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AMIS-30621
微步进电机驱动器
介绍
在AMIS - 30621是一款单芯片微步进电机驱动器
与位置控制器和控制/诊断接口。它已准备好
建立一个远程连接的专用机电一体化解决方案
LIN主。
该芯片通过总线接收的定位指令和
随后驱动电机线圈到所需的位置。该
片上位置控制器是可配置的(OTP或RAM ),用于
不同的电机类型,定位范围和参数的速度,
加速和减速。在AMIS- 30621作为对奴隶
LIN总线和主机可以获取类似的特定状态信息
实际位置,误差标志等从各个从属节点。
该芯片在I2T100技术实现,使兼具高
电压的模拟电路和数字功能在同一个芯片上。
在AMIS- 30621是与汽车电压完全兼容
要求。
产品特点
MOTORDRIVER
http://onsemi.com
SOIC20
3 & 7后缀
CASE 751AQ
微步进技术
峰值电流可达800毫安
固定频率PWM电流控制
自动选择快速及慢速衰减模式
无需外部回扫二极管
符合14 V汽车系统和工业
系统最多24 V
NQFP32
6后缀
CASE 560AA
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
控制器, RAM和OTP存储器
位置控制器
可配置的速度和加速度
输入可连接可选运动开关
LIN接口
*有关我们的无铅策略的更多信息
和焊接的详细信息,请下载开启
安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
物理层符合LIN转。 2.0 。数据链路
层兼容LIN 1.3版本(注1 )
现场可编程节点地址
动态分配的标识符
诊断和状态信息
保护
省电
掉电电源电流< 50
mA
5 V稳压器,具有唤醒在林活动
EMI兼容性
LIN总线集成斜率控制
高压输出与斜率控制
这些无铅器件
过电流保护
欠压管理
开路检测
高温预警和管理
低温国旗
LIN总线短路保护,以供应和地
失去了LIN安全操作
1.少数例外,以数据链路层LIN转的一致性。 1.3 。
半导体元件工业有限责任公司, 2010
2010年2月
第4版
1
出版订单号:
AMIS30621/D
AMIS30621
应用
在AMIS- 30621非常适合小的定位
应用程序。目标市场包括:汽车(前照灯
对齐,暖通空调,怠速控制,巡航控制) ,工业
设备(照明,流体控制,贴标签,过程控制,
XYZ表,机器人...)和楼宇自动化(暖通空调,
表1.订购信息
产品型号
AMIS30621C6213G
AMIS30621C6213RG
AMIS30621C6216G
AMIS30621C6216RG
AMIS30621C6217G**
AMIS30621C6217RG**
峰值电流
800毫安
800毫安
800毫安
800毫安
800毫安
800毫安
UV *
SOIC20
(无铅)
NQFP -32 ( 7 ×7 MM)
(无铅)
SOIC20
(无铅)
航运
管/托盘
磁带&卷轴
管/托盘
磁带&卷轴
管/托盘
磁带&卷轴
监视,圆盘式卫星天线,可再生能源系统) 。
适合的应用程序通常有多个轴或要求
机电一体化解决方案的驱动芯片直接安装
上的电动机。
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
* UV欠压锁定级别:看DC参数UV1 & UV2 (停止电压阈值) 。
**对于PRODCUT版本AMIS30621C6217G和AMIS30621C6217RG在OTP的Ihold0位被编程为“1” 。
快速参考数据
表2.绝对最大额定值
符号
V
BB
, VHW2 , VSWI
V
LIN
T
J
T
st
V
ESD
参数
供电电压,硬连线的地址和SWI销
总线输入电压
结温范围(注2 )
储存温度
在LIN人体模型的静电放电电压
销(注3)
其他人体模型的静电放电电压
销(注3)
其他引脚(注4 ) CDM静电放电电压
0.3
40
50
55
4
2
500
最大
+40
(注1 )
+40
+175
+160
+4
+2
+500
单位
V
V
°C
°C
kV
kV
V
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
1.对于有限的时间: V
BB
< 0.5秒, SWI和HW2引脚< 1.0秒。
2.电路功能并不能保证。
根据MIL -STD- 883方法3015.7 ,上SOIC器件测量,并符合AEC - Q100 3.人体模型:
NQFP设备上测量EIA- JESD22 - A114 -B (通过1.5千瓦100 pF的) 。
4.根据CDM EOS_ESD - DS5.3-1993 (草案) -socketed模式下, SOIC器件测量,并符合AEC - Q100 :
EIA- JESD22 - A115 -A上NQFP设备进行测量。
表3.工作范围
符号
V
BB
T
J
电源电压
工作温度范围(注5 )
参数
+6.5
40
最大
+29
+165
单位
V
°C
5.注意热警告和关机将得到积极的“DC参数”中规定的水平。不超过100小时的累积
在续航时间上面的牛逼
tw
.
http://onsemi.com
2
AMIS30621
目录
概述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
产品特点。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
应用程序。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
快速参考的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
封装热阻。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
SWI
AMIS30621
LIN
公共汽车
接口
位置
调节器
HW [2:0 ]
TST
调节器
1
1
2
2
2
2
3
4
5
DC参数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
AC参数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
典型应用。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
定位参数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
结构说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
功能说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
林控制器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
LIN应用的命令。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 42
封装外形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 57
I-感
PWM
调节器
X
MOTXP
MOTXN
解码器
主控制
注册
OTP
只读存储器
正弦波
DAC的
4兆赫
VREF
温度
SENSE
振荡器
I-感
电压
调节器
电荷泵
PWM
调节器
Y
MOTYP
MOTYN
VBB
VDD
CPN CPP VCP
GND
图1.框图
http://onsemi.com
3
AMIS30621
GND
32
XP
XP
VBB
VBB
VBB
SWI
NC
HW0
9
HW1
VDD
GND
TST
LIN
GND
HW2
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
AMIS30621
( TOP VIEW )
31 30 29 28 27 26 24
23
22
21
20
19
18
10 11 12 13 14 15 17
16
NQFP32
GND
GND
GND
XN
YP
YP
XN
HW0
HW1
VDD
GND
TST
LIN
GND
HW2
CPN
CPP
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
SOIC20
AMIS30621
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
SWI
VBB
MOTXP
GND
MOTXN
MOTYP
GND
MOTYN
VBB
VCP
25
YN
YN
VBB
VBB
VBB
VCP
CPP
CPN
图2. SOIC -20和NQFP -32针脚
表4.引脚说明
引脚名称
HW0
HW1
V
DD
GND
TST
LIN
HW2
CPN
CPP
VCP
V
BB
MOTYN
MOTYP
MOTXN
MOTXP
SWI
NC
位,LIN -ADD 0
位,LIN - ADD 1
内部电源(需要外部去耦电容)
地面上,散热片
测试引脚(将连接至地在正常操作)
LIN总线连接
第2位,LIN -ADD
泵电容的负极连接(电荷泵)
泵电容(电荷泵)正连接
电荷泵滤波电容
电池电压供给
相Y线圈的负端
相Y线圈的正端
X相线圈的负端
X相线圈的正端
开关量输入
没有连接(需接地)
引脚说明
要连接到GND或V
DD
SOIC20
1
2
3
4,7,14,17
5
6
8
9
10
11
12,19
13
15
16
18
20
NQFP32
8
9
10
11, 14, 25, 26, 31, 32
12
13
15
17
18
19
3, 4, 5, 20, 21, 22
23, 24
27, 28
29, 30
1, 2
6
7, 16
http://onsemi.com
4
AMIS30621
封装热阻
在AMIS- 30621是采用SOIC - 20和优化
NQFP32包。对于散热的优化,在NQFP
已具有暴露散热垫被焊接到
PCB地平面。地平面需要散热孔,以
进行头部到底层。图3和4给予
例子很好的配电解决方案。
为了获得精确的热冷却计算的主要
器件的热阻中给出。热
媒体到该设备的功率必须被给定为:
静态环境空气(通过的情况下)
PCB板铜面积(通过器件引脚和
裸露焊盘)
热敏电阻被示于表5 :直流
参数。
RTH
结到信息和
裸露焊盘( Rthjp )
该装置的主要热阻是Rth的
从结点到环境( Rthja )和整体的Rth
从结到引线( Rthjp ) 。
该NQFP设备被设计为提供优异的导热
性能。在底部用一个暴露管芯焊盘
封装的表面上,主要是促进这一
性能。为了充分的暴露充分利用
垫,它是最重要的,该印刷电路板具有的特性进行
热量远离包。用热接地垫
散热孔可以做到这一点。
在下面表中,可以找到用于Rthja的值和
Rthjp ,根据JESD - 51standard模拟:
SOIC20
NQFP32
RTH
结到信息
( Rthjp )
19
RTH
结到环境
Rthja 1S0P
62
60
RTH
结到环境
Rthja 2S2P
39
30
0.95
该Rthja为2S2P模拟符合JESD -51
如下所示:
与内部电源层的4层印刷电路板
和外(顶部和底部)的信号层是用来
板的厚度为1.46毫米( FR4 PCB材料)
2个信号层: 70
mm
厚铜面积
5500 mm
2
铜和20%的导电性
2个电源内部平面: 36
mm
厚铜
5500毫米的面积
2
铜和90%的导电性
该Rthja为1S0P模拟符合JESD -51
如下所示:
仅1层的1层印刷电路板
板的厚度为1.46毫米( FR4 PCB材料)
该层的厚度为70
mm
铜与一个区
的5500毫米
2
铜和20%的导电性
SOIC - 20 PCB地平面的图3.示例
布局(优先布局在顶部和底部)
NQFP - 32 PCB地平面的图4.示例
布局(优先布局在顶部和底部)
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5
NQFP32
SOIC20
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地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
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联系人:雷小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
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AMIS30621C6217RG
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电话:0755-23991909
联系人:林裕忠
地址:深圳市福田区中航路国利大厦新亚洲电子市场二期N4C478房间
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