AME公司
AME8861
600毫安CMOS LDO
n
概述
该AME8861系列积极，线性稳压器为特色的
TURE低静态电流（ 30μA典型值）与低压差
电压，非常适用于电池供电的应用。该
节省空间的SOT- 25封装的"Pocket"吸引力
和"Hand Held"应用。
这些坚固的设备有两个热关断，
和电流折返，以防止在设备故障
"Worst"的操作条件。
在需要低噪声的应用，稳压电源，
放置旁路和接地之间1000 pF电容。
该AME8861是稳定的输出电容
2.2μF或更大。
n
功能框图
IN
OUT
过电流
关闭
热
关闭
EN
BYP
AMP
R1
n
特点
l
l
l
l
l
l
l
l
l
非常低的压差电压
600毫安输出
精确到1.5 ％
30μA静态电流
过温关断
限流
短路电流折返
降噪旁路电容
省电关断模式
V
REF
=1.215V
R2
GND
n
典型用途
输入
IN
OUT
产量
AME8861
BYP
GND
EN
l
节省空间的SOT- 25封装
l
出厂预设输出电压
l
低温COEF网络cient
C1
5V
1F
C2
1000pF
C3
2.2F
n
应用
l
l
l
l
l
l
l
仪器仪表
便携式电子产品
无线设备
无绳电话
PC外设
电池供电的小工具
电子秤
1
AME公司
AME8861
600毫安CMOS LDO
n
引脚配置
SOT-25
顶视图
5
4
AME8861
1。
2. GND
AME8861
3. EN
4. BYP
5. OUT
1
2
3
n
订购信息
AME8861 X X X X X X
特色
电压
引脚数
套餐类型
工作温度范围
引脚配置
操作
温度
范围
E: -40
O
C至85
O
C
数
套餐类型
of
引脚
E： SOT -2X
V: 5
针
CON组fi guration
电压
特色
A: 1.
2.
3.
4.
5.
IN
GND
EN
BYP
OUT
300: V=3.0V
250: V=2.5V
330: V=3.3V
L：薄型
Y：无铅&低调
Z：无铅
产品型号
AME8861AEEV250
AME8861AEEV300
AME8861AEEV330
2
记号
AXCww
AWGww
AXCww
输出电压
2.5V
3.0V
3.3V
包
SOT-25
SOT-25
SOT-25
工作温度。范围
- 40
o
C至+ 85
o
C
- 40
o
C至+ 85
o
C
- 40
o
C至+ 85
o
C
详情请咨询AME销售办事处或授权代表/分销商获取其他输出电压和封装类型的可用性。
AME公司
AME8861
600毫安CMOS LDO
n
绝对最大额定值
参数
输入电压
输出电流
输入，输出电压
ESD分类
最大
8
P
D
/ (V
IN
- V
O
)
GND - 0.3 V
IN
+ 0.3
B
单位
V
A
V
注意：上面压力的上市绝对最大额定值可能会导致器件的永久性损坏
n
推荐工作条件
参数
环境温度范围
结温
等级
- 40至+ 85
- 40至+ 125
单位
o
o
C
C
n
热信息
参数
热阻（
θ
ja
)
内部功耗（P
D
)
（ DT = 100
o
C)
最高结温
最大焊接温度（10秒）
SOT-25
SOT-25
最大
260
380
150
300
单位
o
C / W
mW
o
C
C
o
3
AME公司
AME8861
600毫安CMOS LDO
n
电气规格
TA = 25
O
C除非另有说明
参数
符号
输入电压
输出电压精度
V
IN
V
O
I
O
=1mA
1.3V<=V
O（ NOM ）
<=1.4V
输入输出电压差
V
降
I
O
=600mA
V
O
=V
O（ NOM ）
-2.0%
1.4V<V
O（ NOM ）
<=2.0V
2.0V<V
O（ NOM ）
<=2.8V
2.8V<V
O（ NOM ）
输出电流
电流限制
短路电流
静态电流
接地引脚电流
I
O
I
LIM
I
SC
I
Q
I
GND
V
O
>1.2V
V
O
>1.2V
V
O
<0.8V
I
O
=0mA
I
O
= 1mA至600毫安
1.3V < = V
O
< = 1.4V
线路调整
REG
LINE
I
O
=1mA
V
IN
=V
O
1到V
O
+2
1.4V < V
O
< = 2.0V
2.0V < V
O
＆ LT ; 4.0V
V
O
> = 4.0V
负载调整率
过温关闭
过温滞回
V
O
温度COEF网络cient
REG
负载
OTS
OTH
TC
I
O
=100mA
电源抑制
PSRR
C
O
=2.2
F的陶瓷
C
由P
=0.01
F
输出电压噪声
eN
V
EH
V
EL
EN输入偏置电流
关断电源电流
PG漏电流
I
EH
I
EL
I
SD
I
LC
F = 10Hz至100kHz
I
O
=10mA,
C
由P
=0.01
F
EN输入阈值
V
IN
= 2.7V至7V
V
IN
= 2.7V至7V
V
EN
=V
IN
, V
IN
= 2.7V至7V
V
EN
=0V, V
IN
= 2.7V至7V
V
IN
=5V, V
O
=0V, V
EN
＆ LT ; V
EL
V
PG
=7V
0.5
2.0
0
VIN
0.4
0.1
0.5
1
1
V
V
A
A
A
A
f=1kHz
f=10kHz
f=100kHz
Co=2.2
F
I
O
= 1mA至600毫安
-0.2
-0.15
-0.1
-0.4
0.02
0.2
0.2
150
30
30
75
55
30
30
VRMS
dB
600
600
800
300
30
35
0.2
0.15
%
0.1
0.4
1
%
o
o
测试条件
民
注1
-1.5
典型值
最大
7
1.5
1900
单位
V
%
见1400
图表800
600
mV
mA
mA
600
50
mA
A
A
C
C
PPM /
o
C
注1 ： V
IN（分钟）
=V
OUT
+V
降
注2 ：为防止过早激活的短路电流保护功能，输入电压必须
施加一个电流源施加负荷前。
4
AME公司
AME8861
600毫安CMOS LDO
所有的电容应放置在靠近
该引脚。一个"Quiet"接地端接是可取的。这
可以用"Star"连接来实现。
n
详细说明
该AME8861系列CMOS稳压器包含一个
PMOS导通晶体管，基准电压源，误差放大器，
过流保护和热关断。
P沟道通路晶体管从接收数据
误差放大器，过流关闭，并且热亲
tection电路。在正常操作中，误差放大器
费里进行比较，输出电压到一个精确的参考。
过流和热关断电路变得AC-
略去当结温超过150
o
C，或
目前超过600毫安。在热关断，
输出电压保持为低。正常运行是重
当结点温度低于120存储
o
C.
该AME8861开关从电压模式电流
当负载超过额定输出电流的模式。
这可以防止过度紧张。该AME8861还其纳入
利率电流折返，以降低功耗，当
输出被短路。此功能变得AC-
略去时输出下降到低于0.8伏，且降低
的电流流动通过65％。全电流恢复时，
的电压超过0.8伏。
n
启用
使能引脚通常浮动高。当积极，
拉到低时，PMOS通路晶体管关断，并且所有
内部电路被关断。在这种状态下，机更
escent电流小于1μA 。该引脚的行为多少
像的电子开关。
n
外部电容器
该AME8861是稳定的输出电容器，以
地面2.2μF或更大。陶瓷电容器有
ESR值最低，并会提供最佳的AC性能。 CON-
versely ，铝电解电容器表现出高
美国东部时间ESR ，从而在最贫穷的交流响应。不幸的
纳利，较大的值陶瓷电容比较
昂贵的。一种选择是平行一个0.1μF的陶瓷
电容器用10μF铝电解电容。这样做的好处
是低ESR ，高电容和低的总成本。
第二电容建议在 - 间
把地面和稳定输入电压。输入电容应
至少为0.1μF具有有益的效果。
第三个电容可以连接在逐间
PASS引脚与GND 。该电容器可以是低的成本
聚酯薄膜各种0.001的值之间
0.01μF 。较大的电容，增强了AC纹波rejec-
化，也使得输出拿出缓慢。这
"Soft"接通期望在某些应用中，以限制
接通浪涌。
5
AME
AME8861
n
概述
该AME8861系列积极，线性稳压器为特色的
TURE低静态电流（ 30μA典型值）与低压差
电压，非常适用于电池供电的应用。该
节省空间的SOT- 25封装的"Pocket"吸引力
和"Hand Held"应用。
这些坚固的设备有两个热关断，
和电流折返，以防止在设备故障
"Worst"的操作条件。
600毫安CMOS LDO
n
功能框图
IN
OUT
过电流
关闭
热
关闭
EN
BYP
AMP
www.microchip.com
在需要低噪声的应用，稳压电源，
放置旁路和接地之间1000 pF电容。
该AME8861是稳定的输出电容
2.2μF或更大。
R1
n
特点
l
非常低的压差电压
l
600毫安输出
l
精确到1.5 ％
l
30μA静态电流
l
过温关断
l
限流
l
短路电流折返
l
降噪旁路电容
l
省电关断模式
l
节省空间的SOT- 25封装
l
出厂预设输出电压
l
低温COEF网络cient
l
所有AME的无铅产品符合RoHS指令
标准
5V
输入
V
REF
=1.215V
R2
GND
n
典型用途
IN
OUT
产量
AME8861
BYP
GND
EN
C1
1F
C2
1000pF
C3
2.2F
n
应用
l
仪器仪表
l
便携式电子产品
l
无线设备
l
无绳电话
l
PC外设
l
电池供电的小工具
l
电子秤
Rev.E.05
1
AME
AME8861
n
订购信息（续）
产品型号
AME8861AEEV180Y
AME8861AEEV180Z
AME8861AEEV250
AME8861AEEV250L
AME8861AEEV250Y
AME8861AEEV250Z
AME8861AEEV300
AME8861AEEV300L
AME8861AEEV300Y
AME8861AEEV300Z
AME8861AEEV330
AME8861AEEV330L
AME8861AEEV330Y
AME8861AEEV330Z
600毫安CMOS LDO
标记*
BFNww
BFNww
AXCww
输出电压
1.8V
1.8V
2.5V
包
TSOT-25
SOT-25
SOT-25
TSOT-25
TSOT-25
SOT-25
SOT-25
TSOT-25
TSOT-25
SOT-25
SOT-25
TSOT-25
TSOT-25
SOT-25
工作环境
温度范围
- 40
o
C至+ 85
o
C
- 40
o
C至+ 85
o
C
- 40
o
C至+ 85
o
C
- 40
o
C至+ 85
o
C
- 40
o
C至+ 85
o
C
- 40
o
C至+ 85
o
C
- 40
o
C至+ 85
o
C
- 40
o
C至+ 85
o
C
- 40
o
C至+ 85
o
C
- 40
o
C至+ 85
o
C
- 40
o
C至+ 85
o
C
- 40
o
C至+ 85
o
C
- 40
o
C至+ 85
o
C
- 40
o
C至+ 85
o
C
AXCww
www.microchip.com
2.5V
AXCww
AXCww
AWGww
AWGww
AWGww
AWGww
AXBww
AXBww
AXBww
AXBww
2.5V
2.5V
3.0V
3.0V
3.0V
3.0V
3.3V
3.3V
3.3V
3.3V
注： WW表示日期代码，并请参阅日期编码规则封装尺寸前。
*第一个字符的顶部的线代表无铅电镀等BFNww 。
详情请咨询AME销售办事处或授权代表/分销商对输出电压和封装类型的可用性。
Rev.E.05
3
AME
AME8861
n
绝对最大额定值
参数
输入电压
输出电流
输入，输出电压
ESD分类
600毫安CMOS LDO
最大
8
P
D
/ (V
IN
- V
O
)
GND - 0.3 V
IN
+ 0.3
B*
单位
V
A
V
注意：上面压力的上市绝对最大额定值可能会导致器件的永久性损坏。
* HBM B： 2000V 3999V
n
推荐工作条件
参数
环境温度范围
结温范围
存储温度范围
符号
T
A
T
J
T
英镑
等级
- 40 + 85
- 40 + 125
- 65 + 150
单位
o
C
C
C
o
o
n
热信息
参数
热电阻*
（结点到外壳）
热阻
（结到环境）
内部功耗
最高结温
烙铁（10秒） **
*测量
θ
JC
在模塑料，如果IC没有标签的中心。
** MIL -STD- 202G 210F
SOT-25
导电环氧树脂
包
芯片粘接
符号
θ
JC
θ
JA
最大
81
单位
o
C / W
260
P
D
400
150
350
mW
o
o
C
C
4
Rev.E.05
QQ：2880707522 复制
