF晶体管的低噪声，高增益

放大4引脚无铅减Minimold （ M14 ， 1208 PKG ）

特点

在NESG3033M14是低噪声，高增益放大的理想选择

NF = 0.6 dB典型值。 @ V

= 2 V，I

= 6毫安， F = 2.0 GHz的

最大稳定功率增益：味精= 20.5分贝TYP 。 @ V

= 2 V，I

= 15 mA时， F = 2.0 GHz的

的SiGe HBT技术（ UHS3 ）采用：F

最大

= 110 GHz的

本产品的改进NESG3032M14的ESD的。

4针引线少minimold （ M14 ， 1208 PKG ）

<R>

R09DS0049EJ0300

Rev.3.00

2012年9月14日

订购信息

产品型号

NESG3033M14

订单号

NESG3033M14-A

包

4针引线少minimold

（ M14 ， 1208 PKG ）

NESG3033M14 - T3 NESG3033M14 - T3 -A

（无铅）

QUANTITY

50个

（无卷）

10千件/卷

供给方式

8毫米宽压纹带卷

引脚1 （珍藏），引脚4 （ NC）面对

带的穿孔侧

备注

如需订购评估样品，请联系您最近的销售部门。

样本股数量为50个。

绝对最大额定值（T

= +25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

基极电流

集电极电流

总功耗

结温

储存温度

符号

CBO

注1

评级

5.0

4.3

150

+150

单位

°C

首席执行官

注1

合计

注2

英镑

注意事项1 。

CBO

我

由保护元件的容许电流的限制。

安装在1.08厘米

1.0毫米（ t）的玻璃环氧树脂印刷电路板

小心

观察时处理，因为这些器件对静电放电敏感的预防措施。

标记<R>表示主要修改点。

"场：修订部分可以通过在PDF文件中复制一个"<R>"和"Find指定它是什么很容易搜索到。

R09DS0049EJ0300 Rev.3.00

2012年9月14日

第14页1

NESG3033M14

推荐工作范围（T

= +25°C)

参数

输入功率

基地反馈反抗者

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

100

单位

DBM

kΩ

备注

当电压返回偏置电路如下图所示时，电流增加的原因是在

ESD保护元件被接通时，在上表中运动的推荐范围超出上。

然而，没有影响的可靠性，包括恶化。

BIAS

呛

R09DS0049EJ0300 Rev.3.00

2012年9月14日

第14页2

NESG3033M14

<R>

电气特性（T

= +25°C)

参数

DC特性

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

射频特性

插入功率增益

噪声系数

相关的增益

反向传输电容

最大稳定功率增益

增益1 dB压缩输出功率

三阶互调失真

输出截获点

21e

注2

注3

符号

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

CBO

EBO

注1

= 5 V，I

= 0

= 1 V，I

= 0

= 2 V，I

= 6毫安

220

300

100

380

= 2 V，I

= 15 mA时， F = 2.0 GHz的

= 2 V，I

= 6毫安， F = 2.0千兆赫，

= Z

SOPT

, Z

= Z

LOPT

= 2 V，I

= 6毫安， F = 2.0千兆赫，

= Z

SOPT

, Z

= Z

LOPT

= 2 V，I

= 0中，f = 1 MHz的

= 2 V，I

= 15 mA时， F = 2.0 GHz的

= 3 V，I

C（套）

= 20毫安，

F = 2.0千兆赫，Z

= Z

SOPT

, Z

= Z

LOPT

= 3 V，I

C（套）

= 20毫安，

F = 2.0千兆赫，Z

= Z

SOPT

, Z

= Z

LOPT

15.0

17.5

0.60

17.5

0.15

20.5

12.5

24.0

0.85

0.25

DBM

味精

O（1 dB为单位）

OIP

注意事项1 。

脉搏测量： PW

≤

350

S，占空比

≤

集电极基极电容，当发射器接地

味精=

<R>

分类

秩

记号

价值

FB / YFB

220到380

R09DS0049EJ0300 Rev.3.00

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NESG3033M14

典型特征（T

= + 25 ℃，除非另有规定）

总功耗

- 环境温度

总功耗P

合计

（ mW）的

反向传输电容

与集电极 - 基极电压

反向传输电容C

（PF ）

250

安装在玻璃环氧树脂印刷电路板

（ 1.08厘米

1.0毫米（ t））的

200

0.3

F = 1 MHz的

0.2

150

100

0.1

100

125

150

环境温度T

(C)

集电极基极电压V

(V)

集电极电流主场迎战

基地发射极电压

100

0.1

0.01

0.001

= 1 V

集电极电流I

（MA ）

集电极电流主场迎战

基地发射极电压

100

0.1

0.01

0.001

= 2 V

集电极电流I

（MA ）

0.0001

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

0.0001

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

基极至发射极电压V

(V)

基极至发射极电压V

(V)

集电极电流主场迎战

基地发射极电压

100

0.1

0.01

0.001

= 3 V

集电极电流I

（MA ）

集电极电流主场迎战

集电极到发射极电压

200

180

160

140

120

100

= 20

集电极电流I

（MA ）

0.0001

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

基极至发射极电压V

(V)

集电极到发射极电压V

(V)

备注

该图表显示的标称特性。

R09DS0049EJ0300 Rev.3.00

2012年9月14日

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NESG3033M14

直流电流增益主场迎战

集电极电流

1 000

= 1 V

1 000

= 2 V

直流电流增益主场迎战

集电极电流

直流电流增益

100

直流电流增益

100

0.1

100

0.1

100

集电极电流I

（MA ）

集电极电流I

（MA ）

直流电流增益主场迎战

集电极电流

1 000

= 3 V

直流电流增益

100

0.1

100

集电极电流I

（MA ）

备注

该图表显示的标称特性。

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