P L I M I N A R
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
MCP框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
闪存框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
特殊包装处理说明.................................... 7
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
MCP设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
表1.设备总线操作闪字模式.................... 10
图5.擦除操作............................................. ................. 37
擦除暂停/删除恢复命令........................... 37
表22. Am29DL640G和Am29DL320G命令定义38
Flash写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
DQ7 ：数据＃投票............................................. .................... 39
图6.数据＃投票算法........................................... ....... 39
DQ6 ：切换位I ............................................. ....................... 40
图7.切换位算法............................................ ............ 40
闪存设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
对于读阵列数据要求................................... 11
写命令/命令序列............................ 11
同时读/写操作零延迟....... 11
自动休眠模式............................................... ............ 12
RESET ＃ ：硬件复位引脚............................................ ... 12
输出禁止模式............................................... ............... 12
表2. Am29DL640G部门架构.................................... 13
表3. Am29DL640G银行地址............................................ 16
表4. Am29DL640G SecSi扇区地址....................... 16
表5. Am29DL320G热门引导扇区地址..................... 17
表6. Am29DL320G顶部引导SecSi
TM
扇区地址........ 18
表7. Am29DL320G底部引导扇区地址................. 19
表8. Am29DL320G底部引导SecSi
TM
扇区地址... 20
表9. Am29DL640G引导扇区/扇区块
为保护/ unprotection的........................................... 21地址
表10. Am29DL320G热门引导扇区/扇区
为保护/ unprotection的.................................. 22块地址
表11. Am29DL320G底部引导扇区/扇区块地址
为保护/ unprotection的.............................................. ............... 22
DQ2 ：触发位II ............................................. ...................... 41
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 41
DQ5 ：超过时序限制............................................. ... 41
DQ3 ：扇区擦除定时器............................................. .......... 41
表23.写操作状态............................................ ....... 42
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 43
图8.最大负过冲波形...................... 43
图9.最大正过冲波形........................ 43
闪存直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44
CMOS兼容................................................ ..................... 44
图10.我
CC1
电流与时间（显示主动和
自动休眠电流） .............................................. ............... 45
图11.典型I
CC1
与频率............................................ 45
伪SRAM和DC
工作特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 46
图12.待机电流ISB CMOS ......................................... 46
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 47
图13.测试设置............................................. ....................... 47
图14.输入波形和测量水平................. 47
写保护（ WP ＃ ） ............................................ .................... 23
表12. WP ＃ / ACC模式.......................................... .................. 23
闪光交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48
伪SRAM CE＃的时机............................................ .......... 48
图15.时序图交替
之间的伪SRAM到Flash ............................................. ...... 48
临时机构撤消............................................... ... 23
图1.临时机构撤消操作........................... 24
图2.在系统部门保护/撤消算法.............. 25
只读操作.............................................. ................ 49
图16.读操作时序............................................ ... 49
SecSi （安全硅）行业
SectorFlash内存区域............................................... .. 26
表13. SecSi部门规划............................................ .... 26
图3. SecSi部门保护验证........................................... ... 27
硬件复位（ RESET ＃ ） ............................................ ........... 50
图17.复位时序............................................. .................. 50
擦除和编程操作.............................................. ... 51
图18.程序操作时序..........................................
图19.加速程序时序图..........................
图20.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图21.返回到后端的读/写周期时序......................
图22.数据＃投票计时（在嵌入式算法） 。
图23.触发位计时（在嵌入式算法） ......
图24. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
52
52
53
54
54
55
55
硬件数据保护............................................... ....... 27
通用闪存接口（ CFI ） 。 。 。 。 。 。 。 27
表14. Am29DL640G CFI查询标识字符串................ 28
表15. Am29DL640G系统接口字符串........................... 28
表16. Am29DL640G设备几何定义..................... 29
表17. Am29DL640G主要供应商特定
扩展查询................................................ .............................. 30
表18. Am29DL320G CFI查询标识字符串................ 31
表19. Am29DL320G系统接口字符串........................... 31
表20. Am29DL320G设备几何定义..................... 32
表21. Am29DL320G主要供应商特定
扩展查询................................................ .............................. 33
临时机构撤消............................................... ...... 56
图25.临时机构撤消时序图.............. 56
图26.行业/部门块保护和
撤消时序图............................................... .............. 57
备用CE ＃楼控擦除和编程操作....... 58
图27.闪存替代CE ＃楼可控写（擦除/编程）
操作时序................................................ .......................... 59
Flash命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
读阵列数据............................................... ................. 34
复位命令................................................ ..................... 34
自选命令序列............................................ 34
进入SecSi 部门/退出SecSi部门
命令序列................................................ .............. 34
程序命令序列............................................... 35
图4.程序运行............................................. ............. 36
伪SRAM交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60
电时间............................................... ........................... 60
读周期................................................ ................................ 60
图28.伪SRAM读周期，地址控制......... 60
图29.伪SRAM读周期........................................... 61
写周期................................................ ................................ 62
图30.伪SRAM写周期-WE ＃控制................... 62
图31.伪SRAM写周期- CE1 ＃ - 控制................ 63
图32.伪SRAM写的逐
芯片擦除命令序列........................................... 36
扇区擦除命令序列........................................ 36
2003年5月19日
Am50DL9608G
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