模拟电源
AM4825P
规格（T
A
= 25
o
C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
A
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
A
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= -250微安
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250微安
V
DS
= 0 V, V
GS
= ±25 V
范围
单位
最小典型最大
-30
-1
±100
o
V
nA
uA
A
13
19.0
29
-0.8
25
11
17
2300
600
300
15
nC
m
S
V
V
DS
= -24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= -24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 C
-1
-5
-50
V
DS
= -5 V, V
GS
= -10 V
V
GS
= -10 V，I
D
= -11.5 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -9.3 A
V
DS
= -15 V，I
D
= -11.5 A
I
S
= 2.5 A，V
GS
= 0 V
漏源导通电阻
转发Tranconductance
二极管的正向电压
A
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
V
DS
= -15 V, V
GS
= -5 V,
I
D
= -11.5 A
V
DS
=-15V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
pF
V
DD
= -15 V ，R
L
= 6
,
= -1 ， VGEN = -10 V
I
D
13
100
54
nS
笔记
a.
脉冲测试： PW < = 300US占空比< = 2 ％ 。
b.
通过设计保证，不受生产测试。
模拟电源
（ APL ）保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。 APL不作任何保证，声明
或保证对其产品是否适合任何特定用途，也不APL承担因应用程序的任何责任或
使用任何产品或电路，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带
损害赔偿。可在APL数据表和/或规格提供“典型”参数，并会根据不同的应用和
实际性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的应用程序通过验证
客户的技术专家。 APL不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。 APL产品不是设计，
意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或用于支持其他应用程序或
维持生命，或任何其他应用程序中的APL产品的故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。
如果买方购买或使用产品的APL任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有联合地产及其
管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师
即使这样产生出来的，直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，费用
索赔称， APL有关部分的设计或制造疏忽造成的。 APL是一个机会均等/肯定行动雇主。
2
初步
出版订单号：
DS-AM4825_G
模拟电源
AM4825P
典型电气特性（ P沟道）
-5 0
4 V直通1 0 V
-4 0
-3 0
-2 0
-1 0
0
0
-1
-2
-3
3 .5 V
3V
2 .5 V
VDS - 德拉到S 0 URC ê武LTA GE （ V）
图1.区域特征
1.6
1.5
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压
0.05
归一化的RDS（on ）
1.4
1.3
V
S
=10V
G
I
D
=11.5A
0.04
RDS （ ON）
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.03
I
D
=11.5a
0.02
0.01
0
0
2
4
6
8
10
T
J
- 结温（ ° C）
图3.导通电阻随温度的变化
V的S - 摹至S
G
吃
环境允许的V
oltage （V
)
图4.导通电阻与栅极至源极电压
100
-50
25C
我 - 漏电流（ A）
-40
-55C
-30
-20
IS - 源电流（ A）
125C
10
TJ = 150℃
TJ = 25°C
1
-10
0
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
-1
-2
-3
-4
-5
VSD - 源极到漏极电流（ V）
V
GS
- 栅极至源极电压（ V）
图5.传输特性
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度
3
初步
出版订单号：
DS-AM4825_G
模拟电源
AM4825P
典型电气特性（ P沟道）
10
V
GS
门源电压（ V）
4000
Capacit ANCE （PF ）
8
6
4
2
0
0
V
DS
= 10V
3000
西塞
2000
CRSS
1000
科斯
10
20
30
40
50
0
0
-5
-1 0
-1 5
-2 0
Q
GS
，T otal栅极电荷（ NC）
图7.栅极电荷特性
0.8
V
DS
(V)
图8.电容特性
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0.01
方差（ V）
0.6
0.4
0.2
0
-0.2
-0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125 150
V
T
J
- Juncation牛逼emperature （ C ）
图9.最高安全工作区
功率（W）的
0.1
1
10
100
1000
脉冲牛逼IME （ S）
图10.单脉冲最大功率耗散
归热瞬态结到环境
1
0.5
0.2
P
DM
0.1
0.1
0.05
0.02
t1
t2
1.职务Cycal D = T1 / T2
2.每单位基础
θ
J A
=70C/W
3. T
J·M
- T
A
= P
DM
Z
θ
jc
4.安装表面雾面
单脉冲
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
方波脉冲持续时间（ S）
图11.瞬态热响应曲线
4
初步
出版订单号：
DS-AM4825_G
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