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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第362页 > AME8861AEEV180L
AME
AME8861
n
概述
该AME8861系列积极,线性稳压器为特色的
TURE低静态电流( 30μA典型值)与低压差
电压,非常适用于电池供电的应用。该
节省空间的SOT- 25封装的"Pocket"吸引力
和"Hand Held"应用。
这些坚固的设备有两个热关断,
和电流折返,以防止在设备故障
"Worst"的操作条件。
600毫安CMOS LDO
n
功能框图
IN
OUT
过电流
关闭
关闭
EN
BYP
AMP
www.microchip.com
在需要低噪声的应用,稳压电源,
放置旁路和接地之间1000 pF电容。
该AME8861是稳定的输出电容
2.2μF或更大。
R1
n
特点
l
非常低的压差电压
l
600毫安输出
l
精确到1.5 %
l
30μA静态电流
l
过温关断
l
限流
l
短路电流折返
l
降噪旁路电容
l
省电关断模式
l
节省空间的SOT- 25封装
l
出厂预设输出电压
l
低温COEF网络cient
l
所有AME的无铅产品符合RoHS指令
标准
5V
输入
V
REF
=1.215V
R2
GND
n
典型用途
IN
OUT
产量
AME8861
BYP
GND
EN
C1
1F
C2
1000pF
C3
2.2F
n
应用
l
仪器仪表
l
便携式电子产品
l
无线设备
l
无绳电话
l
PC外设
l
电池供电的小工具
l
电子秤
Rev.E.05
1
AME
AME8861
n
引脚配置
SOT-25
顶视图
5
4
600毫安CMOS LDO
AME8861
1。
2. GND
AME8861
3. EN
4. BYP
5. OUT
1
2
3
*模具附件:
导电环氧树脂
n
订购信息
AME8861 X X X X X X
特色
电压
引脚数
套餐类型
工作环境温度范围
引脚配置
CON组fi guration
工作环境
温度
套餐类型
of
范围
引脚
E: -40
O
C至+ 85
O
C
E: SOT -2X
V: 5
输出电压
特色
答: 1。
(SOT-25)
2. GND
(TSOT-25)
3. EN
4. BYP
5. OUT
180:
250:
300:
330:
V=1.8V
V=2.5V
V=3.0V
V=3.3V
L:薄型
Y:无铅&低调
Z:无铅
2
Rev.E.05
AME
AME8861
n
订购信息(续)
产品型号
AME8861AEEV180Y
AME8861AEEV180Z
AME8861AEEV250
AME8861AEEV250L
AME8861AEEV250Y
AME8861AEEV250Z
AME8861AEEV300
AME8861AEEV300L
AME8861AEEV300Y
AME8861AEEV300Z
AME8861AEEV330
AME8861AEEV330L
AME8861AEEV330Y
AME8861AEEV330Z
600毫安CMOS LDO
标记*
BFNww
BFNww
AXCww
输出电压
1.8V
1.8V
2.5V
TSOT-25
SOT-25
SOT-25
TSOT-25
TSOT-25
SOT-25
SOT-25
TSOT-25
TSOT-25
SOT-25
SOT-25
TSOT-25
TSOT-25
SOT-25
工作环境
温度范围
- 40
o
C至+ 85
o
C
- 40
o
C至+ 85
o
C
- 40
o
C至+ 85
o
C
- 40
o
C至+ 85
o
C
- 40
o
C至+ 85
o
C
- 40
o
C至+ 85
o
C
- 40
o
C至+ 85
o
C
- 40
o
C至+ 85
o
C
- 40
o
C至+ 85
o
C
- 40
o
C至+ 85
o
C
- 40
o
C至+ 85
o
C
- 40
o
C至+ 85
o
C
- 40
o
C至+ 85
o
C
- 40
o
C至+ 85
o
C
AXCww
www.microchip.com
2.5V
AXCww
AXCww
AWGww
AWGww
AWGww
AWGww
AXBww
AXBww
AXBww
AXBww
2.5V
2.5V
3.0V
3.0V
3.0V
3.0V
3.3V
3.3V
3.3V
3.3V
注: WW表示日期代码,并请参阅日期编码规则封装尺寸前。
*第一个字符的顶部的线代表无铅电镀等BFNww 。
详情请咨询AME销售办事处或授权代表/分销商对输出电压和封装类型的可用性。
Rev.E.05
3
AME
AME8861
n
绝对最大额定值
参数
输入电压
输出电流
输入,输出电压
ESD分类
600毫安CMOS LDO
最大
8
P
D
/ (V
IN
- V
O
)
GND - 0.3 V
IN
+ 0.3
B*
单位
V
A
V
注意:上面压力的上市绝对最大额定值可能会导致器件的永久性损坏。
* HBM B: 2000V 3999V
n
推荐工作条件
参数
环境温度范围
结温范围
存储温度范围
符号
T
A
T
J
T
英镑
等级
- 40 + 85
- 40 + 125
- 65 + 150
单位
o
C
C
C
o
o
n
热信息
参数
热电阻*
(结点到外壳)
热阻
(结到环境)
内部功耗
最高结温
烙铁(10秒) **
*测量
θ
JC
在模塑料,如果IC没有标签的中心。
** MIL -STD- 202G 210F
SOT-25
导电环氧树脂
芯片粘接
符号
θ
JC
θ
JA
最大
81
单位
o
C / W
260
P
D
400
150
350
mW
o
o
C
C
4
Rev.E.05
AME
AME8861
n
电气规格
T
A
= 25
O
C除非另有说明。
参数
输入电压
输出电压精度
符号
V
IN
V
O
I
O
=1mA
1.3V<V
O( NOM )
<=1.4V
输入输出电压差
V
I
O
=600mA
1.4V<V
O( NOM )
<=2.0V
测试条件
注1
-1.5
典型值
最大
7
1.5
1900
见1400
图表800
600
600
600
800
300
30
35
-0.2
-0.15
-0.1
-0.4
0.02
0.2
0.2
150
30
30
I
O
=100mA
电源抑制
PSRR
C
O
= 2.2μF陶瓷
C
BYP
=0.01F
输出电压噪声
eN
F = 10Hz至100kHz
I
O
=10mA,
C
BYP
=0.01F
f=1kHz
f=10kHz
f=100kHz
Co=2.2F
75
55
30
30
μVRMS
dB
0.2
0.15
0.1
0.4
1
%
o
o
600毫安CMOS LDO
单位
V
%
V
O
=V
O( NOM )
-2.0 % 2.0V<V
O( NOM )
<=2.8V
mV
www.microchip.com
2.8V<V
O( NOM )
输出电流
电流限制
短路电流
静态电流
接地引脚电流
I
O
I
LIM
I
SC
I
Q
I
GND
V
O
>1.2V
V
O
>1.2V
V
O
<0.8V
I
O
=0mA
I
O
= 1mA至600毫安
1.3V<=V
O
<=1.4V
线路调整
REG
LINE
I
O
=1mA
V
IN
=V
O
1到V
O
+2
1.4V<V
O
<=2.0V
2.0V<V
O
& LT ; 4.0V
V
O
>=4.0V
负载调整率
过温关闭
过温滞回
V
O
温度COEF网络cient
REG
负载
OTS
OTH
TC
I
O
= 1mA至600毫安
mA
mA
600
50
mA
A
A
%
C
C
PPM /
o
C
Rev.E.05
5
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    -
    -
    -
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联系人:李先生
地址:深圳市福田区华富街道上步工业区501栋8楼808室
AME8861AEEV180L
AMEINC
1905+
35750
SOT23-5
原装优势★长期供应
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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