A D V A N权证
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目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
MCP框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
闪存框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
特殊包装处理说明.................................... 7
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
MCP设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
表1.设备总线操作，闪字模式， CIOf =
VIH ................................................. ..................................... 11
表2.设备总线操作闪存字节模式， CIOf = V
IL
12
闪存设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
字/字节配置.............................................. .......... 13
对于读阵列数据要求................................... 13
写命令/命令序列............................ 13
加快程序运行............................................. 13
自选功能................................................ .............. 13
同时读/写操作零延迟....... 13
待机模式................................................ ........................ 14
自动休眠模式............................................... ............ 14
RESET ＃ ：硬件复位引脚............................................ ... 14
输出禁止模式............................................... ............... 14
表3. Am29DL640H部门架构.................................... 15
表4.银行地址............................................. ....................... 18
表5. SecSi扇区地址........................................... .... 18
芯片擦除命令序列........................................... 29
扇区擦除命令序列........................................ 29
擦除暂停/删除恢复命令........................... 30
图5.擦除操作............................................. ................. 30
表12. Am29DL640H命令定义................... 31
Flash写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32
DQ7 ：数据＃投票............................................. .................... 32
图6.数据＃投票算法........................................... ....... 32
RY / BY ＃ ：就绪/忙＃ ......................................... ................... 33
DQ6 ：切换位I ............................................. ....................... 33
图7.切换位算法............................................ ............ 33
DQ2 ：触发位II ............................................. ...................... 34
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 34
DQ5 ：超过时序限制............................................. ... 34
DQ3 ：扇区擦除定时器............................................. .......... 34
表13.写操作状态............................................ ....... 35
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
图8.最大负过冲波形...................... 36
图9.最大正过冲波形........................ 36
静电放电抗扰度................................................ ...................... 37
闪存直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
CMOS兼容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
图10.我
CC1
电流与时间（显示主动和
自动休眠电流） .............................................. ............... 40
图11.典型I
CC1
与频率............................................ 40
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 41
图12.测试设置............................................. ....................... 41
图13.输入波形和测量水平................. 41
部门/部门块保护和unprotection的.................. 19
表6. Am29DL640H引导扇区/扇区块的地址
保护/ unprotection的............................................... .................... 19
PSRAM交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 42
CE＃的时机.............................................. ............................. 42
图14.时序图交替
之间的伪SRAM到Flash ............................................. ...... 42
写保护（ WP ＃ ） ............................................ .................... 19
表7. WP ＃ / ACC模式.......................................... .................... 20
临时机构撤消............................................... ... 20
图1.临时机构撤消操作........................... 20
图2.在系统部门保护/撤消算法.............. 21
只读操作.............................................. ............. 43
图15.读操作时序............................................ ... 43
硬件复位（ RESET ＃ ） ............................................ ........ 44
图16.复位时序............................................. .................. 44
SecSi （安全硅）行业
闪存地区............................................... ............. 22
图3. SecSi部门保护验证........................................... ... 23
字/字节配置（ CIOf ） ........................................... ... 45
图17. CIOf时序进行读操作................................ 45
图18. CIOf时序写操作................................ 45
硬件数据保护............................................... ....... 23
低V
CC
写禁止................................................ .............. 23
写脉冲“毛刺”保护............................................ ... 23
逻辑禁止................................................ .......................... 23
上电写禁止............................................. ............... 23
通用闪存接口（ CFI ） 。 。 。 。 。 。 。 23
表8. CFI查询标识字符串.............................. 24
表9.系统接口字符串............................................ .......... 24
擦除和编程操作.............................................. 46
图19.程序操作时序..........................................
图20.加速程序时序图..........................
图21.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图22.返回到后端的读/写周期时序......................
图23.数据＃投票计时（在嵌入式算法） 。
图24.触发位计时（在嵌入式算法） ......
图25. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
47
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49
49
50
50
表10.设备几何定义................................. 25
表11.主要供应商特定的扩展查询........... 26
Flash命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
读阵列数据............................................... ................. 27
复位命令................................................ ..................... 27
自选命令序列............................................ 27
进入SecSi 部门/退出SecSi部门
命令序列................................................ .............. 27
字节/字编程命令序列............................. 28
解锁绕道命令序列..................................... 28
图4.程序运行............................................. ............. 29
临时机构撤消............................................... ... 51
图26.临时机构撤消时序图.............. 51
图27.行业/部门块保护和
撤消时序图............................................... .............. 52
备用CE ＃楼控擦除和编程操作.... 53
图28.闪存替代CE ＃楼可控写（擦除/编程）
操作时序................................................ .......................... 54
读周期................................................ ............................. 55
图29的伪SRAM读周期........................................... 55
图30.页读时序............................................ ............ 56
写周期................................................ ............................. 57
图31.伪SRAM写周期-WE ＃控制................... 57
2003年10月7日
Am50DL128BH
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