【模拟电源N沟道100 -V （D -S ）的MOSFET这些微型表面贴装MOSFET采用一高密度沟槽】,IC型号AM7100N,AM7100N PDF资料,AM7100N经销商,ic,电子元器件-51电子网

模拟电源

N沟道100 -V （D -S ）的MOSFET

这些微型表面贴装MOSFET采用一

高密度沟槽工艺，以提供低

DS （ ON）

并且，以确保最小的功率损失和发热

耗散。典型的应用是DC- DC

转换器和电源管理在便携式和

电池供电的产品，如计算机，

打印机， PCMCIA卡，蜂窝和无绳

电话。

低R

DS （ ON）

提供了更高的效率和

延长电池寿命

低热阻抗的铜引线框架

DFN3x3-8PP节省电路板空间

开关速度快

高性能沟道技术

AM7100N

产品概述

(V)

DS （ ON）

m( )

62 @ V

= 10V

100

72 @ V

= 4.5V

DFN3x3-8PP

顶视图

(A)

6.2

5.7

N沟道MOSFET

绝对最大额定值（T

= 25°C除非另有说明）

参数

符号

极限

单位

漏源电压

100

±20

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

=25 C

=70 C

±6.2

±5.1

±75

3.5

连续源电流（二极管传导）

功耗

=25 C

=70 C

工作结存储温度范围

, T

英镑

-55到150

热电阻额定值

参数

最大结到外壳

最大结点到环境

符号

吨< = 5秒

θJC

θJA

最大

单位

C / W

笔记

表面装在1 “×1” FR4板。

脉冲宽度有限的最高结温

初步

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DS-AM7100_A

模拟电源

AM7100N

规格（T

= 25°C除非另有说明）

参数

STATIC

栅极阈值电压

门体漏

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

符号

GS （ TH）

GSS

DSS

D（上）

测试条件

= V

, I

= 250微安

= 0 V, V

= 20 V

范围

单位

最小典型最大

±100

0.7

1100

120

= 80 V, V

= 0 V

= 80 V, V

= 0 V ，T

= 55

漏源导通电阻

转发Tranconductance

二极管的正向电压

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

= 5 V, V

= 10 V

= 10 V，I

= 1 A

= 4.5 V，I

= 1 A

= 15 V，I

= 1 A

= 1 A，V

= 0 V

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

= 15 V, V

= 4.5 V,

= 9 A

= 15 V, V

= 0 V,

F = 1MHz的

= 25 V ，R

= 25 , I

= 1 A,

根

= 10 V

笔记

脉冲测试： PW < = 300US占空比< = 2 ％。

通过设计保证，不受生产测试。

模拟电源

（ APL ）保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。 APL不作任何保证，声明

或保证对其产品是否适合任何特定用途，也不APL承担因应用程序的任何责任或

使用任何产品或电路，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带

损害赔偿。可在APL数据表和/或规格提供“典型”参数，并会根据不同的应用和

实际性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的应用程序通过验证

客户的技术专家。 APL不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。 APL产品不是设计，

意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或用于支持其他应用程序或

维持生命，或任何其他应用程序中的APL产品的故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。

如果买方购买或使用产品的APL任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有联合地产及其

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索赔称， APL有关部分的设计或制造疏忽造成的。 APL是一个机会均等/肯定行动雇主。

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