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AMIS-30623
林微步进电机驱动器
1.0概述
在AMIS- 30623是一款单芯片微步进电机驱动器与位置控制器和控制/诊断接口。这是准备建
与LIN主远程连接的专用机电一体化解决方案。
该芯片通过总线接收的定位指令,并随后驱动电机线圈到所需的位置。片上
位置控制器是可配置的(OTP或RAM ),用于不同类型的电机,定位范围和参数为速度,加速度
和减速。先进的运动资质模式能够验证整个机械系统中的功能
选择的运动参数。在AMIS- 30623作为LIN总线上的从站,主可以卖到像特定的状态信息
实际位置,误差标志等从各个从属节点。
一个集成的无传感器步损检测可以防止定位从失去的步骤和运行到失速时停止电机。
这使无声的,但精确的位置校准一个参考运行期间,允许半闭环运行时,接近
机械最终停止。
该芯片是在I2T100技术实现的,在同一芯片上实现既高电压的模拟电路和数字功能。
在AMIS- 30623是与汽车电压要求完全兼容。
2.0产品特点
电机驱动器
微步进技术
无传感器步损检测
峰值电流高达800mA
固定频率PWM电流控制
自动选择快速及慢速衰减模式
无需外部回扫二极管
14V / 24V兼容
运动模式资质
控制器, RAM和OTP存储器
位置控制器
可配置的速度和加速度
输入可连接可选运动开关
LIN接口
物理和数据链路层(符合LIN转。 1.3)
现场可编程节点地址
动态分配的标识符
全面诊断和状态信息
保护
过电流保护
欠压管理
开路检测
高温预警和管理
低温度标志
LIN总线短路保护,电源和接地
失去了LIN安全操作
2008 SCILLC 。版权所有。
2008年6月 - 第4版
出版订单号:
AMIS30623/D
AMIS-30623
省电
掉电电源电流100μA <
5V稳压器与LIN活动唤醒
EMI兼容性
LIN总线集成斜率控制
高压输出与斜率控制
3.0应用
在AMIS- 30623非常适合小型定位应用。目标市场包括:汽车(前大灯对准,暖通空调,
怠速控制,巡航控制) ,工业设备(照明,流体控制,贴标签,过程控制, XYZ表,机器人)和建筑
自动化系统(HVAC ,监视,圆盘式卫星天线,可再生能源系统) 。适合的应用程序通常有多个轴或要求
机电解决方案与驱动芯片直接安装在电机上。
4.0订购信息
表1 :订购信息
产品型号
AMIS30623C6239G
AMIS30623C6239RG
AMIS30623C623AG
AMIS30623C623ARG
SOIC-20
SOIC-20
NQFP -32 ( 7 ×7 MM)
NQFP -32 ( 7 ×7 MM)
传送配置
管/托盘
磁带&卷轴
管/托盘
磁带&卷轴
峰值电流
800毫安
800毫安
800毫安
800毫安
温度范围
-40°C…..125°C
-40°C…..125°C
-40°C…..125°C
-40°C…..125°C
停止电压
低门槛
典型值。 8.5V
典型值。 7.5V
典型值。 8.5V
典型值。 7.5V
5.0快速参考数据
表2 :绝对最大额定值
参数
VBB
VLIN
TAMB
TST
VESD
(3)
分钟。
-0.3
-80
(2)
马克斯。
+40
(1)
单位
V
V
°C
°C
kV
kV
电源电压
总线输入电压
在偏置环境温度
储存温度
LIN引脚的静电放电电压
其它引脚的静电放电电压
+80
+150
+160
+4
+2
-50
-55
-4
-2
注意事项:
( 1)有限的时间<0.5s
( 2 )电路的功能是无法保证的。
( 3 )人体模型(通过1.5 kΩ的100 pF的,根据MIL STD 。 883E ,方法3015.7 )
表3 :工作范围
参数
VBB
电源电压
顶部
工作温度范围
VBB
18V
VBB
29V
分钟。
+8
-40
-40
马克斯。
+29
+125
+85
单位
V
°C
°C
启示录4 |第65 2 | www.onsemi.com
AMIS-30623
6.0框图
SWI
AMIS-30623
LIN
公共汽车
接口
位置
调节器
HW [2:0 ]
TST
调节器
PWM
调节器
X
I-感
MOTXP
MOTXN
解码器
主控制
注册
OTP - ROM
正弦波
DAC的
4兆赫
运动检测
VREF
温度
SENSE
振荡器
PWM
调节器
Y
电荷泵
I-感
MOTYP
MOTYN
电压
调节器
VBB VDD
CPN CPP VCP GND
图1 :框图
启示录4 |第65 3 | www.onsemi.com
AMIS-30623
7.0引脚输出
GND
GND
GND
GND
XN
YP
YP
XN
HW0
HW1
VDD
GND
TST
LIN
GND
HW2
CPN
CPP
1
2
3
20
19
18
SWI
VBB
MOTXP
GND
MOTXN
MOTYP
GND
MOTYN
VBB
VCP
32
31
30
29
28
27
26
25
XP
XP
VBB
VBB
VBB
SWI
NC
HW0
1
2
3
4
5
6
7
8
24
23
22
4
5
6
7
8
9
10
17
16
15
14
13
12
11
YN
YN
VBB
VBB
VBB
VCP
CPP
CPN
表4 :引脚说明
引脚名称
引脚说明
HWO
HW1
VDD
GND
TST
LIN
HW2
CPN
CPP
VCP
VBB
MOTYN
MOTYP
MOTXN
MOTXP
SWI
NC
位,LIN -ADD 0
位,LIN - ADD 1
内部电源(需要外部去耦电容)
地面上,散热片
测试引脚(将连接至地在正常操作)
LIN总线连接
第2位,LIN -ADD
泵电容的负极连接(电荷泵)
泵电容(电荷泵)正连接
电荷泵滤波电容
电池电压供给
相Y线圈的负端
相Y线圈的正端
X相线圈的负端
X相线圈的正端
开关量输入
没有连接(需接地)
要连接到GND或VDD
AMIS-30623
AMIS-30623
21
20
19
18
17
9
10
11
12
13
14
15
16
HW1
VDD
GND
TST
LIN
GND
HW2
NC
PC20051118.1
顶视图
NQ32
图2 : SOIC 20 NQFP -32引脚输出
PC20051123.1
SOIC-20
1
2
3
4,7,14,17
5
6
8
9
10
11
12,19
13
15
16
18
20
NQFP-32
8
9
10
11, 14, 25, 26, 31, 32
12
13
15
17
18
19
3, 4, 5, 20, 21, 22
23, 24
27, 28
29, 30
1, 2
6
7, 16
启示录4 |第65 4 | www.onsemi.com
AMIS-30623
8.0封装热阻
8.1 SOIC- 20
以降低结点到环境的热阻,则建议将接地导致PCB地平面布局
在图3的结点到外壳的热阻取决于铜的面积,铜厚,PCB厚度和说明
铜层数目。为460毫米的总面积计算
2
, 35μm的铜箔厚度, 1.6毫米PCB厚度和1layer中,
热阻为28 ℃/ W,导致63 ° C / W结到环境的热阻,
图3 :PCB地平面布局条件
SOIC-20
PC20041128.1
8.2 NQFP -32
该NQFP旨在提供卓越的热性能。在封装的底面用的露出管芯焊盘,是
部分原因促成了这一点。为了充分利用这一点,在PCB必须具备的功能进行热量从封装。一
有散热孔散热接地焊盘可以做到这一点。与布局作为热电阻结示于图4 - 至 -
环境可以放倒至25℃ / W的一个电平。
NQFP-32
PC20041128.2
图4 :PCB地平面布局条件
启示录4 |第65 5 | www.onsemi.com
AMIS-30623
微步进电机驱动器
介绍
在AMIS- 30623是一款单芯片微步进motordriver与
位置控制器和控制/诊断接口。这是准备建
与LIN主远程连接的专用机电一体化解决方案。
该芯片通过总线接收的定位指令和
随后驱动电机线圈到所需的位置。该
片上位置控制器是可配置的(OTP或RAM ),用于
不同的电机类型,定位范围和参数的速度,
加速和减速。在AMIS- 30623作为对奴隶
LIN总线和主机可以获取类似的特定状态信息
实际位置,误差标志等从各个从属节点。
集成的无传感器步损检测防止
运行到当从松动步骤和定位停止马达
摊位。这使得在一个无声的,但精确的位置校准
引用运行,并允许在半闭环操作
接近机械的最终站。
该芯片在I2T100技术实现,使兼具高
电压的模拟电路和数字功能在同一个芯片上。
在AMIS- 30623是与汽车电压完全兼容
要求。
产品特点
MOTORDRIVER
http://onsemi.com
SOIC20
8或9的后缀
CASE 751AQ
微步进技术
无传感器步损检测
峰值电流可达800毫安
固定频率PWM电流控制
自动选择快速及慢速衰减模式
无需外部回扫二极管
NQFP32
A或B后缀
CASE 560AA
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
符合14 V汽车系统和
工业系统高达24 V
动态资质模式(注1 )
控制器, RAM和OTP存储器
位置控制器
可配置的速度和加速度
输入可连接可选运动开关
LIN接口
开路检测
高温预警和管理
低温国旗
LIN总线短路保护,以供应和地
失去了LIN安全操作
省电
物理层符合LIN转。 2.0 。数据链路
层兼容LIN转。 1.3 (注2)
现场可编程节点地址
动态分配的标识符
诊断和状态信息
保护
掉电电源电流< 100
mA
5 V稳压器,具有唤醒在林活动
EMI兼容性
LIN总线集成斜率控制
高压输出与斜率控制
专利
过电流保护
欠压管理
美国7271993
美国7288956
这是一个Pb - Free设备
1.不适用于“产品版本AMIS30623C6238 (R )G , AMIS30623C623B (R ) G”
2.轻微异常的数据链路层LIN转的一致性。 1.3 。
半导体元件工业有限责任公司, 2009年
2009年5月
启示录7
1
出版订单号:
AMIS30623/D
AMIS30623
应用
在AMIS- 30623非常适合小的定位
应用程序。目标市场包括:汽车(前照灯
对齐,暖通空调,怠速控制,巡航控制) ,工业
设备(照明,流体控制,贴标签,过程控制,
XYZ表,机器人...)和楼宇自动化(暖通空调,
表1.订购信息
产品型号
AMIS30623C6239G
AMIS30623C6239RG
AMIS30623C623AG
AMIS30623C623ARG
AMIS30623C6238G
AMIS30623C6238RG
AMIS30623C623BG
AMIS30623C623BRG
峰值电流
800毫安
800毫安
800毫安
800毫安
800毫安
800毫安
800毫安
800毫安
产业
高电压版本
最终市场/版
包*
SOIC20
(无铅)
SOIC20
(无铅)
NQFP -32 ( 7 ×7 MM)
(无铅)
NQFP -32 ( 7 ×7 MM)
(无铅)
SOIC20
(无铅)
汽车
高温
VERSION
SOIC20
(无铅)
NQFP -32 ( 7 ×7 MM)
(无铅)
NQFP -32 ( 7 ×7 MM)
(无铅)
航运
管/托盘
磁带&卷轴
管/托盘
磁带&卷轴
管/托盘
磁带&卷轴
管/托盘
磁带&卷轴
监视,圆盘式卫星天线,可再生能源系统) 。
适合的应用程序通常有多个轴或要求
机电一体化解决方案的驱动芯片安装
直接在电动机。
*有关我们的无铅战略和焊接细节的其他信息,请下载安森美半导体焊接和安装
技术参考手册, SOLDERRM / D 。
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
快速参考数据
表2.绝对最大额定值
参数
V
BB
, VHW2 , VSWI
VLIN
T
J
TST
VESD (注5 )
供电电压,硬连线的地址和SWI销
总线输入电压
结温范围(注4 )
储存温度
LIN引脚上HBM静电放电电压
在其它引脚(注6)的HBM静电放电电压
其他引脚(注7 ) MM静电放电电压
0.3
40
50
55
4
2
200
最大
40 (注3 )
+40
+175
+160
+4
+2
+200
单位
V
V
°C
°C
kV
kV
V
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
表3.工作范围
参数
V
BB
T
J
3.
4.
5.
6.
7.
电源电压
工作温度范围
+6.5
40
最大
+29
+165
单位
V
°C
对于有限的时间: V
BB
<0.5 S, SWI和HW2销<1.0秒。
该电路的功能是无法保证的。
符合AEC - Q100 HBM : EIA- JESD22 - A114 -B (通过1.5千瓦100 PF)和MM符合AEC -Q100标准: EIA- JESD22 - A115 -A 。
测试的AMIS30623C6238 (R )G版本。
测试的AMIS30623C623B (R )G版本。
http://onsemi.com
2
AMIS30623
目录
概述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
产品特点。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
应用程序。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2
快速参考的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2
最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
封装热阻。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
DC参数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
AC参数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
典型应用。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
定位参数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
SWI
AMIS30623
LIN
公共汽车
接口
位置
调节器
HW [2:0 ]
TST
调节器
结构说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
功能说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
位置控制器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
主控和寄存器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
自给自足功能的欠压状态。 。 。
OTP寄存器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
优先编码器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
Motordriver 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
LIN控制器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
林失落的行为。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
LIN应用的命令。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
应用程序的命令。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
包装纲要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
13
14
14
21
23
24
29
31
36
41
44
45
59
I-感
PWM
调节器
X
MOTXP
MOTXN
解码器
主控制
注册
OTP
只读存储器
正弦波
DAC的
4兆赫
VREF
温度
SENSE
振荡器
I-感
电压
调节器
电荷泵
运动检测
PWM
调节器
Y
MOTYP
MOTYN
VBB
VDD
CPN CPP VCP
GND
图1.框图
http://onsemi.com
3
AMIS30623
GND
32
XP
XP
VBB
VBB
VBB
SWI
NC
HW0
9
HW1
VDD
GND
TST
LIN
GND
HW2
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
AMIS30623
( TOP VIEW )
31 30 29 28 27 26 24
23
22
21
20
19
18
10 11 12 13 14 15 17
16
GND
GND
GND
XN
YP
YP
XN
HW0
HW1
VDD
GND
TST
LIN
GND
HW2
CPN
CPP
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
SOIC20
AMIS30623
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
SWI
VBB
MOTXP
GND
MOTXN
MOTYP
GND
MOTYN
VBB
VCP
25
YN
YN
VBB
VBB
VBB
VCP
CPP
CPN
图2. SOIC -20和NQFP -32针脚
表4.引脚说明
引脚名称
HW0
HW1
VDD
GND
TST
LIN
HW2
CPN
CPP
VCP
V
BB
MOTYN
MOTYP
MOTXN
MOTXP
SWI
NC
位,LIN -ADD 0
位,LIN - ADD 1
引脚说明
要连接到GND或V
DD
SOIC20
1
2
3
4, 7, 14, 17
5
6
8
9
10
11
12,19
13
15
16
18
20
NQFP32
8
9
10
11, 14, 25, 26, 31, 32
12
13
15
17
18
19
3, 4, 5, 20, 21, 22
23, 24
27, 28
29, 30
1, 2
6
7, 16
内部电源(需要外部去耦电容)
地面上,散热片
测试引脚(将连接至地在正常操作)
LIN总线连接
第2位,LIN -ADD
泵电容(电荷泵)负连接
泵电容(电荷泵)正连接
电荷泵滤波电容
电池电压供给
相Y线圈的负端
相Y线圈的正端
X相线圈的负端
X相线圈的正端
开关量输入
没有连接(需接地)
http://onsemi.com
4
AMIS30623
封装热阻
在AMIS- 30623是采用SOIC - 20和优化
NQFP -32封装。对于散热的优化,在NQFP
已具有暴露散热垫被焊接到
PCB地平面。地平面需要散热孔,以
进行头部到底层。图3和4给予
例子很好的配电解决方案。
为了获得精确的热冷却计算的主要
器件的热阻中给出。热
媒体到该设备的功率必须被给定为:
静态环境空气(通过的情况下)
PCB板铜面积(通过器件引脚和
裸露焊盘)
热敏电阻被示于表5 :直流
参数。
RTH
结到信息和
裸露焊盘
Rthjp
RTH
结到信息
Rthjp
19
0,95
该装置的主要热阻是Rth的
从结点到环境( Rthja )和整体的Rth
从结到引线( Rthjp ) 。
该NQFP设备被设计为提供优异的导热
性能。在底部用一个暴露管芯焊盘
封装的表面主要是造成上述
性能。为了充分的暴露充分利用
垫,它是最重要的,该印刷电路板具有的特性进行
热量远离包。用热接地垫
散热孔可以做到这一点。
在下表中,可以找到用于Rthja的值和
Rthjp ,根据JESD -51规范模拟:
SOIC20
NQFP32
RTH
结到环境
Rthja ( 1S0P )
62
60
RTH
结到环境
Rthja ( 2S2P )
39
30
该Rthja为2S2P模拟符合JESD -51
如下所示:
与内部电源层的4层印刷电路板
和外(顶部和底部)的信号层是用来
板的厚度为1.46毫米( FR4 PCB材料)
2个信号层: 70
mm
厚铜面积
5500 mm
2
铜和20%的导电性
2个电源内部平面: 36
mm
厚铜
5500毫米的面积
2
铜和90%的导电性
该Rthja为1S0P模拟符合JESD -51
如下所示:
仅1层的1层印刷电路板
板的厚度为1.46毫米( FR4 PCB材料)
该层的厚度为70
mm
铜与一个区
的5500毫米
2
铜和20%的导电性
SOIC - 20 PCB地平面的图3.示例
布局(优先布局在顶部和底部)
NQFP - 32 PCB地平面的图4.示例
布局(优先布局在顶部和底部)
http://onsemi.com
5
NQFP32
SOIC20
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