【模拟电源双P通道30 - V（D -S）的MOSFET这些微型表面贴装MOSFET采用高细胞密度的过】,IC型号AM4915P,AM4915P PDF资料,AM4915P经销商,ic,电子元器件-51电子网

模拟电源

双P通道30 - V（D -S）的MOSFET

这些微型表面贴装MOSFET采用

高细胞密度的过程。低R

DS （ ON）

保证

最小的功率损耗并节省能源，使

该器件非常适用于电源管理应用

电路。典型的应用是PWMDC直流

转换器，电源管理在便携式和

电池供电的产品，如计算机，

打印机，充电器，通信电源

系统和电话电源系统。

低R

DS （ ON）

提供了更高的效率和

延长电池寿命

小型SO- 8表面贴装封装

节省电路板空间

高功率和电流处理能力

扩展V

范围（± 25），用于电池组

应用

AM4915P

产品概述

(V)

DS （ ON）

m()

17.5 @ V

= -10V

-30

23 @ V

= -4.5V

(A)

-9.5

-8.5

绝对最大额定值（T

= 25°C除非另有说明）

参数

符号最大单位

漏源电压

-30

栅源电压

±25

连续漏电流

漏电流脉冲

=25 C

=70 C

-9.5

-8.2

±50

-2.1

2.0

1.3

-55到150

连续源电流（二极管传导）

功耗

=25 C

=70 C

, T

英镑

工作结存储温度范围

热电阻额定值

参数

最大结到外壳

最大结点到环境

符号

θJC

θJA

吨< = 5秒

最大

单位

C / W

笔记

表面装在1 “×1” FR4板。

脉冲宽度有限的最高结温

2002年9月 - 版本A

初步

出版订单号：

DS-AM4915_E

模拟电源

规格（T

= 25°C除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

门体漏

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

AM4915P

符号

（ BR ） DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

D（上）

测试条件

= 0 V，I

= -250微安

= V

, I

= -250微安

= 0 V, V

= ±25 V

范围

单位

最小典型最大

-30

-1

15.5

20.5

-1.6

-3

±100

= -24 V, V

= 0 V

= -24 V, V

= 0 V ，T

= 55 C

-1

-5

-50

17.5

-1.2

100

漏源导通电阻

转发Tranconductance

二极管的正向电压

DS （ ON）

D（上）

D（关闭）

= -5 V, V

= -10 V

= -10 V，I

= -11.5 A

= -4.5 V，I

= -9.3 A

= -10 V，I

= -13 ， TJ = 55℃

= -15 V，I

= -11.5 A

= 2.5 A，V

= 0 V

16.5

-0.8

100

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

= -15 V, V

= -10 V,

= -11.5 A

开关

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

= -15 V ，R

= 6

, I

= -1 A,

VGEN = -10 V

152

笔记

脉冲测试： PW < = 300US占空比< = 2 ％。

通过设计保证，不受生产测试。

模拟电源

（ APL ）保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。 APL不作任何保证，声明

或保证对其产品是否适合任何特定用途，也不APL承担因应用程序的任何责任或

使用任何产品或电路，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带

损害赔偿。可在APL数据表和/或规格提供“典型”参数，并会根据不同的应用和

实际性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的应用程序通过验证

客户的技术专家。 APL不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。 APL产品不是设计，

意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或用于支持其他应用程序或

维持生命，或任何其他应用程序中的APL产品的故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。

如果买方购买或使用产品的APL任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有联合地产及其

管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师

即使这样产生出来的，直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，费用

索赔称， APL有关部分的设计或制造疏忽造成的。 APL是一个机会均等/肯定行动雇主。

2002年9月 - 版本A

初步

出版订单号：

DS-AM4915_E

模拟电源

AM4915P

典型电气特性（ P沟道）

-50

4Vt HRU 10V

-40

0 .0 4

3.5 V

0 .0 3

DS （ ON）

()

-30

= 10 V

0 .0 2

-20

2.5 V

0 .0 1

-1 0

-0.5

-1

-1 .5

-2

-2.5

-3

-6

-9

-1 2

-1 5

VDS - 漏极至所以URC é武LTA GE （ V）

- 漏电流（ A）

图2。R

DS （ ON）

与漏电流（ A）

图1.区域特征

1.6

1.5

1.4

VGS = 10V

ID = 11.5A

0 .0 6

0 .0 5

= 11.5 A

归一化R（上）

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

-50

-25

100

125

150

DS （ ON）

()

1.3

0 .0 4

0 .0 3

0 .0 2

0 .0 1

- Juncation牛逼emperature （ C ）

- 栅极至源极电压（ V）

图4. RDS （ ON）与栅极至源极电压

图。R

（上）随温度的变化

-50

-55C

100

- 粮食电流（A ）

-40

-30

-20

-10

125C

25C

- 源电流（ A）

TJ = 150℃

TJ = 25°C

0 .1

- 栅极至源极电压（ V）

-1

-2

-3

-4

-5

-6

0 .3

0 .6

0 .9

1 .2

1 .5

- 源极到漏极电压（ V）

图6.体二极管正向电压的变化

与源电流和温度

图5.传输特性

2002年9月 - 版本A

初步

出版订单号：

DS-AM4915_E

模拟电源

AM4915P

典型电气特性（ P沟道）

门源电压（ V）

电容（pF）

3000

= 10V

2500

2000

1500

1000

OS s

500

CRSS

-4

-8

-12

-16

-20

西塞

VDS - 漏极至源极电压（ V）

图8.电容特性

，T otal栅极电荷（ NC）

图7.栅极电荷特性

0.8

GS （ TH）

牛逼hreshold电压（V ）

0.6

功率（W）的

75 100 125 150

0.4

0.2

-0.2

-0.4

-50 -25

= 250A

0 .0 0 1

0 .1

1000

- 结牛逼emperature （ ° C）

图9.结温

阈值电压

单Pules牛逼IME （ S）

图10.单脉冲最大功率耗散

归热瞬态结到环境

0.5

0.1

Normlized

0.2

0.1

0.05

0.02

单脉冲

1.职务 YC A L D = T1 / T2

2. P·E R B A S é 单位

θJA

= 70℃ / W

3. T

J·M

- T

= P

θJC

格式。4. S茜发权证M O对unte

0.01

0.1

100

1000

0.01

0.001

0.0001

0.001

单Pules波时间（ S）

图11.瞬态热响应曲线

2002年9月 - 版本A

初步

出版订单号：

DS-AM4915_E

模拟电源

AM4915P

包装信息

SO - 8 ： 8LEAD

高x 45

2002年9月 - 版本A

初步

出版订单号：

DS-AM4915_E