P L I M I N A R
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
MCP框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
闪存框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
特殊包装处理说明.................................... 7
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
MCP设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
表2.设备总线操作闪存字节模式， CIOf = V
SS
...11
RY / BY ＃ ：就绪/忙＃ ......................................... ................... 32
DQ6 ：切换位I ............................................. ....................... 32
图7.切换位算法............................................ ............ 32
DQ2 ：触发位II ............................................. ...................... 33
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 33
DQ5 ：超过时序限制............................................. ... 33
DQ3 ：扇区擦除定时器............................................. .......... 33
表13.写操作状态............................................ ....... 34
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
图8.最大负过冲波形...................... 35
图9.最大正过冲波形........................ 35
闪存设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
字/字节配置.............................................. .......... 12
对于读阵列数据要求................................... 12
写命令/命令序列............................ 12
加快程序运行.......................................... 12
自选功能................................................ ........... 12
同时读/写操作零延迟....... 12
待机模式................................................ ........................ 13
自动休眠模式............................................... ............ 13
RESET ＃ ：硬件复位引脚............................................ ... 13
输出禁止模式............................................... ............... 13
表3. Am29DL640G部门架构.................................... 14
表4.银行地址............................................. ....................... 17
表5. SecSi扇区地址........................................... .... 17
闪存直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
CMOS兼容................................................ .................. 36
图10.我
CC1
电流与时间（显示主动和
自动休眠电流） .............................................. ............... 37
图11.典型I
CC1
与频率............................................ 37
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
图12.测试设置............................................. ....................... 39
图13.输入波形和测量水平................. 39
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40
PSRAM CE＃的时机............................................. ................. 40
图14.时序图交替
与PSRAM到Flash .............................................. ................ 40
只读操作.............................................. ............. 41
图15.读操作时序............................................ ... 41
部门/部门块保护和unprotection的.................. 18
表6. Am29DL640G引导扇区/扇区块
为保护/ unprotection的........................................... 18地址
硬件复位（ RESET ＃ ） ............................................ ........ 42
图16.复位时序............................................. .................. 42
写保护（ WP ＃ ） ............................................ .................... 19
表7. WP ＃ / ACC模式.......................................... .................... 19
字/字节配置（ CIOf ） ........................................... ... 43
图17. CIOf时序进行读操作................................ 43
图18. CIOf时序写操作................................ 43
临时机构撤消............................................... ... 19
图1.临时机构撤消操作........................... 19
图2.在系统部门保护/撤消算法.............. 20
擦除和编程操作.............................................. 44
图19.编程操作时序.......................................... 45
图20.加速程序时序图.......................... 45
图21.芯片/扇区擦除操作时序.......................... 46
图22.返回到后端的读/写周期时序...................... 47
图23.数据＃投票计时（在嵌入式算法） 。 47
图24.触发位计时（在嵌入式算法） ...... 48
图25. DQ2与DQ6 ........................................... ...................... 48
SecSi （安全硅）行业
闪存地区............................................... ............. 21
图3. SecSi部门保护验证........................................... ... 22
硬件数据保护............................................... ....... 22
低V
CC
写禁止................................................ ........... 22
写脉冲“毛刺”保护............................................ 22
逻辑禁止................................................ ...................... 22
上电写禁止............................................. ............ 22
通用闪存接口（ CFI ） 。 。 。 。 。 。 。 22
Flash命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26
读阵列数据............................................... ................. 26
复位命令................................................ ..................... 26
自选命令序列............................................ 26
进入SecSi 部门/退出SecSi部门
命令序列................................................ .............. 26
字节/字编程命令序列............................. 27
解锁绕道命令序列.................................. 27
图4.程序运行............................................. ............. 28
临时机构撤消............................................... ... 49
图26.临时机构撤消时序图.............. 49
图27.行业/部门块保护和
撤消时序图............................................... .............. 50
备用CE ＃楼控擦除和编程操作.... 51
图28.闪存替代CE ＃楼可控写（擦除/编程）
操作时序................................................ .......................... 52
电时间............................................... ........................ 53
读周期................................................ ............................. 53
图29. PSRAM读周期，地址控制.................... 53
读周期................................................ ............................. 54
图30. PSRAM读周期............................................ .......... 54
写周期................................................ ............................. 55
图31. PSRAM写周期-WE ＃控制.............................. 55
图32. PSRAM写周期- CE1 ＃ - 控制........................... 56
图33. PSRAM写的逐
UB ＃ s和LB ＃控制研究.......................................... ........................ 57
芯片擦除命令序列........................................... 28
扇区擦除命令序列........................................ 28
擦除暂停/删除恢复命令........................... 29
图5.擦除操作............................................. .................. 29
Flash写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31
DQ7 ：数据＃投票............................................. .................... 31
图6.数据＃投票算法........................................... ........ 31
闪存擦除和编程性能。 。
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
封装引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
闪存数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
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2003年4月1日
Am49DL640AG
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