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AM83135-040
RF &微波晶体管
S波段雷达应用
.
.
.
.
.
.
.
初步数据
难治/镀金
辐射源网站碴
低热阻
输入/输出匹配
叠加几何
金属/陶瓷密封包装
P
OUT
=
40瓦最小。 5.1 dB增益
0.310 X 0.310 2LFL （ S064 ）
密封式
订货编号
AM83135-040
BRANDING
AM83135-40
描述
该AM83135-040设备是一款高功率芯片
双极NPN晶体管专为S-设计
波段雷达脉冲输出和驱动器应用。
此装置的特征在于，在10微秒的脉冲宽度
和10 ％的占空比，而是能够操作的
在一定范围内的脉冲宽度，占空比，并
的温度，并能承受3:1的输出
VSWR有一个+ 1 dB输入过载。低RF
的耐热性，耐火/金金属化
和电脑自动引线键合技
niques确保高可靠性和产品consist-
ency （包括相位特性）。
该AM83135-040是在IMPAC HER-供给
metic金属/陶瓷封装，内部
输入/输出阻抗匹配电路，并且是
用于军事和其它高可靠性AP-
并发症。
绝对最大额定值
(T
例
=
25°C)
符号
参数
引脚连接
1.集热器
2.基
3.辐射源
4.基地
价值
单位
P
DISS
I
C
V
CC
T
J
T
英镑
功耗*
设备电流*
(T
C
≤
50C)
167
8.0
46
250
65 200
W
A
V
°
C
°
C
集电极电源电压*
结温（脉冲RF操作）
储存温度
热数据
R
日（J -C ）
结外壳热阻*
1.2
°
C / W
*仅适用于额定RF放大器操作
1992年9月
1/3
AM83135-040
电气规格
(T
例
=
25
°
C)
STATIC
符号
测试条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
BV
CBO
BV
EBO
BV
CER
I
CES
h
FE
I
C
=
25mA
I
E
=
5mA
IC
=
25mA
V
BE
=
0V
V
CE
=
5V
I
E
=
0mA
I
C
=
0mA
R
BE
=
10
V
CE
=
40V
I
C
=
3A
55
3.5
55
—
30
—
—
—
—
—
—
—
—
20
300
V
V
V
mA
—
动态
符号
测试条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
P
OUT
η
c
G
P
注意：
f
=
3.1 - 3.5GHz的
f
=
3.1 - 3.5GHz的
f
=
3.1 - 3.5GHz的
=
=
100
S
10%
P
IN
=
12.5W
P
IN
=
12.5W
P
IN
=
12.5W
V
CC
=
40V
V
CC
=
40V
V
CC
=
40V
40
30
5.1
—
—
—
—
—
—
W
%
dB
脉冲宽度
占空比
包装机械数据
.318/
.306
2/3
AM83135-040
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