ATC
2048位的串行电可擦除的PROM
特点
架构的国家的最先进的
- 非易失性数据存储
- 标准电压和低电压操作
VCC： 2.7V 5.5V
- 全TTL兼容的输入和输出
- 自动递增读高效的数据转储
硬件和软件写保护
- 默认为禁止写入在上电时的状态
- 软件设置为写使能/禁用
- VCC级验证之前，自定时
编程周期
先进的低电压CMOS EEPROM
技术
多功能，易于使用的界面
- 自定时编程周期
- 自动擦除前写
- 编程状态指示灯
- Word和芯片擦除
- 停止SK随时以节省功耗
耐用性和可靠性
- 64年的数据保存
- 1M的最低写入每个字周期
- 无限的读周期
- ESD保护
AM93LC56
概述
该AM93LC56是2048位的非易失性串行
EEPROM 。它是通过使用空管的制
先进的CMOS EEPROM技术。该
AM93LC56提供高效的非易失性读/写
内存配置为每个16位128个字
当ORG引脚连接到VCC和256
的每个8位字时，它被绑定到地。该
指令集包括读，写，写
使能/禁止功能。该数据输出引脚（ DO ）
表示在该装置的状态
自定时非易失编程周期。
自定时写周期包括一个自动
先擦后写的能力。只有当芯片
在写使能状态，适当的VCC
经营范围是写指令接受
从而防止意外写入。数据
被写入16位每写指令到
选择的寄存器。如果片选（ CS ）被带到
写周期开始后HIGH时，数据
输出（ DO ）引脚将指示READY / BUSY
芯片的状态。
该AM93LC56可在节省空间的8引脚
PDIP ， 8引脚SOP和旋转的8引脚SOP封装。
接线图
引脚分配
名字
CS
SK
DI
DO
GND
VCC
NC
ORG
描述
芯片选择
串行数据时钟
串行数据输入
串行数据输出
地
电源
无连接
内设机构
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
NC
ORG
GND
NC
VCC
CS
SK
1
2
3
4
8
7
6
5
ORG
GND
DO
DI
PDIP - 8L / SOP- 8L
旋转的SOP- 8L
订购信息
上午93 L C 56 X XX
X
工作电压
立法会： 2.7 5.5V ， CMOS
TYPE
56: 2K
温度。等级
o
o
空白： 0℃
+
70 C
o
o
I :
40 C ~
+
85 C
o
V :
40 C ~
+
125摄氏度
包
填料
S： SOP- 8L
空白：管
GS8 ： SOP- 8L ，G型：大坪
N： PDIP -8L
该数据表包含的新产品信息。易亨电子公司保留权利修改产品规格，恕不另行通知。无责任承担由于使用的结果
此产品。在任何授权不得销售该产品。
Rev.A1 2003年10月20日
1/10
ATC
2048位的串行电可擦除的PROM
方框图
DI
指令
注册
（ 10比特）
数据
注册
虚位
AM93LC56
DO
R / W的AMPS
CS
指令
解码
控制
和
时钟
GENERATION
地址
注册
解码器
EEPROM
ARRAY
(128 X 16)
OR
(256 X 8)
V
CC
范围
探测器
SK
写使能
高压
发电机
ORG
绝对最大额定值
特征
储存温度
电压对地
符号
T
S
值
-65至+ 125
-0.3 + 6.5
单位
°C
V
注意：这些
只有额定值。操作这些设备在其他地方给予永久损坏适当的条件
的一部分。长时间暴露在最大额定值可能会影响器件的可靠性。
工作条件
在偏置温度
AM93LC56
AM93LC56I
AM93LC56V
值
0至+ 70
-40+ 85
-40到+125
单位
°C
°C
°C
DC电气特性
参数
工作电流**
待机电流
输入漏
输出漏
输入低电压**
输入高电压**
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
符号
I
CC
I
SB
I
IL
I
OL
V
IL
V
IH
V
OL1
V
OH1
V
OL2
（ VCC = 2.7 5.5V ，TA = 25
o
C，除非另有说明）
民
最大
单位
3
mA
10
A
1
A
1
A
0.15 V
CC
V
0.8
V
CC
+0.2
V
V
CC
+0.2
0.4
V
V
0.2
V
V
条件
CS = V
IH
， SK = 1MHz的CMOS输入电平
CS=DI=SK=0V
V
IN
= 0V至V
CC （ CS ， SK ， DI ）
V
OUT
= 0V至V
CC
， CS = 0V
V
CC
= 3V + 10%
V
CC
= 5V + 10%
V
CC
= 3V + 10%
V
CC
= 5V + 10%
I
OL
= 2.1毫安TTL ，V
CC
=5V + 10%
I
OH
= -400uA TTL ，V
CC
=5V + 10%
I
OL
= 10uA的CMOS
I
OH
= -10uA CMOS
-1
-1
-0.1
-0.1
0.8 V
CC
2
2.4
V
CC
-0.2
注** ：
I
CC
, V
IL
分钟和V
IH
最大仅供参考，不测试
易亨电子股份有限公司
www.anachip.com.tw
2/10
修订版A1 2003年10月20日
ATC
2048位的串行电可擦除的PROM
AM93LC56
AM93LC56
民
最大
0
1
250
250
250
50
100
0
100
500
500
500
100
10
1M
AC电气特性
（VCC = 2.7V 5.5V ， TA = 25
o
C，除非另有说明）
参数
SK时钟频率
SK高时间
SK低电平时间
最低CS低电平时间
CS建立时间
DI建立时间
CS保持时间
DI保持时间
输出延迟到"1"
输出延迟到"0"
CS为有效状态
CS在三态DO
写周期时间
5V ， 25℃ ，页面模式
符号
F
SK
T
圣公会
T
SKL
T
CS
T
CSS
T
DIS
T
CSH
T
DIH
T
pD1
T
pD0
T
SV
T
dF
T
wP
耐力**
条件
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
写周期
相对于SK
相对于SK
相对于SK
相对于SK
AC测试
AC测试
AC测试CL = 100pF的
CS = VIL
注** ：
该参数的特点，而不是100％测试。
1.247V
（ 1 TTL门负载）
632欧姆
DO
100PF
图1. AC测试条件
指令集
指令
读
文（写使能）
写
WRALL （写所有寄存器）
WDS （写禁止）
抹去
全部擦除（擦除所有寄存器）
开始
位
1
1
1
1
1
1
1
OP
CODE
10
00
01
00
00
11
00
地址
×
8
A
7
- A
0
11 XXXXXX
A
7
- A
0
01XXXXXX
00 XXXXXX
A
7
- A
0
10 XXXXXX
×
16
A
6
- A
0
11XXXXX
A
6
- A
0
01XXXXX
00XXXXX
A
6
- A
0
10XXXXX
输入数据
×
8
×
16
D
7
– D
0
D
7
– D
0
D
15
- D
0
D
15
- D
0
易亨电子股份有限公司
www.anachip.com.tw
3/10
修订版A1 2003年10月20日
ATC
2048位的串行电可擦除的PROM
引脚电容**
（ TA = 25 ° C，F = 1MH
z
)
符号
C
OUT
C
IN
注** ：
AM93LC56
单位
pF
pF
参数
输出电容
输入电容
最大
5
5
该参数的特点，而不是100％测试。
功能说明
应用
该AM93LC56非常适合大批量应用
需要低功耗和低存储密度。这
设备使用成本低，节省空间的8引脚封装。
典型的应用包括机器人，报警装置，
电子锁，仪表和仪表设置
比如LAN卡，显示器和调制解调器。
耐力和数据保留
该AM93LC56是专为应用程序
需要高达100万次的编程（写，
WRALL ， EARSE和ERALL ） 。它提供40年
的安全数据保留。
设备操作
该AM93LC56由7 10位控制
指令。指令移入（串行）上
DI引脚。每个指令开始的逻辑"1"
（起始位） 。这之后是操作码（2位） ，
的地址字段（7位） ，和数据，如果适当的话。
该时钟信号（SK ）可以在任何时间暂停和
该AM93LC56将保持在其最后的状态。这
允许完全静态的灵活性和最大功率
养护。
读（ READ ）
READ指令是唯一的指令
在DO引脚输出串行数据。后读出的
指令和地址已经被解码，数据是
从所选择的存储器寄存器转移到
8位或16位的串行移位寄存器。 （请注意
一个逻辑"0"位先于实际的8位或16位
输出数据的字符串。 ）对DO的输出变化
在SK的上升沿的过渡。 （图中
图3. ）
自动递增读操作
连续读取是可能的，因为AM93LC56
已被设计为输出的连续流
针对内存的内容到一个读
操作指令。利用该功能，
系统发出一个读指令指定开始
位置的地址。一次的8位或16位
易亨电子股份有限公司
www.anachip.com.tw
4/10
寻址字已经同步输出，在数据
连续升高的地址位置被输出。
该地址将不断换用CS各地
高，直到片选（ CS ）控制引脚带
低。这使得单指令数据转储到
可以用最少的开销固件执行。
写使能（ WEN ）
之前的任何器件编程（写， WRALL ，
擦除和ERAL ）可以做，写
ENABLE （ WEN）指令必须首先执行。
当VCC应用，该器件在该
写禁止状态。那么该设备保持在
写禁止状态，直到闻指令
执行。此后该设备仍处于启用状态
直到WDS指令被执行，或者直到Vcc为
删除。 （注：无论是文还是WDS
指令对READ指令的任何效果）。
（在图4中所示）
写禁止（ WDS ）
写禁止（ WDS ）指令禁止所有
编程能力。这保护了整个
防止数据的意外修改，直到一部分
文指令被执行。 （当VCC应用，
这部分权力在写禁止状态。 ）
为了保护数据，一个WDS指令应
每个编程完成时执行的
操作。 （注：无论是文还是WDS
指令对READ指令的任何效果）。
（如图5所示）
修订版A1 2003年10月20日
ATC
2048位的串行电可擦除的PROM
功能说明（续）
写（ WRITE）
WRITE指令包含的8位或16位
数据被写入到指定的寄存器中。后
最后一个数据位已经被应用到DI和前
SK的下一个上升沿， CS必须带
低。 CS的下降沿启动自定时
编程周期。
后为250ns最小的等待（ 5V操作）从
CS （ TCS ）的下降沿， DO将指示
该芯片的，如果CS被READY / BUSY状态
HIGH 。这意味着，逻辑"0"意味着
编程仍然是有逻辑"1"进展
指示所选的寄存器写入，和
部分准备执行下一条指令。 （参见图
6)
注意：
CS高时，DI高的和组合的上升沿
在SK时钟，复位READY / BUSY标志。因此，它是
如果您要访问的READY / BUSY标志，并不重要
通过控制信号的这种组合，其重置。
AM93LC56
的为250ns （ TCS ）的最小等待后高，溶解氧
引脚指示芯片的READY / BUSY状态。
（在图7中所示）
擦除（ ERASE ）
擦除指令输入后， CS必须
拉低。 CS的下降沿启动
自定时内部编程周期。将CS
最低TCS后高，会造成做指示
芯片的读/ BUSY状态。为了解释这一点，
逻辑"0"表示编程仍处于
而逻辑"1"进展表示擦除周期
是完整的，部分是准备另一
指令。 （在图8中所示）
清除所有（ ERALL ）
整片擦除提供了易于编程。
擦除整个芯片包括设置在所有位
整个存储器阵列的逻辑"1". （图中所示为
图9 ）
安全考虑
为了防止意外，整个部分
数据的修改，每个编程指令
（ WRITE ， WRALL ，擦除和ERALL ）必须满足
用户前两个条件启动自定时
编程周期（ CS下降沿） 。一个是
该AM93LC56是温状态。另一种是
该VCC值必须超过锁定价值
这可以通过模拟技术来调节
公司
之前写指令可以被执行，则
设备必须在写使能（ WEN ）的状态。
写入所有（ WRALL ）
写所有（ WRALL ）教学计划全部
在指定的数据模式寄存器
指令。而WRALL条指令
加载时，地址字段成为一个序列
不 - CARE位。 （在图7中所示）
与WRITE指令，如果CS被
易亨电子股份有限公司
www.anachip.com.tw
5/10
修订版A1 2003年10月20日
ATC
2048位的串行电可擦除的PROM
特点
架构的国家的最先进的
- 非易失性数据存储
- 标准电压和低电压操作
VCC： 2.7V 5.5V
- 全TTL兼容的输入和输出
- 自动递增读高效的数据转储
硬件和软件写保护
- 默认为禁止写入在上电时的状态
- 软件设置为写使能/禁用
- VCC级验证之前，自定时
编程周期
先进的低电压CMOS EEPROM
技术
多功能，易于使用的界面
- 自定时编程周期
- 自动擦除前写
- 编程状态指示灯
- Word和芯片擦除
- 停止SK随时以节省功耗
耐用性和可靠性
- 64年的数据保存
- 1M的最低写入每个字周期
- 无限的读周期
- ESD保护
AM93LC56
概述
该AM93LC56是2048位的非易失性串行
EEPROM 。它是通过使用空管的制
先进的CMOS EEPROM技术。该
AM93LC56提供高效的非易失性读/写
内存配置为每个16位128个字
当ORG引脚连接到VCC和256
的每个8位字时，它被绑定到地。该
指令集包括读，写，写
使能/禁止功能。该数据输出引脚（ DO ）
表示在该装置的状态
自定时非易失编程周期。
自定时写周期包括一个自动
先擦后写的能力。只有当芯片
在写使能状态，适当的VCC
经营范围是写指令接受
从而防止意外写入。数据
被写入16位每写指令到
选择的寄存器。如果片选（ CS ）被带到
写周期开始后HIGH时，数据
输出（ DO ）引脚将指示READY / BUSY
芯片的状态。
该AM93LC56可在节省空间的8引脚
PDIP ， 8引脚SOP和旋转的8引脚SOP封装。
接线图
引脚分配
名字
CS
SK
DI
DO
GND
VCC
NC
ORG
描述
芯片选择
串行数据时钟
串行数据输入
串行数据输出
地
电源
无连接
内设机构
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
NC
ORG
GND
NC
VCC
CS
SK
1
2
3
4
8
7
6
5
ORG
GND
DO
DI
PDIP - 8L / SOP- 8L
旋转的SOP- 8L
订购信息
上午93 L C 56 X XX
X
工作电压
立法会： 2.7 5.5V ， CMOS
TYPE
56: 2K
温度。等级
o
o
空白： 0℃
+
70 C
o
o
I :
40 C ~
+
85 C
o
V :
40 C ~
+
125摄氏度
包
填料
S： SOP- 8L
空白：管
GS8 ： SOP- 8L ，G型：大坪
N： PDIP -8L
该数据表包含的新产品信息。易亨电子公司保留权利修改产品规格，恕不另行通知。无责任承担由于使用的结果
此产品。在任何授权不得销售该产品。
Rev.A1 2003年10月20日
1/10
ATC
2048位的串行电可擦除的PROM
方框图
DI
指令
注册
（ 10比特）
数据
注册
虚位
AM93LC56
DO
R / W的AMPS
CS
指令
解码
控制
和
时钟
GENERATION
地址
注册
解码器
EEPROM
ARRAY
(128 X 16)
OR
(256 X 8)
V
CC
范围
探测器
SK
写使能
高压
发电机
ORG
绝对最大额定值
特征
储存温度
电压对地
符号
T
S
值
-65至+ 125
-0.3 + 6.5
单位
°C
V
注意：这些
只有额定值。操作这些设备在其他地方给予永久损坏适当的条件
的一部分。长时间暴露在最大额定值可能会影响器件的可靠性。
工作条件
在偏置温度
AM93LC56
AM93LC56I
AM93LC56V
值
0至+ 70
-40+ 85
-40到+125
单位
°C
°C
°C
DC电气特性
参数
工作电流**
待机电流
输入漏
输出漏
输入低电压**
输入高电压**
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
符号
I
CC
I
SB
I
IL
I
OL
V
IL
V
IH
V
OL1
V
OH1
V
OL2
（ VCC = 2.7 5.5V ，TA = 25
o
C，除非另有说明）
民
最大
单位
3
mA
10
A
1
A
1
A
0.15 V
CC
V
0.8
V
CC
+0.2
V
V
CC
+0.2
0.4
V
V
0.2
V
V
条件
CS = V
IH
， SK = 1MHz的CMOS输入电平
CS=DI=SK=0V
V
IN
= 0V至V
CC （ CS ， SK ， DI ）
V
OUT
= 0V至V
CC
， CS = 0V
V
CC
= 3V + 10%
V
CC
= 5V + 10%
V
CC
= 3V + 10%
V
CC
= 5V + 10%
I
OL
= 2.1毫安TTL ，V
CC
=5V + 10%
I
OH
= -400uA TTL ，V
CC
=5V + 10%
I
OL
= 10uA的CMOS
I
OH
= -10uA CMOS
-1
-1
-0.1
-0.1
0.8 V
CC
2
2.4
V
CC
-0.2
注** ：
I
CC
, V
IL
分钟和V
IH
最大仅供参考，不测试
易亨电子股份有限公司
www.anachip.com.tw
2/10
修订版A1 2003年10月20日
ATC
2048位的串行电可擦除的PROM
AM93LC56
AM93LC56
民
最大
0
1
250
250
250
50
100
0
100
500
500
500
100
10
1M
AC电气特性
（VCC = 2.7V 5.5V ， TA = 25
o
C，除非另有说明）
参数
SK时钟频率
SK高时间
SK低电平时间
最低CS低电平时间
CS建立时间
DI建立时间
CS保持时间
DI保持时间
输出延迟到"1"
输出延迟到"0"
CS为有效状态
CS在三态DO
写周期时间
5V ， 25℃ ，页面模式
符号
F
SK
T
圣公会
T
SKL
T
CS
T
CSS
T
DIS
T
CSH
T
DIH
T
pD1
T
pD0
T
SV
T
dF
T
wP
耐力**
条件
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
写周期
相对于SK
相对于SK
相对于SK
相对于SK
AC测试
AC测试
AC测试CL = 100pF的
CS = VIL
注** ：
该参数的特点，而不是100％测试。
1.247V
（ 1 TTL门负载）
632欧姆
DO
100PF
图1. AC测试条件
指令集
指令
读
文（写使能）
写
WRALL （写所有寄存器）
WDS （写禁止）
抹去
全部擦除（擦除所有寄存器）
开始
位
1
1
1
1
1
1
1
OP
CODE
10
00
01
00
00
11
00
地址
×
8
A
7
- A
0
11 XXXXXX
A
7
- A
0
01XXXXXX
00 XXXXXX
A
7
- A
0
10 XXXXXX
×
16
A
6
- A
0
11XXXXX
A
6
- A
0
01XXXXX
00XXXXX
A
6
- A
0
10XXXXX
输入数据
×
8
×
16
D
7
– D
0
D
7
– D
0
D
15
- D
0
D
15
- D
0
易亨电子股份有限公司
www.anachip.com.tw
3/10
修订版A1 2003年10月20日
ATC
2048位的串行电可擦除的PROM
引脚电容**
（ TA = 25 ° C，F = 1MH
z
)
符号
C
OUT
C
IN
注** ：
AM93LC56
单位
pF
pF
参数
输出电容
输入电容
最大
5
5
该参数的特点，而不是100％测试。
功能说明
应用
该AM93LC56非常适合大批量应用
需要低功耗和低存储密度。这
设备使用成本低，节省空间的8引脚封装。
典型的应用包括机器人，报警装置，
电子锁，仪表和仪表设置
比如LAN卡，显示器和调制解调器。
耐力和数据保留
该AM93LC56是专为应用程序
需要高达100万次的编程（写，
WRALL ， EARSE和ERALL ） 。它提供40年
的安全数据保留。
设备操作
该AM93LC56由7 10位控制
指令。指令移入（串行）上
DI引脚。每个指令开始的逻辑"1"
（起始位） 。这之后是操作码（2位） ，
的地址字段（7位） ，和数据，如果适当的话。
该时钟信号（SK ）可以在任何时间暂停和
该AM93LC56将保持在其最后的状态。这
允许完全静态的灵活性和最大功率
养护。
读（ READ ）
READ指令是唯一的指令
在DO引脚输出串行数据。后读出的
指令和地址已经被解码，数据是
从所选择的存储器寄存器转移到
8位或16位的串行移位寄存器。 （请注意
一个逻辑"0"位先于实际的8位或16位
输出数据的字符串。 ）对DO的输出变化
在SK的上升沿的过渡。 （图中
图3. ）
自动递增读操作
连续读取是可能的，因为AM93LC56
已被设计为输出的连续流
针对内存的内容到一个读
操作指令。利用该功能，
系统发出一个读指令指定开始
位置的地址。一次的8位或16位
易亨电子股份有限公司
www.anachip.com.tw
4/10
寻址字已经同步输出，在数据
连续升高的地址位置被输出。
该地址将不断换用CS各地
高，直到片选（ CS ）控制引脚带
低。这使得单指令数据转储到
可以用最少的开销固件执行。
写使能（ WEN ）
之前的任何器件编程（写， WRALL ，
擦除和ERAL ）可以做，写
ENABLE （ WEN）指令必须首先执行。
当VCC应用，该器件在该
写禁止状态。那么该设备保持在
写禁止状态，直到闻指令
执行。此后该设备仍处于启用状态
直到WDS指令被执行，或者直到Vcc为
删除。 （注：无论是文还是WDS
指令对READ指令的任何效果）。
（在图4中所示）
写禁止（ WDS ）
写禁止（ WDS ）指令禁止所有
编程能力。这保护了整个
防止数据的意外修改，直到一部分
文指令被执行。 （当VCC应用，
这部分权力在写禁止状态。 ）
为了保护数据，一个WDS指令应
每个编程完成时执行的
操作。 （注：无论是文还是WDS
指令对READ指令的任何效果）。
（如图5所示）
修订版A1 2003年10月20日
ATC
2048位的串行电可擦除的PROM
功能说明（续）
写（ WRITE）
WRITE指令包含的8位或16位
数据被写入到指定的寄存器中。后
最后一个数据位已经被应用到DI和前
SK的下一个上升沿， CS必须带
低。 CS的下降沿启动自定时
编程周期。
后为250ns最小的等待（ 5V操作）从
CS （ TCS ）的下降沿， DO将指示
该芯片的，如果CS被READY / BUSY状态
HIGH 。这意味着，逻辑"0"意味着
编程仍然是有逻辑"1"进展
指示所选的寄存器写入，和
部分准备执行下一条指令。 （参见图
6)
注意：
CS高时，DI高的和组合的上升沿
在SK时钟，复位READY / BUSY标志。因此，它是
如果您要访问的READY / BUSY标志，并不重要
通过控制信号的这种组合，其重置。
AM93LC56
的为250ns （ TCS ）的最小等待后高，溶解氧
引脚指示芯片的READY / BUSY状态。
（在图7中所示）
擦除（ ERASE ）
擦除指令输入后， CS必须
拉低。 CS的下降沿启动
自定时内部编程周期。将CS
最低TCS后高，会造成做指示
芯片的读/ BUSY状态。为了解释这一点，
逻辑"0"表示编程仍处于
而逻辑"1"进展表示擦除周期
是完整的，部分是准备另一
指令。 （在图8中所示）
清除所有（ ERALL ）
整片擦除提供了易于编程。
擦除整个芯片包括设置在所有位
整个存储器阵列的逻辑"1". （图中所示为
图9 ）
安全考虑
为了防止意外，整个部分
数据的修改，每个编程指令
（ WRITE ， WRALL ，擦除和ERALL ）必须满足
用户前两个条件启动自定时
编程周期（ CS下降沿） 。一个是
该AM93LC56是温状态。另一种是
该VCC值必须超过锁定价值
这可以通过模拟技术来调节
公司
之前写指令可以被执行，则
设备必须在写使能（ WEN ）的状态。
写入所有（ WRALL ）
写所有（ WRALL ）教学计划全部
在指定的数据模式寄存器
指令。而WRALL条指令
加载时，地址字段成为一个序列
不 - CARE位。 （在图7中所示）
与WRITE指令，如果CS被
易亨电子股份有限公司
www.anachip.com.tw
5/10
修订版A1 2003年10月20日
QQ：2881677436 复制
