低噪声放大器
1.575 GHz的
特点
q
q
q
q
q
AM50-0002
V 2.00
SO-8
低噪声系数： 1.15分贝
高增益： 27分贝
低功耗： 3至5 V时为20 mA
高动态范围
低成本SOIC 8塑料包装
描述
M / A - COM的AM50-0002是一种高性能砷化镓
在低成本SOIC 8引线河畔MMIC低噪声放大器器
面对贴装塑料封装。该AM50-0002采用
单片3级的自偏置设计和简单的外部
匹配网络，以获得最小噪声系数。它可以
使用3-或5伏电源被偏置。
该AM50-0002非常适合用于要求低噪音
系数，高增益，高动态范围和低功耗
消费是必需的。典型的应用包括
在全球定位系统接收前端
（GPS）的市场，以及标准增益模块，缓冲
放大器，驱动放大器和中频放大器的固定和
便携式系统。
M / A - COM的AM50-0002使用的是成熟的0.5捏造
微米栅长的GaAs工艺。该工艺的特点
完全钝化，以提高性能的可靠性。
订购信息
产品型号
AM50-0002
AM50-0002TR
AM50-0002RTR
AM50-0002SMB
包
SOIC 8引脚塑料
正向磁带和卷轴*
相反的磁带和卷轴*
设计者工具包
如果特定的卷轴
*
分配。尺寸要求，请咨询工厂零件号
电气规格
1
T
A
= + 25 ° C，Z
0
= 50, V
DD
= + 5V ，P
IN
= -35 dBm时， F = 1.575 GHz的
参数
收益
噪声系数
输入VSWR
输出VSWR
输出1分贝压缩
输入IP3
反向隔离
偏置电流
1.请参阅3伏以下的数据页。
DBM
DBM
dB
mA
15
单位
dB
dB
分钟。
25
典型值。
27
1.15
2.0:1
1.5:1
1
-14
48
20
25
马克斯。
29
1.4
低噪声放大器
AM50-0002
V 2.00
绝对最大额定值
参数
V
DD
输入功率
通道温度
2
工作温度
储存温度
1
工作原理图
GND
GND
绝对最大
10伏直流
+17 dBm的
+150°C
-40 ° C至85°C
-65 ℃150 ℃的
T1
在RF
T2
GND
GND
1.操作该设备超出这些限制可能会导致
永久性损坏。
2.典型热阻（ jc的） = + 165° C / W的
RF OUT ，V
DD
GND
GND
推荐PCB配置
尺寸以英寸（毫米）
0.244
(6.20)
0.072
(1.83)
0.060
(1.52)
2X 0.025 （ 0.64 ）
电镀通
T1
T2
频率= 1.575 GHz的
阻抗
电气长度
57.2
36.0°
82.7
16.2°
在RF
0.024
(0.61)
0.109
(2.77)
0.112
(2.84) 0.245
(6.22)
RF OUT
0.060
(1.52)
0.172
(4.37)
0.030
(0.76)
3.引脚1 ，3，4 ，5，7和8必须是RF和DC接地的，如图所示。
4.引脚2是在RF输入和必须连接到简单的匹配
所示的网络。
5.引脚6是RF输出。 V
DD
也被施加在引脚6 。
12 X读0.008 （ 0.20 ）
电镀通
FR-4电路板，厚度= 0.016英寸（ 0.41 ）
典型性能
收益
vs
频率， T = + 25°C
A
28
5V
26
24
3V
22
20
1.3
1.4
1.5
1.6
频率（GHz ）
1.7
1.8
1.1
5V
1.0
1.50
1.52
1.54
1.56
频率（GHz ）
1.58
1.60
1.3
3V
1.2
1.4
噪声系数
vs
频率， TA = + 25°C
低噪声放大器
AM50-0002
V 2.00
VSWR
vs
频率@ 5 V ， TA = + 25°C
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
频率（GHz ）
产量
-12
输入IP3
vs
频率， TA = + 25°C
5V
输入
-13
-14
-15
-16
1.50
1.52
1.54
1.56
1.58
1.60
频率（GHz ）
3V
收益
vs
频率@ 5 V
28
26
24
22
20
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
频率（GHz ）
+85°C
1.6
-40°C
+25°C
1.4
噪声系数
vs
频率@ 5 V
+25°C
1.2
1.0
0.8
1.50
1.52
1.54
1.56
-40°C
+85°C
1.58
1.60
频率（GHz ）
更多信息，请参考应用笔记M540提供，
“M / A - COM的GaAs MMIC低噪声放大器SOIC- 8平台。 ”
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