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模拟电源
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET
这些微型表面贴装MOSFET采用一
高密度沟槽工艺，以提供低
r
DS （ ON）
并且，以确保最小的功率损失和发热
耗散。典型的应用是DC- DC
转换器和电源管理在便携式和
电池供电的产品，如计算机，
打印机， PCMCIA卡，蜂窝和无绳
电话。
AM9433P
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
m( )
44 @ V
GS
= -4.5V
-20
68 @ V
GS
= -2.5V
150 @ V
GS
= -1.8V
I
D
(A)
-8.3
-6.7
-4.5
低R
DS （ ON）
提供了更高的效率和
延长电池寿命
低热阻抗的铜引线框架
SOIC - 8可节省电路板空间
开关速度快
高性能沟道技术
1
2
3
4
8
7
6
5
绝对最大额定值（T
A
= 25°C除非另有说明）
符号最大单位
参数
V
DS
漏源电压
-20
V
栅源电压
V
GS
±12
连续漏电流
漏电流脉冲
b
连续源电流（二极管传导）
功耗
a
a
a
o
T
A
=25
o
C
T
A
=70
o
C
I
D
I
DM
I
S
-8.3
-6.7
±50
-2.1
3.1
2.0
-55到150
o
A
A
W
C
T
A
=25 C
T
A
=70 C
o
o
P
D
T
J
, T
英镑
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
符号
R
θJA
吨< = 10秒
稳态
最大
40
70
单位
o
C / W
o
C / W
笔记
a.
表面装在1 “×1” FR4板。
b.
脉冲宽度有限的最高结温
1
初步
出版订单号：
DS-AM9433_G
模拟电源
AM9433P
规格（T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
A
o
符号
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
A
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250微安
V
DS
= 0 V, V
GS
= ±12 V
范围
单位
最小典型最大
-0.7
±100
o
nA
uA
A
V
DS
= -16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= -16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 C
-1
-5
-50
44
68
150
70
-0.6
16.7
1.8
1.9
20
23
289
134
漏源导通电阻
转发Tranconductance
二极管的正向电压
A
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
= -4.5 V, V
GS
= -10 V
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -8.3 A
V
GS
= -2.5 V，I
D
= -6.7 A
V
GS
= -1.8 V，I
D
= -4.5 A
V
DS
= -15 V，I
D
= -8.3 A
I
S
= 2.5 A，V
GS
= 0 V
m
S
V
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
V
DS
= -10 V, V
GS
= -4.5 V,
I
D
= -8.3 A
nC
V
DD
= -10 V ，R
L
= 6 , I
D
= -1 A,
VGEN = -4.5 V
nS
笔记
a.
脉冲测试： PW < = 300US占空比< = 2 ％ 。
b.
通过设计保证，不受生产测试。
模拟电源
（ APL ）保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。 APL不作任何保证，声明
或保证对其产品是否适合任何特定用途，也不APL承担因应用程序的任何责任或
使用任何产品或电路，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带
损害赔偿。可在APL数据表和/或规格提供“典型”参数，并会根据不同的应用和
实际性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的应用程序通过验证
客户的技术专家。 APL不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。 APL产品不是设计，
意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或用于支持其他应用程序或
维持生命，或任何其他应用程序中的APL产品的故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。
如果买方购买或使用产品的APL任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有联合地产及其
管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师
即使这样产生出来的，直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，费用
索赔称， APL有关部分的设计或制造疏忽造成的。 APL是一个机会均等/肯定行动雇主。
2
初步
出版订单号：
DS-AM9433_G
模拟电源
AM9433P
典型电气特性
20
V
GS
= -4.5V
-3.0V
-I
D
，漏电流（ A）
15
-2.0V
10
-2.5V
-I
D
，漏电流（ A）
15
T
A
= -55 C
25 C
10
o
o
125 C
o
5
5
0
0
1
2
3
4
-V
DS
，漏源极电压（ V）
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-V
GS
，门源电压（ V）
图1.输出特性
图2.传输特性
1.6
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
1500
C
国际空间站
1200
V
GS
= -2.5V
电容（pF）
1.4
900
1.2
600
C
OSS
300
C
RSS
0
5
10
15
20
1
-4.5V
0.8
0
5
10
-I
D
， DIRAIN电流（A）
15
20
0
-V
DS
，漏源极电压（ V）
图3.导通电阻与漏电流
-10
图4.电容
1.6
-8
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
V
GS
= -4.5V
1.4
Vgs的电压（V）
-6
1.2
-4
1
-2
0.8
0
0
4
8
12
16
20
0.6
-50
-25
0
25
50
75
o
100
125
150
QG ，费（ NC）
T
J
，结温（ C）
图5.栅极电荷
图6.导通电阻与结温
3
初步
出版订单号：
DS-AM9433_G
模拟电源
AM9433P
典型电气特性
100
-I
S
，反向漏电流（ A）
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V
SD
，体二极管正向电压（ V）
T
A
= 125
o
C
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
0.15
0.12
0.09
25 C
o
0.06
0.03
0
1
2
3
4
5
-V
GS
，门源电压（ V）
图7.源极 - 漏极二极管正向电压
图8.导通电阻与栅极至源极电压
50
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
单脉冲
RqJA = 125℃ / W
TA = 25℃
1.2
-V
th
，栅源THRESTHOLD
电压（V）的
I
D
= -250A
1
40
30
0.8
20
10
0.6
0.4
-50
-25
0
25
50
75
o
0
100
125
150
0.001
0.01
T
A
，环境温度（ C）
0.1
1
t1时，时间（秒）
10
100
图9. Vth的栅极至源极电压与温度
图10.单脉冲最大功率耗散
归热瞬态结到环境
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.0
0.02
0.01
0.01
P（ PK）
t1
t2
TJ - TA = P * R QJ A（ T）
值班 ycle ， D = T1 / T2
RqJ A（ T） = R（T ） + R QJ一
QJ A = 125
癈
/W
S英格尔P ULS ê
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T1 ， TIM E（ EC）
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线
4
初步
出版订单号：
DS-AM9433_G
模拟电源
AM9433P
包装信息
SO - 8 ： 8LEAD
高x 45
5
初步
出版订单号：
DS-AM9433_G
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AXT530124
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AM7510C
AT27LV040-20LC
AM91L50-35LCB
AD817
AQY221FN2VY
AMS2954AC-25
AME8815BECS150Z
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AM15E-2407DZ
AM29LV017D_05
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    AM9433P
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