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Am50DL128CG
数据表
2003年7月
下列文件规定,现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与orig-公司的名称
inally开发的规范,这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现,
和变化,都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持“AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购
这些产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
26880
调整
A
修订
+2
发行日期
2002年11月7日
初步
Am50DL128CG
堆叠式多芯片封装( MCP )闪存和SRAM
两个Am29DL640G 64兆位(4M ×16位) CMOS 3.0伏只,同时操作
快闪记忆体和64兆位(4M ×16位)页面模式伪静态RAM
特色鲜明
MCP特点
2.7至3.3伏的电源电压
高性能
- 存取时间快70纳秒
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
软件特点
数据管理软件( DMS )
- AMD公司提供的软件管理数据编程,
使EEPROM仿真
- 简化的历史扇区擦除闪存的局限性
- 88球FBGA
工作温度
= -40 ° C至+ 85°C
支持通用闪存接口( CFI )
编程/擦除暂停/删除恢复
- 挂起编程/擦除操作,使
编程/擦除在同一家银行
FLASH内存功能
架构优势
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行,而读
执行擦除/编程功能的另一家银行。
读取和写入操作之间的零延迟
数据#查询和翻转位
- 提供了检测的状态的软件的方法
编程或擦除周期
解锁绕道程序命令
- 发出多个时,降低了总体规划的时间
程序的命令序列
灵活的Bank架构
- 未写入读取可能发生在任何的三家银行
或擦除。
- 四家银行可以通过客户进行分组,以实现预期
银行部门。
硬件特性
任何部门的结合可以被删除
就绪/忙#输出( RY / BY # )
- 硬件检测方法编程或擦除周期
竣工
在0.17微米制程技术制造的
SecSi (安全硅)行业:额外256字节扇区
工厂锁定和识别:
适用于16字节
安全的,随机的工厂电子序列号;可验证
作为工厂通过锁定功能自动选择。 ExpressFlash
选项使整个行业可以供
工厂数据保护
客户可锁定:
部门是一次性可编程的。一旦
扇区已被锁定,数据不能被改变。
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件重置内部状态机的方法
读模式
WP # / ACC输入引脚
- 写保护( WP # )功能保护扇区0 , 1 , 140 ,和
141 ,无论行业的保护状态
- 加速度( ACC )功能,加快项目进度
零功耗工作
- 先进的电源管理电路降低功耗
在非活动期间消耗几乎为零。
扇区保护
- 硬件锁定的扇区的方法,无论是在系统或
使用编程设备,以防止任何程序或
该部门内的擦除操作
- 临时机构撤消允许更改数据
在系统保护部门
引导扇区
- 在同一装置顶部和底部引导扇区
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件与单电源兼容
闪存标准
PSRAM产品特点
功耗
- 工作50 mA(最大值)
- 待机时: 100 μA最大
- 深度掉电待机: 5 μA
性能特点
高性能
- 存取时间快70纳秒
- 计划时间: 4微秒/字典型的利用加速功能
超低功耗(典型值)
- 2毫安在1 MHz有源读取电流
- 在5 MHz 10毫安有效的读电流
- 200 nA的待机或自动睡眠模式
CE1S #和CE2s片选
使用CE1S #和CE2s关机功能
数据保持电源电压: 2.7 3.3伏
字节的数据控制: LB # S( DQ7 - DQ0 ) , UB # S( DQ15 - DQ8 )
8字的页面模式访问
每个扇区保证至少1百万次写周期
本文件包含有关正在开发的产品,在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。
出版#
26880
启:
A
Amendment/+2
发行日期:
2002年11月7日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
P L I M I N A R
概述
Am29DL640G特点
该Am29DL640G是64兆, 3.0伏,只闪光
存储设备,组织成16 4,194,304字
每个位。字模式数据显示在DQ15 - DQ0 。
本设备被设计在系统被编程
与标准的3.0伏V
CC
供应,并且也可以是
在标准EPROM编程器编程。
该器件可提供70或85的访问时间
NS并在88球FBGA封装提供。标准
控制引脚芯片使能( CE #楼) ,写使能( WE# ) ,
和输出使能( OE # ) - 控制正常读取和
写操作,避免总线争用问题。
只有一个设备需要
单3.0伏电源支持
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
ESN (电子序列号) ,客户代码(亲
编程通过AMD的ExpressFlash服务) ,或
两者。顾客可锁定部件可利用SecSi
扇区作为一个一次性可编程区域。
DMS (数据管理软件)
允许系统
轻松利用先进的架构优势
的同时读通过允许/写产品线
清除EEPROM器件。 DMS也将使
系统软件被简化,因为其将执行所有
需要修改在文件结构中的数据的功能,
相对于单字节的修改。写或
更新一个特定数据段(一个电话号码或
的配置数据,例如)时,用户只需要
到状态这一段数据要被更新,并
其中,在更新的数据是存放在系统中。这
是一种ADVA NT agecompared到SY ST emswhere
用户编写的软件必须保留旧的数据跟踪
位置,状态,逻辑到物理转换
数据到闪存装置(或存储器DE-
虎钳) ,等等。使用DMS ,用户编写的软件
并不需要与闪存接口二
正确。取而代之的是,用户的软件访问闪存
内存调用的只有六个功能之一。 AMD亲
提供了此类软件,以简化系统设计和软件
洁具一体化的努力。
该器件提供了与完整的兼容性
JEDEC单电源闪存命令集
标准。
命令被写入命令
注册使用标准的微处理器写时序。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过使用该设备
台站
状态位:
RY / BY #引脚, DQ7 (数据#投票)和
DQ6 / DQ2 (触发位) 。编程或擦除周期后,
已经完成时,该装置自动返回
为读模式。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以在系统或通过编程来实现
明装。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机模式。
功率消耗是很大的重
duced在这两种模式。
同时读/写操作与
零延迟
同时读/写架构提供
同时操作
通过将所述存储器
空间分割成
四家银行,
两个8 Mb的银行和小
大部门,大部门两个24 MB银行
只。扇区地址是固定的,系统软件可
可用于形成用户定义的组群。
在擦除/编程操作,任何三个
非繁忙的银行,可以读出。需要注意的是只有两
银行可以同时操作。该设备可以IM-
通过允许主机证明系统的整体性能
系统编程或擦除在一家银行,然后
立即并同时从另一个读
银行,零延迟。这种释放系统从
等待完成编程或擦除
操作。
该Am29DL640G可以被组织为两个一顶
和底部引导扇区配置。
银行
银行1
2银行
3银行
4银行
8兆
24 MB
24 MB
8兆
扇区大小
8个8字节/ 4千字,
15 64字节/ 32 K字
四十八个64千字节/ 32 K字
四十八个64千字节/ 32 K字
8个8字节/ 4千字,
15 64字节/ 32 K字
SecSi (安全硅)行业
是一个额外的
256字节扇区的能够被永久锁定
由AMD和客户。该
SecSi标志位
(DQ7)
永久设置为1;如果部分是
工厂锁定,
并设置为0,如果
客户可锁定。
通过这种方式,客
Tomer的可锁定的部件不能被用于替换
工厂锁定的一部分。
工厂锁定部分提供了几个选项。该
SecSi扇区可存储一个安全的,随机的16字节
2
Am50DL128CG
2002年11月7日
P L I M I N A R
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
MCP框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
闪存框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
特殊包装处理说明.................................... 7
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
MCP设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
表1.设备总线操作闪字模式..................... 11
擦除暂停/删除恢复命令........................... 29
表11. Am29DL640G命令定义.............................. 30
Flash写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 31
图6.数据#投票算法........................................... ....... 31
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ................... 32
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 32
图7.切换位算法............................................ ............ 32
闪存设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
字配置................................................ ................. 12
对于读阵列数据要求................................... 12
写命令/命令序列............................ 12
加快程序运行.......................................... 12
自选功能................................................ ........... 12
同时读/写操作零延迟....... 12
待机模式................................................ ........................ 12
自动休眠模式............................................... ............ 13
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 13
输出禁止模式............................................... ............... 13
表2. Am29DL640G部门架构.................................... 14
表3.银行地址............................................. ....................... 17
表4. SecSi扇区地址........................................... .... 17
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 33
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 33
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 33
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 33
表12.写操作状态............................................ ....... 34
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
图8.最大负过冲波形...................... 35
图9.最大正过冲波形........................ 35
闪存直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
CMOS兼容................................................ .................. 36
图10.我
CC1
电流与时间(显示主动和
自动休眠电流) .............................................. ............... 38
图11.典型I
CC1
与频率............................................ 38
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
图12.测试设置............................................. ....................... 39
图13.输入波形和测量水平................. 39
部门/部门块保护和unprotection的.................. 18
表5. Am29DL640G引导扇区/扇区块的地址亲
tection / unprotection的............................................... ......................... 18
PSRAM交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40
CE#的时机.............................................. ............................. 40
图14.时序图交替
之间的伪SRAM到Flash ............................................. ...... 40
写保护( WP # ) ............................................ .................... 18
表6. WP # / ACC模式.......................................... .................... 19
只读操作.............................................. ............. 41
图15.读操作时序............................................ ... 41
临时机构撤消............................................... ... 19
图1.临时机构撤消操作........................... 19
图2.在系统部门保护/撤消算法.............. 20
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 42
图16.复位时序............................................. .................. 42
SecSi (安全硅)行业
闪存地区............................................... ............. 21
图3. SecSi部门保护验证........................................... ... 22
擦除和编程操作.............................................. 43
图17.程序操作时序..........................................
图18.加速程序时序图..........................
图19.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图20.返回到后端的读/写周期时序......................
图21.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图22.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图23. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
44
44
45
46
46
47
47
硬件数据保护............................................... ....... 22
低V
CC
写禁止................................................ ........... 22
写脉冲“毛刺”保护............................................ 22
逻辑禁止................................................ ...................... 22
上电写禁止............................................. ............ 22
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 22
表7. CFI查询标识字符串.......................................... 23
系统接口字符串............................................... .................... 23
表9.设备几何定义............................................ 24 ..
表10.主要供应商特定的扩展查询...................... 25
临时机构撤消............................................... ... 48
图24.临时机构撤消时序图.............. 48
图25.行业/部门块保护和
撤消时序图............................................... .............. 49
备用CE #楼控擦除和编程操作.... 50
图26.闪存替代CE #楼可控写(擦除/编程)
操作时序................................................ .......................... 51
Flash命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26
读阵列数据............................................... ................. 26
复位命令................................................ ..................... 26
自选命令序列............................................ 26
进入SecSi 部门/退出SecSi部门
命令序列................................................ .............. 26
Word程序命令序列..................................... 27
解锁绕道命令序列.................................. 27
图4.程序运行............................................. ............. 28
读周期................................................ ............................. 52
图27.伪SRAM读周期........................................... 52
图28.页读时序............................................ ............ 53
写周期................................................ ............................. 54
图29.伪SRAM写周期-WE #控制................... 54
图30.伪SRAM写周期- CE1 # - 控制................ 55
图31.伪SRAM写的逐
UB # s和LB #控制研究.......................................... ........................ 56
芯片擦除命令序列........................................... 28
扇区擦除命令序列........................................ 28
图5.擦除操作............................................. .................. 29
闪存擦除和编程性能。 。
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
封装引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
闪存数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
57
57
57
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2002年11月7日
Am50DL128CG
3
P L I M I N A R
PSRAM数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58
PSRAM开机和深度掉电。 。 。 。 。 58
图32.深度掉电时序.......................................... .... 58
图33.上电时序........................................... ................. 58
图35.写地址偏移............................................ .......... 59
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60
FTA088-88球细间距栅阵列11.6毫米x 8毫米............. 60
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 61
PSRAM地址偏移。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 59
图34.读地址偏移............................................ .......... 59
4
Am50DL128CG
2002年11月7日
Am50DL128CG
数据表
2003年7月
下列文件规定,现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与orig-公司的名称
inally开发的规范,这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现,
和变化,都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持“AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购
这些产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
26880
调整
A
修订
+2
发行日期
2002年11月7日
初步
Am50DL128CG
堆叠式多芯片封装( MCP )闪存和SRAM
两个Am29DL640G 64兆位(4M ×16位) CMOS 3.0伏只,同时操作
快闪记忆体和64兆位(4M ×16位)页面模式伪静态RAM
特色鲜明
MCP特点
2.7至3.3伏的电源电压
高性能
- 存取时间快70纳秒
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
软件特点
数据管理软件( DMS )
- AMD公司提供的软件管理数据编程,
使EEPROM仿真
- 简化的历史扇区擦除闪存的局限性
- 88球FBGA
工作温度
= -40 ° C至+ 85°C
支持通用闪存接口( CFI )
编程/擦除暂停/删除恢复
- 挂起编程/擦除操作,使
编程/擦除在同一家银行
FLASH内存功能
架构优势
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行,而读
执行擦除/编程功能的另一家银行。
读取和写入操作之间的零延迟
数据#查询和翻转位
- 提供了检测的状态的软件的方法
编程或擦除周期
解锁绕道程序命令
- 发出多个时,降低了总体规划的时间
程序的命令序列
灵活的Bank架构
- 未写入读取可能发生在任何的三家银行
或擦除。
- 四家银行可以通过客户进行分组,以实现预期
银行部门。
硬件特性
任何部门的结合可以被删除
就绪/忙#输出( RY / BY # )
- 硬件检测方法编程或擦除周期
竣工
在0.17微米制程技术制造的
SecSi (安全硅)行业:额外256字节扇区
工厂锁定和识别:
适用于16字节
安全的,随机的工厂电子序列号;可验证
作为工厂通过锁定功能自动选择。 ExpressFlash
选项使整个行业可以供
工厂数据保护
客户可锁定:
部门是一次性可编程的。一旦
扇区已被锁定,数据不能被改变。
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件重置内部状态机的方法
读模式
WP # / ACC输入引脚
- 写保护( WP # )功能保护扇区0 , 1 , 140 ,和
141 ,无论行业的保护状态
- 加速度( ACC )功能,加快项目进度
零功耗工作
- 先进的电源管理电路降低功耗
在非活动期间消耗几乎为零。
扇区保护
- 硬件锁定的扇区的方法,无论是在系统或
使用编程设备,以防止任何程序或
该部门内的擦除操作
- 临时机构撤消允许更改数据
在系统保护部门
引导扇区
- 在同一装置顶部和底部引导扇区
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件与单电源兼容
闪存标准
PSRAM产品特点
功耗
- 工作50 mA(最大值)
- 待机时: 100 μA最大
- 深度掉电待机: 5 μA
性能特点
高性能
- 存取时间快70纳秒
- 计划时间: 4微秒/字典型的利用加速功能
超低功耗(典型值)
- 2毫安在1 MHz有源读取电流
- 在5 MHz 10毫安有效的读电流
- 200 nA的待机或自动睡眠模式
CE1S #和CE2s片选
使用CE1S #和CE2s关机功能
数据保持电源电压: 2.7 3.3伏
字节的数据控制: LB # S( DQ7 - DQ0 ) , UB # S( DQ15 - DQ8 )
8字的页面模式访问
每个扇区保证至少1百万次写周期
本文件包含有关正在开发的产品,在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。
出版#
26880
启:
A
Amendment/+2
发行日期:
2002年11月7日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
P L I M I N A R
概述
Am29DL640G特点
该Am29DL640G是64兆, 3.0伏,只闪光
存储设备,组织成16 4,194,304字
每个位。字模式数据显示在DQ15 - DQ0 。
本设备被设计在系统被编程
与标准的3.0伏V
CC
供应,并且也可以是
在标准EPROM编程器编程。
该器件可提供70或85的访问时间
NS并在88球FBGA封装提供。标准
控制引脚芯片使能( CE #楼) ,写使能( WE# ) ,
和输出使能( OE # ) - 控制正常读取和
写操作,避免总线争用问题。
只有一个设备需要
单3.0伏电源支持
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
ESN (电子序列号) ,客户代码(亲
编程通过AMD的ExpressFlash服务) ,或
两者。顾客可锁定部件可利用SecSi
扇区作为一个一次性可编程区域。
DMS (数据管理软件)
允许系统
轻松利用先进的架构优势
的同时读通过允许/写产品线
清除EEPROM器件。 DMS也将使
系统软件被简化,因为其将执行所有
需要修改在文件结构中的数据的功能,
相对于单字节的修改。写或
更新一个特定数据段(一个电话号码或
的配置数据,例如)时,用户只需要
到状态这一段数据要被更新,并
其中,在更新的数据是存放在系统中。这
是一种ADVA NT agecompared到SY ST emswhere
用户编写的软件必须保留旧的数据跟踪
位置,状态,逻辑到物理转换
数据到闪存装置(或存储器DE-
虎钳) ,等等。使用DMS ,用户编写的软件
并不需要与闪存接口二
正确。取而代之的是,用户的软件访问闪存
内存调用的只有六个功能之一。 AMD亲
提供了此类软件,以简化系统设计和软件
洁具一体化的努力。
该器件提供了与完整的兼容性
JEDEC单电源闪存命令集
标准。
命令被写入命令
注册使用标准的微处理器写时序。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过使用该设备
台站
状态位:
RY / BY #引脚, DQ7 (数据#投票)和
DQ6 / DQ2 (触发位) 。编程或擦除周期后,
已经完成时,该装置自动返回
为读模式。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以在系统或通过编程来实现
明装。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机模式。
功率消耗是很大的重
duced在这两种模式。
同时读/写操作与
零延迟
同时读/写架构提供
同时操作
通过将所述存储器
空间分割成
四家银行,
两个8 Mb的银行和小
大部门,大部门两个24 MB银行
只。扇区地址是固定的,系统软件可
可用于形成用户定义的组群。
在擦除/编程操作,任何三个
非繁忙的银行,可以读出。需要注意的是只有两
银行可以同时操作。该设备可以IM-
通过允许主机证明系统的整体性能
系统编程或擦除在一家银行,然后
立即并同时从另一个读
银行,零延迟。这种释放系统从
等待完成编程或擦除
操作。
该Am29DL640G可以被组织为两个一顶
和底部引导扇区配置。
银行
银行1
2银行
3银行
4银行
8兆
24 MB
24 MB
8兆
扇区大小
8个8字节/ 4千字,
15 64字节/ 32 K字
四十八个64千字节/ 32 K字
四十八个64千字节/ 32 K字
8个8字节/ 4千字,
15 64字节/ 32 K字
SecSi (安全硅)行业
是一个额外的
256字节扇区的能够被永久锁定
由AMD和客户。该
SecSi标志位
(DQ7)
永久设置为1;如果部分是
工厂锁定,
并设置为0,如果
客户可锁定。
通过这种方式,客
Tomer的可锁定的部件不能被用于替换
工厂锁定的一部分。
工厂锁定部分提供了几个选项。该
SecSi扇区可存储一个安全的,随机的16字节
2
Am50DL128CG
2002年11月7日
P L I M I N A R
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
MCP框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
闪存框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
特殊包装处理说明.................................... 7
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
MCP设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
表1.设备总线操作闪字模式..................... 11
擦除暂停/删除恢复命令........................... 29
表11. Am29DL640G命令定义.............................. 30
Flash写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 31
图6.数据#投票算法........................................... ....... 31
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ................... 32
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 32
图7.切换位算法............................................ ............ 32
闪存设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
字配置................................................ ................. 12
对于读阵列数据要求................................... 12
写命令/命令序列............................ 12
加快程序运行.......................................... 12
自选功能................................................ ........... 12
同时读/写操作零延迟....... 12
待机模式................................................ ........................ 12
自动休眠模式............................................... ............ 13
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 13
输出禁止模式............................................... ............... 13
表2. Am29DL640G部门架构.................................... 14
表3.银行地址............................................. ....................... 17
表4. SecSi扇区地址........................................... .... 17
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 33
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 33
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 33
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 33
表12.写操作状态............................................ ....... 34
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
图8.最大负过冲波形...................... 35
图9.最大正过冲波形........................ 35
闪存直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
CMOS兼容................................................ .................. 36
图10.我
CC1
电流与时间(显示主动和
自动休眠电流) .............................................. ............... 38
图11.典型I
CC1
与频率............................................ 38
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
图12.测试设置............................................. ....................... 39
图13.输入波形和测量水平................. 39
部门/部门块保护和unprotection的.................. 18
表5. Am29DL640G引导扇区/扇区块的地址亲
tection / unprotection的............................................... ......................... 18
PSRAM交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40
CE#的时机.............................................. ............................. 40
图14.时序图交替
之间的伪SRAM到Flash ............................................. ...... 40
写保护( WP # ) ............................................ .................... 18
表6. WP # / ACC模式.......................................... .................... 19
只读操作.............................................. ............. 41
图15.读操作时序............................................ ... 41
临时机构撤消............................................... ... 19
图1.临时机构撤消操作........................... 19
图2.在系统部门保护/撤消算法.............. 20
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 42
图16.复位时序............................................. .................. 42
SecSi (安全硅)行业
闪存地区............................................... ............. 21
图3. SecSi部门保护验证........................................... ... 22
擦除和编程操作.............................................. 43
图17.程序操作时序..........................................
图18.加速程序时序图..........................
图19.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图20.返回到后端的读/写周期时序......................
图21.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图22.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图23. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
44
44
45
46
46
47
47
硬件数据保护............................................... ....... 22
低V
CC
写禁止................................................ ........... 22
写脉冲“毛刺”保护............................................ 22
逻辑禁止................................................ ...................... 22
上电写禁止............................................. ............ 22
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 22
表7. CFI查询标识字符串.......................................... 23
系统接口字符串............................................... .................... 23
表9.设备几何定义............................................ 24 ..
表10.主要供应商特定的扩展查询...................... 25
临时机构撤消............................................... ... 48
图24.临时机构撤消时序图.............. 48
图25.行业/部门块保护和
撤消时序图............................................... .............. 49
备用CE #楼控擦除和编程操作.... 50
图26.闪存替代CE #楼可控写(擦除/编程)
操作时序................................................ .......................... 51
Flash命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26
读阵列数据............................................... ................. 26
复位命令................................................ ..................... 26
自选命令序列............................................ 26
进入SecSi 部门/退出SecSi部门
命令序列................................................ .............. 26
Word程序命令序列..................................... 27
解锁绕道命令序列.................................. 27
图4.程序运行............................................. ............. 28
读周期................................................ ............................. 52
图27.伪SRAM读周期........................................... 52
图28.页读时序............................................ ............ 53
写周期................................................ ............................. 54
图29.伪SRAM写周期-WE #控制................... 54
图30.伪SRAM写周期- CE1 # - 控制................ 55
图31.伪SRAM写的逐
UB # s和LB #控制研究.......................................... ........................ 56
芯片擦除命令序列........................................... 28
扇区擦除命令序列........................................ 28
图5.擦除操作............................................. .................. 29
闪存擦除和编程性能。 。
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
封装引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
闪存数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
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PSRAM数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58
PSRAM开机和深度掉电。 。 。 。 。 58
图32.深度掉电时序.......................................... .... 58
图33.上电时序........................................... ................. 58
图35.写地址偏移............................................ .......... 59
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60
FTA088-88球细间距栅阵列11.6毫米x 8毫米............. 60
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 61
PSRAM地址偏移。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 59
图34.读地址偏移............................................ .......... 59
4
Am50DL128CG
2002年11月7日
Am50DL128CG
数据表
2003年7月
下列文件规定,现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与orig-公司的名称
inally开发的规范,这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现,
和变化,都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持“AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购
这些产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
26880
调整
A
修订
+2
发行日期
2002年11月7日
初步
Am50DL128CG
堆叠式多芯片封装( MCP )闪存和SRAM
两个Am29DL640G 64兆位(4M ×16位) CMOS 3.0伏只,同时操作
快闪记忆体和64兆位(4M ×16位)页面模式伪静态RAM
特色鲜明
MCP特点
2.7至3.3伏的电源电压
高性能
- 存取时间快70纳秒
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
软件特点
数据管理软件( DMS )
- AMD公司提供的软件管理数据编程,
使EEPROM仿真
- 简化的历史扇区擦除闪存的局限性
- 88球FBGA
工作温度
= -40 ° C至+ 85°C
支持通用闪存接口( CFI )
编程/擦除暂停/删除恢复
- 挂起编程/擦除操作,使
编程/擦除在同一家银行
FLASH内存功能
架构优势
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行,而读
执行擦除/编程功能的另一家银行。
读取和写入操作之间的零延迟
数据#查询和翻转位
- 提供了检测的状态的软件的方法
编程或擦除周期
解锁绕道程序命令
- 发出多个时,降低了总体规划的时间
程序的命令序列
灵活的Bank架构
- 未写入读取可能发生在任何的三家银行
或擦除。
- 四家银行可以通过客户进行分组,以实现预期
银行部门。
硬件特性
任何部门的结合可以被删除
就绪/忙#输出( RY / BY # )
- 硬件检测方法编程或擦除周期
竣工
在0.17微米制程技术制造的
SecSi (安全硅)行业:额外256字节扇区
工厂锁定和识别:
适用于16字节
安全的,随机的工厂电子序列号;可验证
作为工厂通过锁定功能自动选择。 ExpressFlash
选项使整个行业可以供
工厂数据保护
客户可锁定:
部门是一次性可编程的。一旦
扇区已被锁定,数据不能被改变。
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件重置内部状态机的方法
读模式
WP # / ACC输入引脚
- 写保护( WP # )功能保护扇区0 , 1 , 140 ,和
141 ,无论行业的保护状态
- 加速度( ACC )功能,加快项目进度
零功耗工作
- 先进的电源管理电路降低功耗
在非活动期间消耗几乎为零。
扇区保护
- 硬件锁定的扇区的方法,无论是在系统或
使用编程设备,以防止任何程序或
该部门内的擦除操作
- 临时机构撤消允许更改数据
在系统保护部门
引导扇区
- 在同一装置顶部和底部引导扇区
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件与单电源兼容
闪存标准
PSRAM产品特点
功耗
- 工作50 mA(最大值)
- 待机时: 100 μA最大
- 深度掉电待机: 5 μA
性能特点
高性能
- 存取时间快70纳秒
- 计划时间: 4微秒/字典型的利用加速功能
超低功耗(典型值)
- 2毫安在1 MHz有源读取电流
- 在5 MHz 10毫安有效的读电流
- 200 nA的待机或自动睡眠模式
CE1S #和CE2s片选
使用CE1S #和CE2s关机功能
数据保持电源电压: 2.7 3.3伏
字节的数据控制: LB # S( DQ7 - DQ0 ) , UB # S( DQ15 - DQ8 )
8字的页面模式访问
每个扇区保证至少1百万次写周期
本文件包含有关正在开发的产品,在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。
出版#
26880
启:
A
Amendment/+2
发行日期:
2002年11月7日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
P L I M I N A R
概述
Am29DL640G特点
该Am29DL640G是64兆, 3.0伏,只闪光
存储设备,组织成16 4,194,304字
每个位。字模式数据显示在DQ15 - DQ0 。
本设备被设计在系统被编程
与标准的3.0伏V
CC
供应,并且也可以是
在标准EPROM编程器编程。
该器件可提供70或85的访问时间
NS并在88球FBGA封装提供。标准
控制引脚芯片使能( CE #楼) ,写使能( WE# ) ,
和输出使能( OE # ) - 控制正常读取和
写操作,避免总线争用问题。
只有一个设备需要
单3.0伏电源支持
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
ESN (电子序列号) ,客户代码(亲
编程通过AMD的ExpressFlash服务) ,或
两者。顾客可锁定部件可利用SecSi
扇区作为一个一次性可编程区域。
DMS (数据管理软件)
允许系统
轻松利用先进的架构优势
的同时读通过允许/写产品线
清除EEPROM器件。 DMS也将使
系统软件被简化,因为其将执行所有
需要修改在文件结构中的数据的功能,
相对于单字节的修改。写或
更新一个特定数据段(一个电话号码或
的配置数据,例如)时,用户只需要
到状态这一段数据要被更新,并
其中,在更新的数据是存放在系统中。这
是一种ADVA NT agecompared到SY ST emswhere
用户编写的软件必须保留旧的数据跟踪
位置,状态,逻辑到物理转换
数据到闪存装置(或存储器DE-
虎钳) ,等等。使用DMS ,用户编写的软件
并不需要与闪存接口二
正确。取而代之的是,用户的软件访问闪存
内存调用的只有六个功能之一。 AMD亲
提供了此类软件,以简化系统设计和软件
洁具一体化的努力。
该器件提供了与完整的兼容性
JEDEC单电源闪存命令集
标准。
命令被写入命令
注册使用标准的微处理器写时序。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过使用该设备
台站
状态位:
RY / BY #引脚, DQ7 (数据#投票)和
DQ6 / DQ2 (触发位) 。编程或擦除周期后,
已经完成时,该装置自动返回
为读模式。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以在系统或通过编程来实现
明装。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机模式。
功率消耗是很大的重
duced在这两种模式。
同时读/写操作与
零延迟
同时读/写架构提供
同时操作
通过将所述存储器
空间分割成
四家银行,
两个8 Mb的银行和小
大部门,大部门两个24 MB银行
只。扇区地址是固定的,系统软件可
可用于形成用户定义的组群。
在擦除/编程操作,任何三个
非繁忙的银行,可以读出。需要注意的是只有两
银行可以同时操作。该设备可以IM-
通过允许主机证明系统的整体性能
系统编程或擦除在一家银行,然后
立即并同时从另一个读
银行,零延迟。这种释放系统从
等待完成编程或擦除
操作。
该Am29DL640G可以被组织为两个一顶
和底部引导扇区配置。
银行
银行1
2银行
3银行
4银行
8兆
24 MB
24 MB
8兆
扇区大小
8个8字节/ 4千字,
15 64字节/ 32 K字
四十八个64千字节/ 32 K字
四十八个64千字节/ 32 K字
8个8字节/ 4千字,
15 64字节/ 32 K字
SecSi (安全硅)行业
是一个额外的
256字节扇区的能够被永久锁定
由AMD和客户。该
SecSi标志位
(DQ7)
永久设置为1;如果部分是
工厂锁定,
并设置为0,如果
客户可锁定。
通过这种方式,客
Tomer的可锁定的部件不能被用于替换
工厂锁定的一部分。
工厂锁定部分提供了几个选项。该
SecSi扇区可存储一个安全的,随机的16字节
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Am50DL128CG
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产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
MCP框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
闪存框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
特殊包装处理说明.................................... 7
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
MCP设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
表1.设备总线操作闪字模式..................... 11
擦除暂停/删除恢复命令........................... 29
表11. Am29DL640G命令定义.............................. 30
Flash写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 31
图6.数据#投票算法........................................... ....... 31
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ................... 32
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 32
图7.切换位算法............................................ ............ 32
闪存设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
字配置................................................ ................. 12
对于读阵列数据要求................................... 12
写命令/命令序列............................ 12
加快程序运行.......................................... 12
自选功能................................................ ........... 12
同时读/写操作零延迟....... 12
待机模式................................................ ........................ 12
自动休眠模式............................................... ............ 13
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 13
输出禁止模式............................................... ............... 13
表2. Am29DL640G部门架构.................................... 14
表3.银行地址............................................. ....................... 17
表4. SecSi扇区地址........................................... .... 17
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 33
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 33
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 33
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 33
表12.写操作状态............................................ ....... 34
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
图8.最大负过冲波形...................... 35
图9.最大正过冲波形........................ 35
闪存直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
CMOS兼容................................................ .................. 36
图10.我
CC1
电流与时间(显示主动和
自动休眠电流) .............................................. ............... 38
图11.典型I
CC1
与频率............................................ 38
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
图12.测试设置............................................. ....................... 39
图13.输入波形和测量水平................. 39
部门/部门块保护和unprotection的.................. 18
表5. Am29DL640G引导扇区/扇区块的地址亲
tection / unprotection的............................................... ......................... 18
PSRAM交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40
CE#的时机.............................................. ............................. 40
图14.时序图交替
之间的伪SRAM到Flash ............................................. ...... 40
写保护( WP # ) ............................................ .................... 18
表6. WP # / ACC模式.......................................... .................... 19
只读操作.............................................. ............. 41
图15.读操作时序............................................ ... 41
临时机构撤消............................................... ... 19
图1.临时机构撤消操作........................... 19
图2.在系统部门保护/撤消算法.............. 20
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 42
图16.复位时序............................................. .................. 42
SecSi (安全硅)行业
闪存地区............................................... ............. 21
图3. SecSi部门保护验证........................................... ... 22
擦除和编程操作.............................................. 43
图17.程序操作时序..........................................
图18.加速程序时序图..........................
图19.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图20.返回到后端的读/写周期时序......................
图21.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图22.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图23. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
44
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45
46
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47
硬件数据保护............................................... ....... 22
低V
CC
写禁止................................................ ........... 22
写脉冲“毛刺”保护............................................ 22
逻辑禁止................................................ ...................... 22
上电写禁止............................................. ............ 22
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 22
表7. CFI查询标识字符串.......................................... 23
系统接口字符串............................................... .................... 23
表9.设备几何定义............................................ 24 ..
表10.主要供应商特定的扩展查询...................... 25
临时机构撤消............................................... ... 48
图24.临时机构撤消时序图.............. 48
图25.行业/部门块保护和
撤消时序图............................................... .............. 49
备用CE #楼控擦除和编程操作.... 50
图26.闪存替代CE #楼可控写(擦除/编程)
操作时序................................................ .......................... 51
Flash命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26
读阵列数据............................................... ................. 26
复位命令................................................ ..................... 26
自选命令序列............................................ 26
进入SecSi 部门/退出SecSi部门
命令序列................................................ .............. 26
Word程序命令序列..................................... 27
解锁绕道命令序列.................................. 27
图4.程序运行............................................. ............. 28
读周期................................................ ............................. 52
图27.伪SRAM读周期........................................... 52
图28.页读时序............................................ ............ 53
写周期................................................ ............................. 54
图29.伪SRAM写周期-WE #控制................... 54
图30.伪SRAM写周期- CE1 # - 控制................ 55
图31.伪SRAM写的逐
UB # s和LB #控制研究.......................................... ........................ 56
芯片擦除命令序列........................................... 28
扇区擦除命令序列........................................ 28
图5.擦除操作............................................. .................. 29
闪存擦除和编程性能。 。
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
封装引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
闪存数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
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PSRAM数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58
PSRAM开机和深度掉电。 。 。 。 。 58
图32.深度掉电时序.......................................... .... 58
图33.上电时序........................................... ................. 58
图35.写地址偏移............................................ .......... 59
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60
FTA088-88球细间距栅阵列11.6毫米x 8毫米............. 60
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 61
PSRAM地址偏移。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 59
图34.读地址偏移............................................ .......... 59
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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