A D V A N权证
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目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
MCP框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
闪存框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
特殊包装处理说明.................................... 7
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
MCP设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
表1.设备总线操作闪字模式..................... 11
擦除暂停/删除恢复命令........................... 29
表11. Am29DL640H命令定义.............................. 30
Flash写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31
DQ7 ：数据＃投票............................................. .................... 31
图6.数据＃投票算法........................................... ....... 31
RY / BY ＃ ：就绪/忙＃ ......................................... ................... 32
DQ6 ：切换位I ............................................. ....................... 32
图7.切换位算法............................................ ............ 32
闪存设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
字配置................................................ ................. 12
对于读阵列数据要求................................... 12
写命令/命令序列............................ 12
加快程序运行.......................................... 12
自选功能................................................ ........... 12
同时读/写操作零延迟....... 12
待机模式................................................ ........................ 12
自动休眠模式............................................... ............ 13
RESET ＃ ：硬件复位引脚............................................ ... 13
输出禁止模式............................................... ............... 13
表2. Am29DL640H部门架构.................................... 14
表3.银行地址............................................. ....................... 17
表4. SecSi扇区地址........................................... .... 17
DQ2 ：触发位II ............................................. ...................... 33
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 33
DQ5 ：超过时序限制............................................. ... 33
DQ3 ：扇区擦除定时器............................................. .......... 33
表12.写操作状态............................................ ....... 34
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
图8.最大负过冲波形...................... 35
图9.最大正过冲波形........................ 35
ESD抗扰性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
静电放电抗扰度................................................ ......................... 36
闪存直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
CMOS兼容................................................ .................. 37
PSRAM DC &工作特性。 。 。 。 。 。 38
闪存直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
图10.我
CC1
电流与时间（显示主动和
自动休眠电流） .............................................. ............... 39
图11.典型I
CC1
与频率............................................ 39
部门/部门块保护和unprotection的.................. 18
表5. Am29DL640H引导扇区/扇区块的地址亲
tection / unprotection的............................................... ......................... 18
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40
图12.测试设置............................................. ....................... 40
图13.输入波形和测量水平................. 40
写保护（ WP ＃ ） ............................................ .................... 18
表6. WP ＃ / ACC模式.......................................... .................... 19
临时机构撤消............................................... ... 19
图1.临时机构撤消操作........................... 19
图2.在系统部门保护/撤消算法.............. 20
PSRAM交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 41
CE＃的时机.............................................. ............................. 41
图14.时序图交替
之间的伪SRAM到Flash ............................................. ...... 41
SecSi （安全硅）行业
闪存地区............................................... ............. 21
图3. SecSi部门保护验证........................................... ... 22
只读操作.............................................. ............. 42
图15.读操作时序............................................ ... 42
硬件复位（ RESET ＃ ） ............................................ ........ 43
图16.复位时序............................................. .................. 43
硬件数据保护............................................... ....... 22
低V
CC
写禁止................................................ ........... 22
写脉冲“毛刺”保护............................................ 22
逻辑禁止................................................ ...................... 22
上电写禁止............................................. ............ 22
通用闪存接口（ CFI ） 。 。 。 。 。 。 。 22
表7. CFI查询标识字符串.......................................... 23
表8.系统接口字符串............................................ ......... 23
表9.设备几何定义............................................ ..24
表10.主要供应商特定的扩展查询...................... 25
擦除和编程操作.............................................. 44
图17.编程操作时序.......................................... 45
图18.加速程序时序图.......................... 45
图19.芯片/扇区擦除操作时序.......................... 46
图20.返回到后端的读/写周期时序...................... 47
图21.数据＃投票计时（在嵌入式算法） 。 47
图22.触发位计时（在嵌入式算法） ...... 48
图23. DQ2与DQ6 ........................................... ...................... 48
临时机构撤消............................................... ... 49
图24.临时机构撤消时序图.............. 49
图25.行业/部门块保护和
撤消时序图............................................... .............. 50
Flash命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26
读阵列数据............................................... ................. 26
复位命令................................................ ..................... 26
自选命令序列............................................ 26
进入SecSi 部门/退出SecSi部门
命令序列................................................ .............. 26
Word程序命令序列..................................... 27
解锁绕道命令序列.................................. 27
图4.程序运行............................................. ............. 28
备用CE ＃楼控擦除和编程操作.... 51
图26.闪存替代CE ＃楼可控写（擦除/编程）
操作时序................................................ .......................... 52
读周期................................................ ............................. 53
图27.伪SRAM读周期........................................... 53
图28.页读时序............................................ ............ 54
写周期................................................ ............................. 55
图29.伪SRAM写周期-WE ＃控制................... 55
图30.伪SRAM写周期， CE ＃ 1PS控制.............. 56
图31.伪SRAM写的逐
UB ＃ s和LB ＃控制研究.......................................... ........................ 57
芯片擦除命令序列........................................... 28
扇区擦除命令序列........................................ 28
图5.擦除操作............................................. .................. 29
2004年2月6日
Am50DL128CH
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