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AM82731-012
NPN RF功率晶体管
描述:
AM82731-012
是一个普通的
基本设备专为脉冲S-
带脉冲输出和驱动雷达
放大器应用。
包装风格400 2L FLG
功能包括:
输入/输出匹配
镀金
发射极镇流
最大额定值
I
C
V
CC
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
2.0 A
46 V
50瓦@ T
C
50 °C
-65 ° C到+ 250℃
-65 ° C到+ 200℃
4.0 ° C / W
1 = COLLECTOR
2 & 4 = BASE
3 =发射器
特征
符号
BV
CBO
BV
CER
BV
EBO
I
CES
h
FE
P
OUT
η
C
P
G
注意:
T
C
= 25 °C
测试条件
I
C
= 7.0毫安
I
C
= 7.0毫安
I
E
= 1.0毫安
V
CE
= 40 V
V
CE
= 5 V
V
CC
= 40 V
I
C
= 600毫安
P
IN
= 3.0 W
F = 2.7 3.1千兆赫
R
BE
= 10
最低
55
55
3.5
典型的最大
单位
V
V
V
0.5
30
12
30
6.0
300
mA
---
W
%
dB
脉冲宽度= 100
μS
占空比= 10 %
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü (C T) R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
启示录
1/1
AM82731-012
RF &微波晶体管
S波段雷达应用
.
.
.
.
.
.
.
初步数据
难治/镀金
辐射源网站碴
低热阻
输入/输出匹配
叠加几何
金属/陶瓷密封包装
P
OUT
=
12 W MIN 。 6.0 dB增益
.400 X .400 2LFL ( S036 )
密封式
订货编号
BRANDING
AM82731-012
82731-12
描述
该AM82731-012设备是一款高功率芯片
双极NPN晶体管专为S-设计
波段雷达脉冲输出和驱动器应用。
此装置能够operaion在很宽的
脉冲宽度,占空比和温度范围
及其良好的可承受3:1的VSWR输出与
一个+ 1 dB输入过载。低射频热resist-
ANCE ,难治/镀金,并自动
金属丝键合技术确保高可靠性和
产品的一致性(包括相字符
开创性意义) 。
该AM82731-012是在密封的百分供给
人/陶瓷封装,内部输入/输出im-
pedance匹配sircuitry ,并且是用于
军事和其它高可靠性应用。
绝对最大额定值
(T
=
25°C)
符号
参数
价值
单位
1.集热器
2.基
3.辐射源
4.基地
引脚连接
P
DISS
I
C
V
CC
T
J
T
英镑
功耗*
设备电流*
(T
C
50C)
50
2.0
46
250
65 200
W
A
V
°
C
°
C
集电极电源电压*
结温(脉冲RF操作)
储存温度
热数据
R
日(J -C )
结外壳热阻*
4.0
°
C / W
*仅适用于额定RF放大器操作
1992年8月
1/3
AM82731-012
电气规格
(T
=
25
°
C)
STATIC
价值
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
BV
CBO
BV
EBO
BV
CER
I
CES
h
FE
I
C
=
7mA
I
E
=
1mA
IC
=
7mA
V
CE
=
40V
V
CE
=
V
I
E
=
0mA
I
C
=
0mA
R
BE
=
10
I
C
=
600mA
55
3.5
55
30
5
300
V
V
V
mA
动态
价值
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
P
OUT
η
c
G
P
注意:
f
=
2700 -3100 MHz的
f
=
2700 -3100 MHz的
f
=
2700 -3100 MHz的
=
=
100
S
10%
P
IN
=
3.0W
P
IN
=
3.0W
P
IN
=
3.0W
V
CC
=
40V
V
CC
=
40V
V
CC
=
40V
12
30
6.0
W
%
dB
脉冲宽度
占空比
包装机械数据
2/3
AM82731-012
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对此类信息的使用,也不对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利的后果。没有
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    AM82731-012
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    -
    -
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AM82731-012
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ST
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高频管
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