【模拟电源双N通道30 -V （D -S ）的MOSFET这些微型表面贴装MOSFET采用高细胞密度的】,IC型号AM6930N,AM6930N PDF资料,AM6930N经销商,ic,电子元器件-51电子网

模拟电源

双N通道30 -V （D -S ）的MOSFET

这些微型表面贴装MOSFET采用

高细胞密度的过程。低R

DS （ ON）

保证

最小的功率损耗并节省能源，使

该器件非常适用于电源管理应用

电路。典型的应用是PWMDC直流

转换器，电源管理在便携式和

电池供电的产品，如计算机，

打印机，充电器，通信电源

系统和电话电源系统。

低R

DS （ ON）

提供了更高的效率和

延长电池寿命

小型SO- 8表面贴装封装

节省电路板空间

高功率和电流处理能力

低压侧大电流DC- DC转换器

应用

AM6930N

产品概述

(V)

DS （ ON）

m()

40 @ V

= 10V

55 @ V

= 4.5V

(A)

5.5

4.8

绝对最大额定值（T

= 25°C除非另有说明）

参数

符号

极限

单位

漏源电压

栅源电压

± 20

连续漏电流

漏电流脉冲

=25 C

=70 C

± 5.5

± 20

1.3

2.1

1.3

-55到150

连续源电流（二极管传导）

功耗

=25 C

=70 C

, T

英镑

工作结存储温度范围

热电阻额定值

参数

最大结到外壳

最大结点到环境

符号

吨< = 5秒

θJC

θJA

最大

单位

C / W

笔记

表面装在1 “×1” FR4板。

脉冲宽度有限的最高结温

2003年9月 - 版本A

初步

出版订单号：

DS-AM6930_B

模拟电源

AM6930N

规格（T

= 25

C除非另有说明）

参数

STATIC

栅极阈值电压

门体漏

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

符号

GS （ TH）

GSS

DSS

D（上）

测试条件

= V

, I

= 250微安

= 0 V, V

= ± 20 V

范围

单位

最小典型最大

± 100

= 24 V, V

= 0 V

= 24 V, V

= 0 V ，T

= 55 C

漏源导通电阻

转发Tranconductance

二极管的正向电压

DS （ ON）

D（上）

D（关闭）

= 5 V, V

= 10 V

= 10 V，I

= 5.5 A

= 4.5 V，I

= 4.8 A

= 10 V，I

= 15 A，T

= 55 C

= 15 V，I

= 10 A

= 2.3 A，V

= 0 V

0.7

1.1

1.4

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

源Ddrain反向恢复时间

= 5 V, V

= 5 V,

= 5.5 A

= 15 V ，R

= 6

, I

= 1 A,

根

= 10 V

= 1.7 A， di / dt的= 100 A /美

笔记

脉冲测试： PW < = 300US占空比< = 2 ％。

通过设计保证，不受生产测试。

模拟电源

（ APL ）保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。 APL不作任何保证，声明

或保证对其产品是否适合任何特定用途，也不APL承担因应用程序的任何责任或

使用任何产品或电路，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带

损害赔偿。可在APL数据表和/或规格提供“典型”参数，并会根据不同的应用和

实际性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的应用程序通过验证

客户的技术专家。 APL不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。 APL产品不是设计，

意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或用于支持其他应用程序或

维持生命，或任何其他应用程序中的APL产品的故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。

如果买方购买或使用产品的APL任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有联合地产及其

管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师

即使这样产生出来的，直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，费用

索赔称， APL有关部分的设计或制造疏忽造成的。 APL是一个机会均等/肯定行动雇主。

2003年9月 - 版本A

初步

出版订单号：

DS-AM6930_B

模拟电源

AM6930N

典型电气特性（ N沟道）

ID ，漏电流（ A）

= 10V

6.0V

4.0V

RDS （ ON ），归一化

漏源导通电阻

1.7

1.4

1.1

0.8

0.5

4.5V

6.0V

10V

3.0V

0.5

1.5

VDS ，漏极 - 源极电压（ V）

ID ，漏电流（ A）

图1.区域特征

1.6

图2.导通电阻与漏电流

1.4

= 10V

= 10A

0.05

= 10A

归一化R（上）

1.2

RDS （ ON ），导通电阻

（ OHM ）

0.04

0.03

0.02

1.0

0 .8

= 25 C

0.01

0 .6

-50

-2 5

10 0

12 5

150

Juncat离子牛逼emperature （ C）

VGS ，门源电压（ V）

图3.导通电阻随温度的变化

图4.导通电阻变化与

栅极至源极电压

=5V

-55C

正，反转漏电流（ A）

100

= 0V

漏电流（ A）

25C

125C

GA TE为S 0 URC ê武LTA GE （ V）

= 125 C

0.1

25 C

0.01

0.001

0.0001

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

室间隔缺损，体二极管正向电压（ V）

图5.传输特性

图6.体二极管正向电压的变化

与源电流和温度

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AM6930N

典型电气特性（ N沟道）

VGS栅源电压（V

=6.9a

电容（pF）

1600

1200

800

科斯

西塞

F = 1MHz的

= 0 V

400

CRSS

VDS ，漏极至源极电压（ V）

QG ，费（ NC）

图7.栅极电荷特性

Vth时，栅源电压Thresthold

(V)

2.4

= 250毫安

图8.电容特性

P（ PK），峰值瞬态功率（ W）

2.2

1.8

1.6

1.4

1.2

-50 -25

= V

单脉冲

RqJA = 125℃ / W

TA = 25℃

75 100 125 150 175

0.001

0.01

0.1

100

TA ，环境温度（ C）

t1时，时间（秒）

图9.阈值VS环境温度

图10.单脉冲最大功率耗散

归热瞬态结到环境

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

qJA

（吨） = R （t）的R *

qJA

= 125℃ / W

P（ PK）

0.01

单脉冲

- T

= P * R

qJA

(t)

占空比D = T

/ t

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

1000

，时间（秒）

方波脉冲持续时间（ S）

图11.瞬态热响应曲线

2003年9月 - 版本A

初步

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DS-AM6930_B

模拟电源

AM6930N

包装信息

SO - 8 ： 8LEAD

高x 45

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